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首字符L的型号第274页
> LN55
红外发光二极管
LN55
砷化镓红外发光二极管
单位:mm
对于光控系统
特点
高功率输出,高效率:P
O
= 3.5毫瓦(典型值)。
适合与硅光检测器使用
红外发光接近单色光:
λ
P
= 950纳米(典型值)。
高速调制能力
4.5±0.3
12.8分钟。
10.0分钟。
2.8
1.8
1.0
4.8±0.3
2.4 2.4
2-0.98±0.2
2-0.45±0.15
0.45±0.15
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
功耗
正向工作电流(DC)的
脉冲正向电流
反向电压(DC)的
工作环境温度
储存温度
*
符号
P
D
I
F
I
FP *
V
R
T
OPR
T
英镑
评级
75
50
1
3
-25至+85
-30到+100
单位
mW
mA
A
V
C
C
1
R1.75
2.54
没有焊接
3.5±0.2
4.2±0.3
2.3 1.9
1.2
2
1 :阴极
2 :阳极
F = 100Hz时,占空比= 0.1 %
光电特性
( TA = 25°C )
参数
辐射功率
峰值发射波长
光谱半峰宽
正向电压( DC)的
反向电流( DC )
引脚之间的电容
半功率角
符号
P
O
λ
P
λ
V
F
I
R
C
t
θ
条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 3V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
在其中辐射intencity是50%的角
民
1.8
典型值
3.5
950
50
最大
单位
mW
nm
nm
1.5
10
50
35
V
A
pF
度。
I
F
- TA
60
10
2
I
FP
- 占空比
80
TA = 25°C
70
I
F
— V
F
TA = 25°C
I
F
(MA )
I
FP
(A)
50
I
F
(MA )
正向电流
10
–1
1
10
10
2
10
60
50
40
30
20
10
容许正向电流
40
脉冲正向电流
1
30
10
–1
20
10
10
–2
0
– 25
0
20
40
60
80
100
10
–3
10
–2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
周围温度Ta ( ℃)
占空比( % )
正向电压V
F
(V)
1
红外发光二极管
LN55
I
FP
— V
F
10
4
t
w
= 10s
占空比= 0.1 %
TA = 25°C
120
P
O
— I
F
10
4
TA = 25°C
100
P
O
— I
FP
脉冲正向电流I
FP
(MA )
相对辐射功率
P
O
相对辐射功率
P
O
10
3
10
3
(1)
80
10
2
60
10
2
(2)
(3)
(4)
(5)
10
40
10
1
20
10
–1
0
1
2
3
4
5
0
0
10
20
30
40
50
60
1
10
t
w
= 10s
(1) F = 100Hz的
(2)F = 21kHz
(3) F = 42kHz
( 4 ) F = 60kHz的
(5)的直流
TA = 25°C
10
2
10
3
10
4
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电流
I
FP
(MA )
V
F
- TA
1.6
10
3
P
O
- TA
1000
I
F
= 50毫安
λ
P
- TA
I
F
= 50毫安
峰值发射波长
λ
P
(纳米)
0
40
80
120
正向电压V
F
(V)
1.2
I
F
= 50毫安
10mA
相对辐射功率
P
O
980
10
2
960
0.8
940
10
0.4
920
0
– 40
0
40
80
120
1
– 40
900
– 40
0
40
80
120
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
光谱特性
100
指向特性
0
100
10
20
10
2
频率特性
TA = 25°C
相对辐射强度( % )
80
80
70
相对辐射强度( % )
90
30
10
60
60
50
40
40
50
60
70
80
90
调制输出
1
40
30
20
10
–1
20
0
860
900
940
980
1020 1060 1100
10
–2
1
10
10
2
10
3
波长
λ
(纳米)
频率
F(千赫)
2
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LN55
PDF信息
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LF-320KB
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LTC3410ESC6-1.875
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