乐山无线电公司, LTD 。
LN2302LT1G
20V N沟道增强型MOSFET
V
DS
= 20V
R
DS (ON ) ,
Vgs@4.5V , Ids@2.8A = 60米
Ω
R
DS (ON ) ,
Vgs@2.5V , Ids@2.0A = 115米
Ω
特点
对于超低导通电阻高密度电池设计
改进直通FOM
3
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
3 D
▼
室内运动场密度单元, ü LTRA低0:N - 电阻
提高直通FO M
▼
无铅封装可用
G
1
2
S
最大额定值和热特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
C
TA = 75℃
o
极限
20
±8
2.3
8
0.9
0.57
单位
V
A
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
R
QJC
2)
W
o
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻(PCB安装)
-55到150
o
C
C / W
R
qJA
145
注: 1,重复评级:脉冲宽度有限的最高结temperation
2. 1中
2
2盎司铜PCB板
3.由设计保证;不受生产测试
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LN2302LT1G
电气特性
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极电阻
正向跨导
动态
3)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
Rg
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
S
V
SD
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
mΩ
V
uA
nA
Ω
S
V
GS
= 0V时,我
D
= -10uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2.8A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 2.0A
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
20
-
40
50
-
60
115
1.20
-1
±100
0.65
0.95
V
DS
= 5V ,我
D
= 4.0A
6.5
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
注意:
脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,值班cycle< = 2 %
V
DS
= 6V ,我
D
= 2.8A
V
GS
= 4.5V
3.69
0.70
1.06
6.16
nC
V
DD
= 6V ,R
L
= 6Ω
Ι
D
= 1Α,
V
根
= 4.5V
R
G
= 6Ω
7.56
16.61
4.07
427.12
ns
V
DS
= 6V, V
GS
= 0V
F = 1.0 MHz的
80.56
57.00
pF
A
I
S
= -1.6A ,V
GS
= 0V
V
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出货规格
CPN
LABEL
LABEL
LABEL
10Reel /内盒
30KPCS /内盒
暗淡(单位:mm )
195mm*195mm*150mm
10卷
3000PCS/Reel
8000PCS /卷( SOT- 723 , SOD- 723 )
80KPCS /内盒( SOT- 723 , SOD- 723 )
暗淡(单位:mm )
460mm*400mm*420mm
LABEL
标志
乐山无线电股½有限公司
乐山无线电公司, LTD 。
12内盒/箱
360KPCS/Carton
960KPCS /箱( SOT- 723 , SOD- 723 )