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芯美电子
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
双2.1W音频放大器
再加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
概述
该LM4888是双桥式连接的音频功率放大器,其在连接到5V
供应,将提供2.1W至4Ω负载(注1)或2.4W至3Ω负载(注2)低于1.0 %
THD + N 。
用户可选择“ 3D增强”模式,提供了增强的立体成像。
该LM4888SQ也有两个独立的HP (耳机)使能输入,每一个具有不同
逻辑电平阈值。无论是惠普的使能输入激活的单端耳机模式和
关断BTL输出模式。惠普Sense输入是一个普通的立体声耳机使用
插孔。剩下的输入, HP逻辑,接受标准逻辑电平阈值。
的Boomer音频功率放大器是专为提供高品质的输出
从表面贴装功率封装,而只需很少的外部组件。为了简化
音响系统设计, LM4888SQ结合双桥扬声器放大器和立体声
耳机放大器在一个芯片上。
该LM4888SQ具有低功耗关断模式和热关断
保护。它还采用了电路,以降低在设备开启“杂音” 。
关键的特定连接的阳离子
P
O
在1% THD + N & VDD = 5V
R
L
=3
R
L
=4
R
L
=8
单端模式THD + N为75mW功率为32
(5V,1kHz)
关断电流
电源电压范围
PSRR在f
IN
=217HZ
2.4W(typ.)
2.1W(typ.)
1.3W(typ.)
0.01%(typ.)
0.04uA(typ.)
2.7V~5V
85dB(typ.)
特点
全国3D增强
可选的耳机能模式
立体声耳机放大器模式
改进后的“咔嗒”声抑制电路
热关断保护电路
PCB板面积节省SQ包
微功耗关断模式
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应用
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
手机
多媒体显示器
便携式和台式计算机
便携式音频系统
连接图
顶视图
XXYY
为芯片封装批号
订单号: LN4888
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典型用途
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
功耗
储存温度
结温
ESD敏感性
TSTG
符号
VDD
VIN
价值
-0.3—6.0
-0.3—VDD+0.3
内部限制
-65—150
-150
2000
V
单位
V
V
工作额定值
温度范围
最低气温
TA
TMAX
电源电压
40°C ≤
TA
85°C
2.2V
VDD
5.5V
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( VDD = 5V
符号
双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
电气特性( 5V )
除非另有规定。参数适用于TA = 25°C )。
参数
电源电压
静态功耗
电源电流
关断电流
耳机检测
高输入电压
耳机检测低
输入电压
关机,耳机
微型, 3D控制高
输入电压
关机,耳机
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DD
I
DD
I
SD
V
IH
V
IL
VIN = 0V ,木卫一= 0A , BTL模式
VIN = 0V ,木卫一= 0A , SE模式
V
关闭
= 0V
2.7
3.7
6
3
0.04
4
0.8
5.5
10
6
2
2.6
V
mA
mA
μA
V
V
V
SDIH
1.4
1.2
V
V
SDIL
T
WU
微型, 3D控制
低输入电压
启动时间
1
140
0.4
V
ms
旁路电容
BP
=1μF
为桥接模式运行的电气特性( 5V )
( VDD = 5V
符号
除非另有规定。参数适用于TA = 25°C )。
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
参数
输出失调
电压
V
OS
VIN = 0V
THD + N = 1% ; F = 1千赫
RL=3
RL=4
RL=8
THD + N = 10 % ; F = 1千赫
RL=3
RL=4
RL=8
AVD = 2; F = 1kHz时
RL=4,PO=1W
RL=8,PO=0.4W
输入未结束,V
纹波
=
200mV
p-p
, 217Hz的
C
BP
= 1μF , RL = 8Ω
输入未结束,V
纹波
=
5
2.4
2.1
1.3
3.0
2.5
1.7
25
mV
1.0
W
P
O
输出功率
W
THD + N
总谐波
失真+噪声
电源
抑制比
0.1
0.06
85
%
PSRR
dB
80
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双2.1W音频放大器加上立体声耳机& 3D增强
LN4888
200mV
p-p
, 1kHz时,C
BP
= 1μF , RL = 8Ω
输入接地,V
纹波
= 200mV的
p-p
,
217Hz时,C
BP
= 1μF , RL = 8Ω
输入接地,V
纹波
= 200mV的
p-p
,
1kHz时,C
BP
= 1μF , RL = 8Ω
XTALK
V
NO
通道
分割
输出噪声
电压
f=1kHz,C
BP
= 1μF , 3D控制=低
1千赫, A加权
65
70
82
21
dB
μV
对于单端操作电气特性( 5V )
( VDD = 5V
符号
除非另有规定。参数适用于TA = 25°C )。
测试条件
THD + N = 0.5 % ; F = 1千赫
RL=32
F = 1kHz时
RL=32,PO=20mW
输入未结束,V
纹波
=
200mV
p-p
, 217Hz的
C
BP
= 1μF , RL = 32Ω
输入未结束,V
纹波
=
200mV
p-p
, 1kHz时
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
参数
P
O
THD + N
输出功率
总谐波
失真+噪声
75
90
0.015
mW
%
70
72
65
dB
PSRR
电源
抑制比
C
BP
= 1μF , RL = 32Ω
输入接地,V
纹波
= 200mV的
p-p
,
217Hz
C
BP
= 1μF , RL = 32Ω
输入接地,V
纹波
= 200mV的
p-p
,
1kHz
C
BP
= 1μF , RL = 32Ω
70
XTALK
V
NO
通道
分割
输出噪声
电压
F = 1kHz时, CBP = 1μF , 3D输入
接地
1千赫, A加权
80
11
dB
μV
电气特性( 3V )
( VDD = 3V
符号
除非另有规定。参数适用于TA = 25°C )。
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DD
静态功耗
电源电流
V
IN
= 0V ,木卫一= 0A , BTL模式
V
IN
= 0V ,木卫一= 0A , SE模式
4.5
2.5
mA
mA
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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南麟
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:柯
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联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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