LP0701
低门槛
P沟道增强模式
横向MOSFET
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-16.5V
R
DS （ ON）
（最大）
1.5
I
D（上）
（分钟）
-1.25A
V
GS （ TH）
（最大）
-1.0V
订单号码/套餐
TO-92
LP0701N3
SO-8
LP0701LG
DIE
LP0701ND
特点
超低阈值
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
免于二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
先进的MOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一lat-
ERAL MOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和负温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。低阈值电压和低导通
电阻特性非常适用于手持式电池
运行应用程序。
应用
逻辑电平接口
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
SGD
封装选项
（注1 ）
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
10V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
NC
NC
S
G
1
2
3
4
TO-92
8
7
6
5
D
D
D
D
SO-8
顶视图
注：请参阅尺寸封装外形部分。
7-23
LP0701
热特性
包
I
D
（连续） *
-0.5A
-0.7A
I
D
（脉冲） *
-1.25A
-1.25A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
1.5W
°
C / W
125
83
θ
jc
°
C / W
170
104
θ
ja
I
DR
-0.5A
-0.7A
I
DRM
*
-1.25A
-1.25A
TO-92
SO-8
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-16.5
-0.5
-0.7
-1.0
-4.0
-100
-100
-1.0
-0.4
I
D（上）
通态漏电流
-0.6
-1.25
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
-1.2
500
700
120
100
40
250
125
60
20
20
30
30
-1.5
V
V
GS
= 0V时，我
SD
= -500mA
ns
V
DD
= -15V ，我
D
= -1.25A,
R
根
= 25
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
-1.0
-2.3
2.0
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
1.7
1.3
4.0
2.0
1.5
0.75
%/°C
m
A
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
nA
mA
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ， TA = 125°C
V
GS
= V
DS
= -2V
V
GS
= V
DS
= -3V
V
GS
= V
DS
= -5V
V
GS
= -2V ，我
D
= -50mA
V
GS
= -3V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -5V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -5V ，我
D
= -300mA
V
DS
= -15V ，我
D
= -1A
注1 ：所有的DC参数100 ％，在25 ° C下测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
注2 ：所有交流电参数样本进行测试。
开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
t
（上）
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
10%
10%
V
DD
90%
t
r
90%
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
输入
R
L
D.U.T.
产量
10%
脉冲
发电机
R
根
7-24
QQ：2881677436 复制
