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乐山无线电公司， LTD 。

NPN通用

晶体管

该LNST3904F3T5G设备是一个剥离我们的流行

SOT -23 / SOT - 323 / SOT - 563 / SOT- 963三含铅器件。这是

设计用于通用放大器应用和被容纳在

采用SOT -1123表面贴装封装。该器件非常适用于

低功率表面贴装应用中的电路板空间是一个

溢价。

特点

LNST3904F3T5G

集热器

3

1

BASE

2

辐射源

LNST3904F3T5G

h

FE

, 100300

低V

CE （ SAT ）

,

≤

0.4 V

板级空间缩小

这是一个Pb - Free设备

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

连续

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

40

60

6.0

200

单位

VDC

VDC

VDC

MADC

3

1

2

SOT1123

CASE 524AA

风格1

热特性

特征

器件总功耗，T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗，T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

热阻，

结到铅3

结温和存储温度范围

符号

P

D

（注1 ）

R

qJA

（注1 ）

P

D

（注2 ）

R

qJA

（注2 ）

R

YJL

（注2 ）

T

J

, T

英镑

最大

290

2.3

432

347

2.8

360

143

55

to

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

° C / W

°C

标记图

2M

2

M

=器件代码

=日期代码

订购信息

设备

LNST3904F3T5G

包

航运

SOT

1123

8000 /磁带&卷轴

（无铅）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1. 100 mm

2

1盎司，铜的痕迹。

2. 500 mm

2

1盎司，铜的痕迹。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

1/4

乐山无线电公司， LTD 。

LNST3904F3T5G

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（注3 ）（我

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集热器

： BASE

击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

辐射源

： BASE

击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

集电极截止电流（V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

基本特征

（注3）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

集热器

：辐射源

饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

BASE

：辐射源

饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积（我

C

= 10 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容（V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容（V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

噪声系数（V

CE

= 5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0 k

W,

F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

=

0.5伏）

(I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ）

(I

B1

= I

B2

= 1.0 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

35

35

275

50

ns

f

T

C

敖包

C

IBO

NF

200

4.0

8.0

5.0

兆赫

pF

pF

dB

h

FE

40

70

100

60

30

0.65

300

0.2

0.3

0.85

1.0

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

40

60

6.0

50

VDC

VDC

VDC

NADC

符号

民

最大

单位

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士;

占空比

≤

2.0%.

0.28

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

0.23

0.18

0.13

0.08

0.03

25°C

55°C

h

FE

，直流电流增益（ V）

I

C

/I

B

= 10

V

CE （ SAT ）

= 150°C

400

350 150 ° C（ 5.0 V）

300 150 ° C（ 1.0 V）

250

200

25 ° C（ 5.0 V）

25 ° C（ 1.0 V）

150

55°C

(5.0 V)

100

55°C

(1.0 V)

50

0

0.0001

0.001

0.1

0.01

I

C

，集电极电流（ A）

1

0.0001

0.001

0.01

0.1

I

C

，集电极电流（ A）

1

图1.集电极发射极饱和电压与

集电极电流

图2.直流电流增益与集电极电流

2/4

乐山无线电公司， LTD 。

LNST3904F3T5G

1.1

V

BE （ SAT ）

，基极 - 发射

饱和电压（ V）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4 150°C

0.3

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

25°C

V

BE（上）

，基极发射极导通

电压（V）的

I

C

/I

B

= 10

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4 150°C

0.3

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

25°C

V

CE

= 2.0 V

55°C

55°C

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图3.基射极饱和电压与

集电极电流

2.0

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20毫安

0.0001

0.001

I

b

，基极电流（ A）

0.01

40毫安

60毫安

80毫安

I

C

= 100毫安

C

IBO

，输入电容（ pF）的

1.8

8.0

7.5

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

0

图4.基极发射极导通电压与

集电极电流

C

ib

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5 5.0

V

eb

，发射极基极电压（ V）

图5.饱和区

3.0

C

敖包

，输出电容（ pF）的

2.5

2.0

1.5

C

ob

1.0

0.5

图6.输入电容

0

5.0

10

15

20

25

30

V

cb

，集电极基极电压（ V）

图7.输出电容

3/4

乐山无线电公司， LTD 。

LNST3904F3T5G

包装尺寸

SOT1123

b1

1

2

D

X

Y

3

E

b

0.08 （ 0.0032 ） X Y

A

e

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

暗淡

A

b

b1

c

D

E

e

H

E

L

MILLIMETERS

民

喃最大

0.34

0.37

0.40

0.15

0.20

0.25

0.10

0.15

0.20

0.07

0.12

0.17

0.75

0.80

0.85

0.55

0.60

0.65

0.35

0.95

1.00

1.05

0.05

0.10

0.15

英寸

喃

0.015

0.008

0.006

0.005

0.031

0.024

0.014

0.037 0.039

0.002 0.004

民

0.013

0.006

0.004

0.003

0.030

0.022

最大

0.016

0.010

0.008

0.007

0.033

0.026

0.041

0.006

c

L

H

E

焊接足迹*

0.35

0.30

风格1 ：

1. PIN BASE

2.辐射源

3.收集

0.25

0.90

0.40

外形尺寸：毫米

4/4

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