LND150
N沟道耗尽型模式
MOSFET
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
500V
R
DS （ ON）
（最大）
1.0K
I
DSS
（分钟）
1.0mA
订单号码/套餐
TO-92
LND150N3
TO-243AA*
LND150N8
DIE
LND150ND
产品标识为TO- 243AA ：
LN1E
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
特点
ESD保护门
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和低C
国际空间站
先进的DMOS技术
该LND1是一个高电压N沟道耗尽模式（ normally-
上）晶体管采用Supertex公司的横向DMOS技术。该
门的ESD保护。
该LND1非常适合在以下领域的高电压应用
常开开关，高精度恒流源，电压
年龄斜坡生成和放大。
封装选项
应用
固态继电器
常通开关
转换器
电源电路
恒流源
输入保护电路
S
G
S
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-243AA
(SOT-89)
SGD
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
12/13/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
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LND150
热特性
包
TO-92
TO-243AA
I
D
（连续） *
30mA
30mA
I
D
（脉冲的）
30mA
30mA
功耗
@T
A
= 25
°
C
0.74W
1.6W
θ
jc
°
C / W
125
31
θ
ja
°
C / W
170
105
I
DR
30mA
30mA
I
DRM
*
30mA
30mA
* I
D
（续）由最大限制额定牛逼
f
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
民
500
-1.0
-3.0
5.0
100
100
100
I
DSS
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源极导通电阻
1.0
850
3.0
1000
1.2
1.0
2.0
7.5
2.0
0.5
0.09
0.45
0.1
1.3
0.9
200
V
ns
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1.0毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1.0毫安
s
V
DD
= 25V ，我
D
= 1.0毫安，
R
根
= 25
10
3.5
1.0
pF
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
nA
A
mA
%/°C
m
条件
V
GS
= -10V ，我
D
= 1.0毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 100nA的
V
DS
= 25V ，我
D
= 100nA的
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= -10V, V
DS
= 450V
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.8V最大额定值
T
A
=125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
- 0.5毫安
V
GS
= 0V时，我
D
- 0.5毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS （ OFF ）
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
R
DS （ ON）
变化的RDS （ ON）与温度
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
90%
10%
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
R
根
V
DD
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
LND150
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.4
1.1
I
D
与
来源
I
D
↓
LND1
R
来源
V
GS
= -5V
1.2
25°C
BV
DSS
（归一化）
1.0
125°C
I
D
（毫安）
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
0.9
-50
0
50
100
150
0.0
10
100
1K
10K
100K
T
j
(°C)
传输特性
10
R
来源
（欧姆）
V
GS （ OFF ）
和R
DS
随温度的变化
1.8
2.0
V
DS
= 400V
1.6
V
GS （ OFF ）
（归一化）
I
D
（毫安）
T
A
= 25°C
5
1.6
T
A
= 125°C
1.4
1.2
1.2
0.8
1.0
V
GS （ OFF ）
@为100nA
0.4
0
0.8
-1
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
10
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
V
GS
= -10V
C
国际空间站
8.7pF
5
C（皮法）
V
GS
（伏）
V
DS
= 20V
40V
60V
5
0
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
-5
0
0.1
0.2
0.3
V
DS
（伏）
Q
C
（ nanocoulombs ）
12/13/010
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4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
T
A
= -55°C
R
DS （ ON）
@ I
D
= 1毫安
QQ：2880707522 复制
