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1W P
OWER
pHEMT制
特点
31.5 dBm的输出功率,在1dB压缩在18 GHz的
8分贝功率增益为18 GHz的
在1dB压缩在3.3V 28 dBm的输出功率
达45dBm输出IP3为18GHz的
50%的功率附加效率
BOND
PAD (2X)
来源
BOND
PAD (2X)
BOND
PAD (2X)
LP1500
说明与应用
DIE SIZE : 16.5X16.1密耳( 420x410
m)
管芯厚度: 3密耳( 75
m)
焊盘: 1.9X2.4密耳( 50x60
m)
该LP1500是一个铝镓砷/铟镓砷( AlGaAs构成/铟镓砷)
假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT ) ,利用电子束指示按
写0.25
m
1500
m
肖特基势垒门。凹“蘑菇”门结构
最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构及加工有
经过优化,可靠的高功率应用。该LP1500还具有硅
3
N
4
钝化
并且可在一个P100的带凸缘的陶瓷封装,成本低的塑料SOT89封装。
典型的应用包括商业和其他窄带和宽带高性能
放大器,其中包括卫星通信上行链路发射器, PCS /蜂窝低压高效率输出
放大器和中程数字无线电发射机。
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
三输出截取点
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
IP3
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 5毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
-0.25
-12
-12
385
375
30
6
典型值
490
31.5
8
45
50
925
450
10
-1.2
-15
-16
45
75
-2.0
最大
600
单位
mA
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
电话:
(408) 988-1845
传真:
(408) 970-9950
HTTP : //
www.filss.com
修改后:
1/18/01
电子邮件:
sales@filss.com
1W P
OWER
pHEMT制
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
注意事项:
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
最大
12
-5
2xI
DSS
15
750
175
175
3.33
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
LP1500
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
功耗定义为:P
合计
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
,其中,
P
DC
:直流偏置电源
P
IN
: RF输入功率
P
OUT
:射频输出功率
绝对最大功耗要降额如下高于25 ° C:
P
合计
= 3.33W - ( 0.022W / ° C)控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电(ESD )预防措施应储存的各个阶段进行观察,搬运,装配和
测试。这些装置应被视为1A类( 0-500 Ⅴ) 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用0.7或1.0密耳( 0.018或0.025毫米)热压楔焊
金线。阶段的温度应该是250-260 ℃。
应用说明&设计数据
应用笔记,可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据,包括S参数,噪声数据,信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
所有信息和规格如有变更,恕不另行通知。
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传真:
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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