LNK362-364
使用LinkSwitch -XT
家庭
能源外汇基金fi cient ，低功耗
离线式开关IC
产品亮点
优化的系统成本最低
专有的IC修剪和变压器建设
技术使
无钳位
与LNK362设计
为降低系统成本，元件数量和较高
EF网络效率
完全集成的自动重启动短路和
开环保护
自偏置电源 - 节省变压器辅助绕组
和相关的偏置电源组件
频率抖动功能极大地降低了EMI
符合漏极之间，高压爬电要求
所有其他引脚无论在PCB板上还是在封装
最低的元件数转换器解决方案
具有卓越的线性/ RCC
精确的迟滞热关断保护 -
自动恢复提高
场的可靠性
通用输入范围可在全世界运行
简单的开/关控制，无需环路补偿所需
无需偏置绕组 - 更简单，成本更低
变压器
元件数目很少 - 更高的可靠性和单
侧的印刷电路板
自动重启动时降低输出功率95 ％
短路及开环故障情况
高带宽提供快速的开启，无过冲
和出色的瞬态负载响应
EcoSmart节能
- 极其能源-EF网络cient
轻松满足全球所有能源EF网络效率与法规
无添加成分
空载功耗
<300
毫瓦无偏置绕组时
265 VAC输入（ <50毫瓦与偏置绕组）
ON / OFF控制提供恒定的英法fi效率非常
轻载时 - 适用于强制性CEC标准
+
DC
产量
+
广泛
高压直流输入
使用LinkSwitch -XT
LNK362
D
FB
BP
S
A）无钳位
反激式转换器与LNK362
PI-4086-081005
+
DC
产量
+
广泛
高压直流输入
使用LinkSwitch -XT
LNK363-364
D
FB
BP
S
B）反激式转换器， LNK363 / 4
PI-4061-081005
图1.典型应用有使用LinkSwitch -XT 。
输出功率表
(4)
230 VAC± 15 ％
85-265 VAC
产品
(3)
LNK362P/G/D
LNK363P/G/D
LNK364P/G/D
适配器
(1)
2.8 W
5W
5.5 W
开放
开放
适配器
(1)
FRAME
(2)
FRAME
(2)
2.8 W
7.5 W
9W
2.6 W
3.7 W
4W
2.6 W
4.7 W
6W
表1.输出功率表。
注意事项：
1.最小的持续输出功率是在典型的无风冷密闭
测定在50 ℃的环境适配器。
2.最小实际连续输出功率是在敞开式设计
有足够的散热，测得在50 °C的环境。
3.封装： P： DIP - 8B ，G ： SMD - 8B ， D： SO - 8C 。请参阅第
订购信息。
4.请参阅完整的描述主要应用部分
的假设。
应用
充电器/适配器手机/无绳电话， PDA，数码
相机，MP3 /便携式音频播放器，和电动剃须刀
电器，工业系统和计量
描述
使用LinkSwitch -XT
集成了一个700 V功率MOSFET ，振荡器，
简单的开/关控制方案中，一个高压开关电流
源，频率抖动，逐周期电流限制，
热关断电路集成在一个单片IC上。启动
和操作电源直接由漏极衍生
销，省去偏置绕组和相关联的
电路。
2008年11月
LNK362-364
使用LinkSwitch -XT
功能说明
使用LinkSwitch -XT
结合了高电压功率MOSFET
开关与一个设备的电源控制器。与
传统的PWM （脉冲宽度调制）控制器，一个
简单的ON / OFF控制来调节输出电压。该
控制器包括一个振荡器，反馈（检测及逻辑）
电路， 5.8 V稳压器，旁路引脚欠压电路，
超温保护，频率抖动，电流限制
电路及前沿消隐集成了一个700 V
功率MOSFET 。该
使用LinkSwitch -XT
采用附加
电路自动重启。
振荡器
典型的振荡器频率内部设置为平均
132千赫。从振荡器产生两个信号：
最大占空比信号（ DC
最大
）和时钟信号，即
表示每个循环的开始。
该振荡器电路可产生轻微
频率抖动量，通常为9 kHz的峰 - 峰值，
最大限度地减少EMI辐射。的调制速率
抖动频率设置为1.5 kHz的优化降低EMI
平均及准峰值。频率
抖动应该在触发示波器进行测量
漏极电压波形的下降沿。在波形
图4示出的频率抖动。
反馈输入电路
在FB引脚的反馈输入电路由一个低
阻抗源极跟随器的输出设置为1.65 V为LNK362
和1.63 V为LNK363 / 364 。当电流输送到
该引脚超过49
μA,
一个低逻辑电平（禁止）被产生
在反馈电路的输出。这个输出进行采样
在每个周期上的时钟的上升沿的开始
信号。如果高，功率MOSFET导通时的那个周期
（启用） ，否则功率MOSFET保持关闭状态（禁止） 。
由于取样仅在每个周期的开始时进行，
期间，在FB引脚电压或电流的后续变化
周期的剩余部分将被忽略。
5.8 V稳压器及6.3 V分流电压钳位
5.8 V稳压器的旁路电容充电连接
旁路引脚为5.8 V通过绘制电流的电压
大江东去，只要MOSFET关断。旁路引脚是
内部供电电压节点。当MOSFET导通时，
使用LinkSwitch -XT
使用存储在旁路电容的能量。
内部电路的极低功耗使
该装置连续地从当前由绘制操作
漏极引脚。 0.1的旁路电容
μF
是苏夫网络cient
实现高频率的去耦及能量存储。
此外，还有一个6.3 V的分流稳压器夹紧
旁路引脚在6.3 V时的电流提供给旁路
引脚通过一个外部电阻器。这有利于供电
外部的偏置绕组以减小设备
空载功耗低于50毫瓦。
旁路引脚欠压
旁路引脚欠压电路将禁用电源
当MOSFET旁路引脚电压低于4.8 V.
一旦旁路引脚电压低于4.8 V时，它必须涨
回5.8 V至使能（开启）功率MOSFET 。
过温保护
热关断电路检测结的温度。
将阈值设定在142
°C
典型的有75
°C
滞后。
当芯片温度超过这个阈值（ 142
°C)
该
功率MOSFET将被禁用，仍然禁止，直到模具
温度下降75
°C,
此时它被重新启用。
电流限制
电流限制电路检测功率MOSFET的电流。
当电流超过内部阈值（I
极限
），则
功率MOSFET关断的那个周期的剩余部分。
前沿消隐电路，抑制电流限制
比较器，用于短暂时间（t
LEB
）功率MOSFET后
被接通。前沿消隐时间已设定
防止由电容和整流器呃反向电流尖峰
恢复时间不会造成过早终止
开关脉冲。
自动重启
中的一个故障的情况下，如输出过载，输出
短路或开环情况下，
使用LinkSwitch -XT
进入
进入自动重启动操作。内部计数器的时钟
振荡器得到复位每次FB引脚拉高时。如果
FB引脚未被拉高约40毫秒，功率
MOSFET开关被禁止800毫秒。自动重启动
交替启用和禁用电源开关
MOSFET ，直到故障排除为止。
PI-4047-110205
600
500
400
300
200
100
0
136.5千赫
127.5千赫
V
漏
0
5
10
时间（μs ）
图4.频率抖动。
2-3
3
英文内容11/08
LNK362-364
CY1
100 pF的
250 V交流
L1
1毫亨
T1
EE16 9
C4
330
μF
16 V
D5
1N4934
8
NC数控
D1
1N4005
D2
1N4005
R1
3.9 k
1/8 W
VR1
BZX79-
B5V1
5.1 V, 2%
R2
390
Ω
1/8 W
J4
6.2 V,
322毫安
J3
4
5
3
J1
RF1
8.2
Ω
2.5 W
85-265
VRMS
C1
3.3
μF
400 V
C2
3.3
μF
400 V
J2
使用LinkSwitch -XT
U1
LNK362P
D3
1N4005
D4
1N4005
D
FB
BP
U2
PC817A
R3
1k
1/8 W
S
L2
1毫亨
C3
100 nF的
50 V
PI-4162-110205
图5. 2 W通用输入CV适配器使用LNK362 。
应用实例
一个2 W CV适配器
在图5所示的示意图是一个典型的实施
通用输入， 6.2 V
±7%,
使用LNK362 322毫安适配器。
这个电路利用了
无钳位
技术，以消除
初级钳位元件，降低了成本和复杂性
电路。
该
EcoSmart节能
功能内置到
使用LinkSwitch -XT
家庭
允许这样的设计可以轻松满足所有当前和建议
能源EF网络效率标准，包括强制性加州
能源委员会（ CEC ）的平均工作要求
EF网络效率。
AC输入整流器编由D1到D4和
由散装过滤的
存储电容器C1和C2 。电阻RF1是
ameproof ，
可熔，绕线式和用作保险丝，浪涌电流
与限幅器，并联手
π
滤波器由C1，C2 ，L1可形成
和L2 ，差模噪声衰减。电阻R1衰减
振铃引起的L1和L2。
这个简单的输入级，连同的频率抖动
使用LinkSwitch -XT ，
较低的值Y1电容和PI的
E- Shield可
在T1绕组，使设计满足传导
和辐射EMI规范
>10
dBμV的裕量。低值
的，以满足非常低的要求CY1是重要
接触电流（行频电流
通过OWS
CY1 ）经常特定网络连接编为适配器，在这种情况下
<10 μA 。
2-4
4
4
英文内容11/08
该整流器和ED
过滤的输入电压被施加到初级
绕组T1 。初级的另一侧是由驱动
集成MOSFET的U1 。没有主钳需要的
低价值和LNK362内部电流的紧公差
限制使变压器初级绕组电容
提供漏感引起的漏极足够的夹紧
电压尖峰。
二次的
反激式变压器T1是整流器由D5版，
一种低成本，快速恢复二极管，和
由C4 ，低ESR过滤的
电容。横跨VR1 ，R2和合并的电压降的
U2的LED来确定输出电压。当输出
电压超过这个水平，电流会
流过LED
的U2 。作为LED的电流增加，电流供给到
U1的反馈引脚增大，直至关断阈值
电流（ 49
μA)
到达，禁止开关周期
的U1 。在满负载时，几乎所有的开关周期都将被启用，
而在极轻负载时，几乎所有的开关周期会
残疾人，给予较低的有效频率，并提供高
轻载EF网络效率和低的空载功耗。
电阻R3提供1毫安通过VR1来偏置稳压
接近其测试电流。电阻R2使输出电压
进行调整，以补偿设计中的值
齐纳可能不理想，因为它们仅在离散的可
额定电压。供更高的输出精度，齐纳可
与基准集成电路比如TL431的替换。
LNK362-364
该
使用LinkSwitch -XT
完全自供电的漏极
销，只需要一个小的陶瓷电容C3连接到
旁路引脚。无需辅助绕组变压器
所需。
2.如果设计的P
O
≤
2瓦，两层主应
用来确保足够的初级匝间电容
在25 pF到50 pF的范围内。
3.如果设计的2
＆ LT ;
P
O
≤
2.5 W，一个偏置绕组应
加入到使用标准恢复整流器器变压器
二极管作为钳位。这个偏置绕组，也可以使用
通过连接一个电阻在外部供电设备
偏置绕组电容旁路引脚。这抑制
内部高压电流源，降低了器件
功耗和空载功耗。
4.如果设计的P
O
＆ GT ;
2.5 W
无钳位
设计是不
实用和外部RCD或齐纳二极管钳位应
使用。
5.确保在最差情况下的高线，峰值漏极电压低于
在BV
DSS
内部MOSFET和理想的特定网络阳离子
≤
650 V至为设计留有裕变化。
对于只有110 VAC输入的设计，也有可能延长
的功率范围
无钳位
设计以包括LNK363 。
然而，增加的漏电振荡可能会损害EMI
性能。
**V
OR
是次级输出加上输出二极管的正向电压
降是重新FL ected通过的匝数比初级
在二极管导通时间的变压器。在V
OR
ADDS
到DC总线电压和漏感尖峰，以确定
峰值漏极电压。
可听噪声
操作中使用的周期跳跃模式
使用LinkSwitch -XT
能变压器产生的音频的频率分量。
为了抑制噪音的产生，应将变压器
被设计成使得所述峰芯
磁通密度低于
1500高斯（ 150 mT的） 。采用此方法，并使用
浸上漆的标准的变压器生产技术
能够消除噪音。真空浸渍
变压器不应由于用于高主
电容和导致损失增加。更高
磁通密度
是可听噪声的可能，但是仔细评估
性能应使用生产变压器进行
批准设计之前的样品。
使用介质的陶瓷电容，如Z5U ，当
在钳位电路中使用也可能会产生音频噪声。如果这是
的情况下，尝试用一个电容具有不同取而代之
介质材料或结构，例如一
LM型。
使用LinkSwitch -XT
布局的注意事项
参见图6为推荐电路板布局
使用LinkSwitch -XT
（P & G封装） 。
单点接地
使用从输入单点接地连接
滤波电容
铜的连接源极引脚的区域。
2-5
5
英文内容11/08
主要应用
使用LinkSwitch -XT
设计注意事项
输出功率表
数据手册中最大输出功率表（表1 ）代表
实际最大连续输出功率电平，可以
以下假设条件下得出：
1.最小直流输入电压为90 V或更高的85 VAC
输入或240伏或230 VAC输入或115 VAC高
用倍压。输入电容的值
应该足够大，以满足这些标准的AC输入
设计。
6 V的2次输出与快速PN整流器器二极管。
70 ％3.假设外汇基金fi效率。
4.电压只有输出（无次级恒流
电路） 。
5.非连续模式操作（K
P
>1).
6.初级钳位（ RCD或齐纳二极管）被使用。
7.部分板上通过源极引脚焊接
铜的SUF网络cient面积以使源极引脚
温度等于或低于100℃。
50 ℃的开放式架构设计8.环境温度
和60 ℃的适配器的壳体内温度
设计。
低于1 ，K值
P
是纹波比峰值小学
电流。上述的1，K的值
P
是主MOSFET的比率
关闭时间与次级二极管导通时间。由于
该
如下所述磁通密度的要求，典型的是
使用LinkSwitch -XT
设计将是不连续的，其中也有
（而不是超快速） ，允许更低的成本快速的好处科幻TS
输出二极管和降低EMI 。
无钳位
设计
无钳位
设计完全依赖漏极节点电容
限制引起的峰值漏极至源极的漏感
电压。因此，最大的交流输入线电压，所述
V的价值
OR
，漏感能量的函数
漏电感和初级峰值电流，并且在主
绕组电容决定了峰值漏极电压。没有
显着的功率耗散元件，为的是与案件
外部钳位，漏感的持续时间较长
铃声可以增加EMI。
建议采取以下要求的通用
只有输入或230 VAC
无钳位
设计：
1. A
无钳位
设计应仅用于P
O
≤
2.5 W,
使用LNK362
之间的V型
OR
**
≤
90 V.
QQ：2881677436 复制
