LNK623-626
使用LinkSwitch - CV
家庭
高能效，离线式开关，提供精确的
初级侧恒定电压（CV）的控制
产品亮点
极大地帮助Simpli网络上课CV转换器
省去光耦器和所有次级CV控制电路
消除了偏置绕组电源 - IC自偏置
先进的性能特点
补偿外围元件的温度变化
采用专有的修整非常严格的IC参数容差
技术
对于设计连续和/或不连续模式操作
灵活性
频率抖动功能极大地降低了EMI滤波器成本
更严格的输出容差通过外部电阻
选择/微调
先进的保护/安全特性
自动重启动保护降低输出功率由>95 ％的
输出短路及控制环路故障（开路和短路
组件）
迟滞热关断 - 自动恢复减少
从科幻场电源的回报
会见排水和所有其他的高压爬电要求
销，既在PCB上，并在包
EcoSmart节能
- 能源英法fi cient
空载功耗<200毫瓦在230 VAC输入条件下，以
低于70毫瓦可选外部偏置
轻松满足全球所有能源EF网络效率法规没有
添加的组件
ON / OFF控制提供恒定的英法fi效率可在极轻
载荷 - 适用于强制性EISA和能源之星2.0
法规
没有初级或次级电流检测电阻 - 可提高
EF网络效率
绿色包装
无卤素，符合RoHS标准的封装
应用
DVD /机顶盒
适配器
待机及辅助电源
家电，白色家电和消费类电子产品
工业控制
*
广泛
高压直流输入
使用LinkSwitch - CV
D
FB
BP
S
（一）典型应用电路图
V
O
±5%
PI-5195-080808
A
st
Re
TO -
u
艺术
PI-5196-080408
I
O
（二）输出特性
图1 。
典型应用原理图（ a）及输出特性包络（b ） 。
*可选用LNK623-624PG / DG 。 （见主要应用部分
钳和其它外部电路的设计考虑） 。
输出功率表
230 VAC± 15 ％
产品
3
85-265 VAC
适配器
1
5.0 W
5.5 W
6.5 W
8.5 W
峰值或
开放
FRAME
2
6W
6.5 W
8W
10 W
适配器
1
6.5 W
7W
8W
10.5 W
峰值或
开放
FRAME
2
9W
11 W
13.5 W
17 W
LNK623PG/DG
LNK624PG/DG
LNK625PG/DG
LNK626PG/DG
描述
使用LinkSwitch - CV大大简化网络上课的低功率，恒
通过革命性的控制电压（ CV ）转换器的设计
技术，它消除了对两个光耦合器和
次级恒压控制电路，同时提供极为严格的输出
电压调节。专利的IC参数调整相结合，
和E盾变压器结构技术使
无钳位设计与使用LinkSwitch - CV LNK623 / 4 。
表1.输出功率表。基于5 V输出。
注意事项：
1.最小的持续输出功率是在典型的无风冷密闭适配器
在50 ° C的环境温度进行测量。
2.最大的实际持续输出功率是在敞开式设计及有足够
散热，在50 °C的环境测量（见主要应用
部分获取更多信息） 。
3.封装： P： DIP - 8C ， D： SO - 8C 。
使用LinkSwitch - CV提供了极好的交叉调整为MULTIPLE-
输出反激式应用，如DVD和机顶盒。一个700 V
功率MOSFET和开/关控制状态机，自偏置，
频率抖动，逐周期电流限制及迟滞
热关断电路都整合到一个芯片。
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2009年9月
LNK623-626
LinkSwitch-CV的功能描述
使用LinkSwitch - CV结合了高压功率MOSFET
开关与一个设备的电源控制器。像
使用LinkSwitch - LP和TinySwitch-III相似，它使用ON / OFF控制
调节输出电压。使用LinkSwitch - CV控制器
包括一个振荡器，反馈（检测及逻辑）电路， 6 V的
稳压器，超温保护，频率抖动，
限流电路，前沿消隐，和ON / OFF状态
机CV控制。
恒压（ CV）工作
该控制器调节反馈引脚的电压保持在
V
FBth
使用开/关状态机。反馈引脚
电压进行采样2.5
μs
关断的高电压的后
开关。在轻负载电流限制也减少到
降低变压器通量密度。
自动重启动和开环保护
中的一个故障的情况下，例如在输出短路或
开环情况下，LinkSwitch - CV会进入
如下所述的适当保护模式。
事件在反激期间反馈引脚电压
低于V
FBth
反馈引脚采样延迟之前0.3 V
(~2.5
μs)
对于超过200毫秒的持续时间（自动重启动导通
时间（t
AR -ON
）的转换器进入自动重启动，其中，
功率MOSFET是2.5秒（约8％的自动重启动禁用
占空比）。自动重启交替启用和禁用
功率MOSFET的开关，直到故障状态是
删除。
除了用于自动重启动的条件如上所述，如果
在向前期间检测到反馈引脚电流
导通周期（ “ON”时开关）低于120
μA,
该
转换器会将此作为一个开环的条件（上
电阻分压器开路或丢失），并降低了
从200毫秒自动重启的时间大约为6个时钟周期
(90
μs),
同时保持2.5秒的关闭时间。这
有效地降低了自动重启动占空比小于0.01％ 。
过温保护
热关断电路检测结的温度。该
阈值设置在142 ° C并具备60 °C的迟滞。当
管芯温度超过这个阈值（ 142 ℃）
功率MOSFET将被禁用，仍然禁止，直到模具
温度下降60℃ ，此时MOSFET导通时
重新启用。
电流限制
电流限制电路检测的电流的功率
MOSFET。当电流超过内部阈值
(I
极限
） ，功率MOSFET关断的那剩余
周期。前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于短暂时间（t
LEB
）后，功率MOSFET是
接通。前沿消隐时间已定，使
防止由电容和整流器器反向电流尖峰
恢复时间不会造成过早终止
MOSFET的导通。
6.0 V稳压器
6 V稳压器的旁路电容充电连接
旁路引脚至6 V通过绘制电流的电压
漏，每当MOSFET关断。旁路引脚是
内部供电电压节点。当MOSFET导通时，
器件使用存储在旁路电容的能量。
内部电路的极低功耗使
在使用LinkSwitch - CV ，不断从当前工作
从漏极引脚绘制。 1旁路电容值
μF
is
苏夫网络cient实现高频率的去耦及能量存储。
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英文内容09/09
LNK623-626
应用实例
L1
3.5 × 7.6 mm
铁氧体磁珠
1
R1
5.1 k
1/8 W
VR1
1N5272B
T1
EEL19
6
D8
UF4003
C9
47 F
25 V
D7 SB540
R8
24 k
1/8 W
12 V ， 0.1 A
3
C3
820 pF的
1千伏
7
D1
FR106
D2
FR106
L3
10 H
C10
470 F
10 V
R9
39 k
1/8 W
5 V ， 1.7 A
R7
510
1/8 W
RTN
11
8,9,10
R10
47
C13
270 pF的
C8
1000 F
10 V
C11
47 F
50 V
L
85
- 265
VAC
N
F1
3.15 A
C1
22 F
400 V
RT1
10
RV1
275 V
C2
22 F
400 V
R2
390
D5
1N4007
12
5
D9
UF4003
D6
1N4148
4
-22 V， 15毫安
2
D3
1N4007
D4
1N4007
D
使用LinkSwitch - CV
U1
LNK626PG
FB
BP
R3
6.34 k
1%
S
R4
6.2 k
C4
1 F
50 V
L2
680 uH容
R5
47 k
1/8 W
R6
4.02 k
C5
1%
680 pF的
50 V
C6
10 F
50 V
PI-5205-102208
图4中。
7 W（ 10瓦峰值）多路输出反激式转换器的DVD应用与初级检测的反馈。
电路描述
该电路CON组fi gured作为三个输出，初级侧
利用LNK626PG稳压反激式电源。它可以
提供连续7瓦和10瓦峰值（限热）从
通用输入电压范围（ 85 - 265 VAC ） 。英法fi效率是
在115 VAC / 230 VAC >67 ％和空载输入功率
<140毫瓦在230 VAC 。
输入滤波器
交流输入电源整流器通过D4编由二极管D1 。该
整流器编DC的网络过滤的由大容量电容C1和
C2 。电感器L1 ，L2， C1和C2组成一个π型滤波器，其
衰减差模传导EMI噪声。这
CON组fi guration与Power Integrations的变压器
E-盾
技术允许这样的设计能够满足EMI标准
EN55022 B类具有良好的利润率，而无需
Y电容。保险丝F1提供保护，防止灾难性的
失败。负温度COEF网络cient热敏电阻RT1限制
当AC被音响首先施加到下面的浪涌电流
二极管D1至D4的最大额定值。金属氧化物变阻器
RV1在差分线瞬变钳位AC输入，
保护输入组件和保持峰值
漏U1的电压低于700 V BV
DSS
投资评级。对于差
浪涌水平等于或低于2千伏该组件可被省略。
LNK626初级
LNK626PG器件（ U1 ）集成了功率开关
器件，振荡器， CV控制引擎，启动以及保护
功能。集成的700 V MOSFET，可提供大量流失
电压裕量在通用AC输入应用，增加
可靠性，也降低了输出二极管的电压应力
使用更大的变压器匝数比。该设备可以是
完全自供电的旁路引脚和去耦
电容C4 。在此设计的偏置电路（ D 6， C 6和R 4 ）为
添加减少低于140 mW的空载输入功率。
所述整流器版和网络连接过滤的输入电压被施加到一侧
初级绕组T1中。变压器的另一侧
初级绕组U1中集成的MOSFET驱动。该
漏感的漏极电压尖峰由夹紧不限
电路D5 ，R 1， R 2， C 3和VR1 。齐纳钳位出血
安排被选定为最低空载输入功率，但在
应用更高的空载输入功率是可以接受的
可以省去VR1和R1的值增大，以形成一个
RCD钳位。
输出整流器阳离子
变压器的次级由D7 ， D8和整流器版
D9 。肖特基势垒型用于主5 V输出
较高的EF网络效率。 +12 V和-22 V输出使用
超快整流器器二极管。主输出连接后通过过滤的L3
和C10以消除开关频率纹波。电阻R7 ，
R8和R9提供的预加载，以维持输出电压
它们各自的范围内，当卸载。为了减少高
振荡频率和相关的辐射EMI的RC缓冲器
由R10和C13形成跨D7加入。
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LNK623-626
输出调节
的LNK626调节使用开/关控制的输出，
允许或禁止基于所述采样开关周期
电压反馈引脚。的输出电压进行检测
使用所引用的初级绕组上的变压器T1的消除
需要一个光耦合器和一个次级读出电路。该
由R3和R6形成的电阻分压器将绕组电压
为U1 。标准的1 ％电阻值被用来居中
标称输出电压。电阻R5和C5降低脉冲
通过创建一个偏移电压，该电压正比于分组
连续开启开关周期数。
当为使用LinkSwitch - CV基于功率设计一个电路板
供应，遵循以下指导原则是非常重要的：
单点接地
使用时的负端子的单个点（Kelvin）连接
输入滤波器电容为使用LinkSwitch - CV源极引脚
偏置绕组的回路。这增强了浪涌功能，通过
返回电涌电流从偏置绕组直接
输入滤波器电容。
旁路电容
旁路引脚电容应尽可能靠近
可能的源极引脚和旁路引脚。
反馈电阻
直接的反馈引脚将反馈电阻
使用LinkSwitch - CV器件。这最大限度地减少噪声耦合。
散热注意事项
连接到源极引脚的铜面积提供
LinkSwitch-CV的散热器。根据经验估计的规则是，
使用LinkSwitch - CV将耗散的功率输出的10％ 。提供
足够大的覆铜面积，以保持低于源极引脚温度
110℃的一部分提供保证金R部分
DS （ ON）
变化。
次级环路面积
为了最大限度地减少漏感和EMI ，环路的面积
连接次级绕组，输出二极管和
输出滤波器电容应尽量减少。此外，
苏夫网络cient铜面积应在阳极提供，
二极管的散热阴极端子。更大的区域是
最好在安静的阴极端子。大阳极面积
增加高频辐射EMI。
静电放电火花隙
在充电器和适配器静电放电可能会被应用到
该电源的输出。在这些应用中，增加了一个
火花间隙的建议。一丝丝放在沿
隔离阻挡层，以形成火花隙的一个电极。另
电极，在次级侧上，由输出返回形成
节点。安排引导ESD能量从二级
到初级侧的交流输入。 10万的差距被放置在靠近
交流输入。间隙分离出来拿起火花任何噪音
间隙跟踪到AC输入。从交流电源输入到跟踪
火花间隙电极应与其它引线隔开
防止不必要的电弧以及可能的电路
损害。
主要应用
输出功率表
数据手册中最大输出功率表（表1 ）
代表的实际最大连续输出功率
可在反激转换器在得到平
以下假设条件：
1.最小直流输入电压为100 V或更高，在90 VAC
输入。输入电容的值要大
足以满足这些标准适用于交流输入电压的要求。
5 V 2.继发性输出的肖特基整流器器二极管。
80 ％3.假设外汇基金fi效率。
4.连续导通模式（K
P
= 0.4).
5.重新FL ected输出电压（V
OR
） 110 V.
6.部分板上通过源极引脚焊接到
铜SUF网络cient面积以使源极引脚温度
TURE在等于或低于110 ℃的P包100℃程序D
封装器件。
50 ℃的开放式架构设计7.环境温度和
60 ℃的适配器的壳体内温度
设计。
注：更高的输出功率是可以实现的，如果英法fi效率是
高于80％ ，典型地为高输出电压的设计。
旁路引脚电容
A 1
μF
旁路引脚电容（ C4 ）的建议。该
电容器的额定电压应等于或大于
6.8 V.电容的介电材料是不重要的。该
电容的物理位置必须靠近
使用LinkSwitch - CV旁路引脚。
电路板布局
使用LinkSwitch - CV是一个高度集成的电源解决方案
集成在一个芯片上，在控制器和高
电压MOSFET。高开关电流的存在，并
电压以及模拟信号显得格外
重要的是要遵循良好的PCB设计实践，以确保稳定
和麻烦的电源的运行。
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