–
TE
LNE150
唯一
- OB
初步
N沟道增强模式
DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
500V
R
DS （ ON）
（最大）
1.0K
I
D（上）
（分钟）
3.0mA
订单号码/套餐
TO-236AB*
LNE150K1
DIE
LNE150ND
产品标识为TO- 236AB ：
NEE
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
7
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
先进的DMOS技术
这个低阈值的增强模式（常关），晶体管
采用了先进的DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高阻抗和正温度系数
固有的MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和thermally-
诱发二次击穿。
Supertex公司的DMOS场效应管非常适用于广泛的
开关和放大应用高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
来源
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
-0.7V至+ 10V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
漏
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
7-21
LNE150
热特性
包
TO-236AB
I
D
（连续） *
3mA
I
D
（脉冲的）
20mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
θ
jc
°
C / W
200
θ
a
°
C / W
350
I
DR
3mA
I
DRM
20mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
–O
电气特性
符号
BV
DSS
BV
GSS
V
SG
I
SG
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
V
SD
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
TE -
OLE
BS
民
500
10
0.7
3
0.6
2.5
-4.5
50
100
3
1.0
1.1
12
2
0.8
10
10
1.8
V
ns
V
GS
= 0V至5V ，R
根
= 100,
V
DD
= 1.0V ，R
负载
= 200
V
GS
= 0V时，我
SD
= 3.0毫安
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
V
毫伏/°C的
nA
nA
mA
K
%/°C
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100A
I
GS
= 100A
I
SG
= 100A
V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= +5.0V, V
DS
= 0V
V
GS
=0V, V
DS
= 500V
V
GS
= 5.0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 500A
V
GS
= 0V时，我
D
= 500A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
f=1.0MHz
（ 25°C ，除非另有规定）
栅极至源极二极管击穿电压
源到门二极管的正向压降
源到门连续二极管电流
静态漏 - 源极导通电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向压降
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
5V
90%
输入
0V
R
L
脉冲
发电机
R
根
产量
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
D.U.T.
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
7-22
QQ：2881677436 复制
