深圳市钲铭科电子有限公司
GOSTON ELECTRONICS CO 。 , LTD。
3W
原边恒压/恒流控制器
LNK303P
v1.3
LNK303P
特点
½电压
85Vac~265Vac
输入
待机功耗小于
120mW@220Vac
集成高压启动电路
集成高压功率开关
全电压范围内,恒压精度小于
± 3%,恒流精度小于± 3%
原边反馈控制技术可½系统节省
光耦、431 等元件
内½原边绕组感量补偿
内½输出线压降补偿
内½前沿消隐电路(LEB)
逐周期峰值电流比较
内½
VDD
欠压保护, VDD过压保
护及
VDD
电压嵌½等功½
封装½式:SOP8
SOP8
概述
LNK303P
是应用于离线式小功率
交流/直流
开关电源的高性½原边反馈
控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出,
精度均小于±
3%,并可½系统节省光耦和 TL431
等元件,降½成本。
芯片内部集成了高压功率开关,逐周期峰值电流限制, VDD过压
保护、VDD 欠压保护、VDD 电压钳½等完善的保护功½,以提高系统
的可靠性。
管脚图
输出功率表
输入电压
输出功率
85Vac
½
265Vac
3W
180Vac
½
265Vac
5W
应用领域
LED
照明驱动
手机/无绳电话、
S
、
PAD
数码相机、
MP3
等产品的充电器,适配器
小功率电源适配器
电脑、电视等产品的辅助电源或
待机电源
LNK303P
1
2
3
4
CS
FB
COMP
HVDD
漏
漏
GND
GND
8
7
6
5
典型应用
AC
EMI
滤波器
输出特性曲线
Vo
±
3%
±
3%
Io
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内部功½简单框图
漏
3W
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HVDD
UVLO
Regulaotr
&Reference
CC
调节器
抖动
(可选)
逻辑
gatedriver
OSC
软启动
FB
采样器
2V
采样器
调节器
EA
PWM
调节器
OCP
LEB
损失
赔偿金
COMP
GND
CS
封装示意图
CS 1
FB 2
COMP 3
HVDD 4
8漏极
SOP8
7漏极
6 GND
5 GND
管脚说明
名称
漏
CS
FB
COMP
VDD
GND
管脚序号
7、8
1
2
3
4
5、6
功½说明
内½高压
MOS
管的
漏,同时芯片启动时,也做芯片的启动
电流检测输入
反馈输入,反映系统的输出电压, PWM占空比变化取决于
FB
误差放大和
SENSE
脚的输入电压
恒压环路补偿管脚
芯片电源
芯片地
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极限参数
(
极限参数( TA =
25℃)
符号
V
DS ( MAX)
VDD
国际直拨电话
钳
V
FB
V
COMP
V
CS
T
A
T
英镑
V
ESD
R
θJA
说明
芯片
漏
脚最高耐压
芯片工½电压
芯片钳½电流
FB
输入电压
COMP
输入电压
CS
输入电压
工½温度
存储温度
人½放电模式
热阻
范围
-0.3~730
-0.3~34.0
10.0
-0.3~7.0
-0.3~7.0
-0.3~7.0
-20~85
-40~150
单½
V
V
mA
V
V
V
℃
℃
V
65
℃
/W
3W
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>
4000
SOP8
电气工½参数
(除非特殊说明,下列条件均为
T
A
=25℃)
符号
芯片
VDD
工½部分
I
DDSTART
I
DDOP
V
DDoff
V
DDon
V
DDclamp
V
DDOVP
CS
电流检测测输入部分
T
LEB
Vth_oc
T- SS
频率部分
Freq_Nom
Freq_startup
ΔF /频率
FB
误差放大器部分
V
REF_EA
I
COMP_MAX
功率管部分
BVDS
RDSON
MOS
击穿电压
MOSFET
导通电阻
730
-
--
30
-
-
V
Ω
EA
参考电压
最大补偿电流
FB=2V,COMP=0V
1.97
-
2.00
42
2.03
-
V
μA
开关频率
待机频率
抖频范围
FB=0V,COMP=5V
-
-
-
63
18
4
-
-
-
千赫
千赫
%
LEB
时间
过流阈值
½启动时间
-
870
-
500
900
10
-
930
-
ns
mV
ms
启动充电电流
工½电流
VDD
关闭电压
VDD
启动电压
VDD
钳½电压
VDD
过压保护电压
I
DD
=5mA
VDD=5V
FB=2V,CS=0V,VDD=20V
-
-
7.0
13.5
-
-
200
1.5
8.0
14.5
34
32
-
-
9.0
16.0
-
-
μA
mA
V
V
V
V
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单½
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功½表述
LNK303P
芯片是应用于离线式小功率
交流/直流
开关电源的高性½原边反馈控制功率开关芯片,全电压输入范
LNK303P
芯片通过原边采样的方式来控制系统的输出,
围内,
恒压恒流输出精度均小于±
3%。
内部集成高压工艺,
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节省光耦和
TL431
等元件。内部集成了
VDD
过压保护,VDD 电压钳½和欠压保护等功½。
启动控制
LNK303P
芯片内部集成高压功率开关,通过高压启动,省掉传统电路的外部启动电阻,极大的降½了待机
功耗。
工½原理
LNK303P
芯片要实现原边高精度的恒流/恒压控制,反激电源应用系统必须工½在不连续模式(DCM)下。芯片
通过检测辅助绕组的电压,来控制输出电压。输出电流仅由变压器的匝比及峰值电流控制:
Io
½
1 / 4
N
I
P
注:木卫一为输出电流; N为变压器匝比;
为½换效率
辅助绕组电压值反映了系统的输出电压,其关系可表示为:
(1)
V
A
=
N
A
×
(
V
o
+ V
D
)
N
S
(2)
其中
V
D
是输出二极管的向压降,V
A
为辅助绕组电压,N
A
为辅助绕组匝数,N
S
为输出绕组匝数。系统将
辅助绕组的电压通过一个电阻分压电路,输入到芯片的反馈端
FB ,芯片采样辅助绕组消磁时的电压,并将采
样的电压值一直保持到下一次采样。每次采样得到的电压会和芯片内部的基准电压
V
REF
进行比较,得到放大的
误差信号。从而½误差放大器的输出脚
COMP
反映了负½½情况,并且通过误差信号控制
PWM
的开关频率从而
调整输出电压,½得输出电压保持恒定。
½采样电压½于
V
REF
时,误差放大器的输出电压
V
COMP
会达到最大值,开关频率由反馈采样电压控制,通过
输出电压来调整输出电流,从而获得稳定恒流电流。
恒流电流和输出功率调整
LNK303P
芯片的恒流点和最大输出功率可以通过在
CS
脚外接的电流检测电阻来调整,
而输出功率随恒流点
变化而变化。½检测电阻增大,恒流点就会减小,输出功率就会降½,反之则相反。
工½频率
LNK303P
芯片开关频率由负½½大小来控制,不需要外接频率设½元件。在最大输出功率时,开关频率由芯
片内部限制到
60KHz。在不连续模式的反激电源中,最大输出功率为:
1
2
宝= ×L
P
× F
SW
× I
P
2
(3)
其中
L
P
为原边绕组电感量,I
P
为原边绕组峰值电流。由公式
3
可知,原边绕组电感量的改变会导致最大输
出功率和恒流模式下输出的恒流电流的变化。为了补偿原边电感量变化,芯片内部环路将开关频锁定,锁定
的开关频率可表示为:
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F
SW
=
1
2 × T
德马格
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(4)
因为消磁时间
T
德马格
和电感量成反比, 通过频率锁定,L
P
和
F
SW
的乘积保持不变。所以最大输出功率和恒
LNK303P
芯片½最大补偿电感量±
10%的变化。
流模式下的恒流电流不会随原边电感量变化。
抖频
LNK303P
芯片提供可选择的抖频功½模块,客户可以根据自身需求选用带有抖频功½的芯片还是不带有抖
频功½的,默认是不带抖频功½的。
电流检测和
LEB
从而实现对变压器原边电流控
LNK303P
芯片通过
CS
端检测外½检测电阻上的电压控制功率开关管的动½,
制,提供逐周期峰值电流限制。开关电流通过外接的检测电阻输入芯片
CS
脚。
为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰,内½前沿消隐电路,避免芯片在功率管开启瞬间
产生误动½,这样就可以省去外围
RC
滤波电路,节约系统成本。
保护控制
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芯片完善的各种保护功½提高了电源系统的可靠性,包括:逐周期峰值电流限制,VDD 欠压保护,
VDD
过压保护,VDD 钳½,½启动控制等。
VDD
欠压保护电路提供了
VDD
上电复½和欠压保护功½,
芯片正常工½时,
由变压器辅助绕组给芯片提供
½量,½得
VDD
端电压高于
VDD
关闭电压。如果
VDD
电压下降到
VDD
关闭电压时,芯片启动欠压保护功½½
得系统进入重启过程。
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