LMZ31506
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SNVS993 - 2013年6月
6A SIMPLE SWITCHER
用2.95V - 14.5V输入和电流共享电源模块
采用QFN封装
检查样品：
LMZ31506
1
特点
完整的集成电源解决方案允许
小尺寸，低轮廓设计
9毫米X仅为15mm× 2.8毫米包
- 引脚兼容LMZ31503
效率高达96 ％
宽输出电压调节
0.6 V至5.5 V ，用1％的基准准确度
支持并行操作的更高电流
可选分离电源轨允许
输入电压降低至1.6 V
可调开关频率
（ 250千赫至780千赫）
同步至一个外部时钟
可调慢启动
输出电压排序/跟踪
电源良好输出
可编程欠压闭锁（ UVLO ）
输出过电流保护（打嗝模式）
过温保护
预偏置输出启动
工作温度范围： -40 ° C至85°C
增强热性能： 13 ° C / W
符合EN55022 B类辐射
- 集成屏蔽电感器
描述
该LMZ31506 SIMPLE SWITCHER电源模块
是一个易于使用的集成的电源解决方案
结合了6-A的DC- DC转换器的功率
的MOSFET ，屏蔽电感，并成为无源器件
低调， QFN封装。其中电源解决方案
可以少至3个外部元件，并
消除了环路补偿和磁性部件
选择的过程。
9 × 15 × 2.8毫米QFN封装，易于焊接
在印刷电路板和允许紧凑
负载点的设计以高于90 ％的效率
和优秀的功耗与热
13 ° C / W结阻抗到环境。该
器件提供了完整的6 -A额定输出电流
85 ° C的环境温度不通风。
该LMZ31506提供了灵活性和功能 -
设定的负载点的离散设计，是理想的
供电性能DSP和FPGA 。先进
封装技术提供一个强大的和可靠的
与标准的QFN封装兼容的电源解决方案
安装和测试技术。
简化应用
2
VIN
V
IN
PVIN
C
IN
i股
PWRGD
V
OUT
LMZ31506
VOUT
RT / CLK
SENSE +
INH / UVLO
SS / TR
STSEL
AGND
保护地
VADJ
R
SET
C
OUT
应用
宽带&通信基础设施
自动测试和医疗设备
紧凑型PCI ， PCI Express和PXI Express的
的负载应用DSP和FPGA点
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
输出电流（A ）
PV
IN
= V
IN
= 5 V
PV
IN
= V
IN
= 12 V
5
6
G000
V
OUT
= 3.3 V
f
SW
= 630千赫
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SIMPLE SWITCHER是德州仪器公司的注册商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录此数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
VIN ， PVIN ， INH / UVLO
输入电压
PWRGD ， RT / CLK
VADJ ， SS / TR ， STSEL ， ISHARE
输出电压
V
差异
（ GND暴露
导热垫）
源出电流
RT / CLK
PH
PH
灌电流
工作结温
储存温度
机械冲击
机械振动
(1)
(2)
MIL-STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20-2000Hz
PVIN
PWRGD
–0.1
–40
–65
125
PH
PH 10ns的瞬态
价值
民
–0.3
–0.3
–0.3
–1
–3
–0.2
–100
最大
16
6
3
20
20
0.2
+100
电流限制
电流限制
电流限制
5
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
°C
°C
G
150
1500
20
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
见热信息的典型特性部分的温度降额曲线。
2
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热信息
LMZ31506
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JCbot
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(5)
(3)
(4)
(1)
RUQ47
47针
13
9
3.8
6
2.5
单位
结至外壳（底部）热阻
结至顶部的特征参数
(6)
结至电路板的特征参数
° C / W
(7)
5
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
结点至环境热阻，
θ
JA
，适用于直接焊接到100毫米×100毫米的双面印刷电路板与设备
1盎司铜和自然对流冷却。额外的气流减少
θ
JA
.
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDECstandard
测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JT
* PDIS + T
T
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
T
is
该装置的顶部的温度。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JB
* PDIS + T
B
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
B
is
从设备的电路板为1mm时的温度。
包装规格
LMZ31506
重量
FL可燃性
MTBF计算的可靠性
符合UL 94 V-0
根据Bellcore TR- 332中， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
33.9 MHrs
单位
1.26克
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3
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电气特性
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 6 A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
I
OUT
VIN
PVIN
UVLO
V
OUT （形容词）
输出电流
输入偏置电压范围
切换输入电压范围
VIN欠压锁定
输出电压调节范围
设定点电压容差
温度变化
V
OUT
线路调整
负载调整率
总的输出电压变化
测试条件
T
A
= 85°C ，自然对流
在我
OUT
范围
在我
OUT
范围
VIN =增加
VIN =减少
在我
OUT
范围
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
-40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C，I
OUT
= 0A
在PVIN范围，T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
在我
OUT
范围内，T
A
= 25°C
包括设置点，线，负载和温度的变化
V
OUT
= 5 V，F
SW
= 780千赫
V
OUT
= 3.3 V，F
SW
= 630千赫
PVIN = VIN = 12 V
I
O
= 2 A
V
OUT
= 2.5 V，F
SW
= 530千赫
V
OUT
= 1.8 V，F
SW
= 480千赫
V
OUT
= 1.2 V，F
SW
= 480千赫
η
效率
V
OUT
= 0.8 V，F
SW
= 480千赫
PVIN = VIN = 5 V
I
O
= 2 A
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 530千赫
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 0.6V ，女
SW
250千赫
输出电压纹波
I
LIM
过流阈值
瞬态响应
V
INH -H
V
INH -L
1.0 A / μs的负载阶跃
为50100 ％我
输出（最大）
抑制高电压
抑制低电压
INH < 1.1 V
INH > 1.26 V
INH引脚到AGND
V
OUT
升起
动力
良好
PWRGD阈值
V
OUT
落下
PWRGD低电压
f
SW
f
CLK
V
CLK -H
V
CLK -L
D
CLK
开关频率
同步频率
CLK高级别
CLK低电平
CLK的占空比
热关断
热关断
热关断迟滞
CLK控制
我（ PWRGD ） = 2毫安
在VIN和我
OUT
范围， RT / CLK引脚开路
200
250
2.0
250
良好
故障
故障
良好
恢复时间
V
OUT
过冲/下冲
1.30
–0.3
-1.15
-3.4
2
94%
109%
91%
106%
0.3
300
780
5.5
0.8
20%
160
175
10
80%
°C
°C
V
千赫
千赫
V
V
4
20 MHz的带宽
92 %
91 %
89 %
88 %
85 %
80 %
95 %
93 %
91 %
89 %
85 %
83 %
30
11
80
60
开放
(4)
民
0
4.5
1.6
(1)
典型值
最大
6
14.5
14.5
(2)
单位
A
V
V
V
V
4.0
3.5
0.6
(2)
3.85
4.5
5.5
±1.0%
±0.3%
±0.1%
±0.1%
±1.5%
(3)
(3)
mV
PP
A
s
mV
V
μA
μA
A
禁止控制
INH输入电流
INH滞环电流
1.05
I
我（备用）
输入待机电流
(1)
(2)
(3)
(4)
4
最低PVIN电压为1.6V或（V
OUT
+ 0.9V ） ，以较高者为准。 VIN必须大于4.5V 。
最大PVIN电压为14.5V或（15 x垂直
OUT
） ，以较低者为准。
的设定点电压容差规定的限制包括两个内部电压基准和内部公差
调整电阻。整体输出电压容差会受外部R的公差
SET
电阻器。
这种控制引脚具有内部上拉电阻。如果该引脚开路时，器件工作时的输入功率应用。小低
漏MOSFET ，建议控制。见进一步指导应用程序部分。
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电气特性（续）
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 6 A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
C
IN
外部输入电容
陶瓷的
C
OUT
外部输出电容
非陶瓷
等效串联电阻（ESR ）
测试条件
陶瓷的
非陶瓷
民
44
(5)
典型值
最大
单位
F
68
(5)
47
(6)
200
220
(6)
1500
5000
35
F
m
(5)
(6)
最低钽聚合物和/或外部陶瓷电容100μF的，需要在输入电压（VIN和PVIN连接）
正确操作。找到电容靠近器件。看
表4
了解更多详情。当分裂VIN和PVIN操作
导轨，陶瓷电容4.7μF的地方直接在VIN引脚。
根据输出电压所需的输出电容的数量而变化（见
表3
） 。所需的电容的大小
必须包含至少1个47μF的陶瓷电容。定位的电容靠近器件。增加额外的电容靠近
载荷提高了调节器的负载瞬态响应。看
表3
和
表4
更多的细节。
设备信息
功能框图
PWRGD
PWRGD
逻辑
VSENSE +
VADJ
SS / TR
VREF
STSEL
i股
RT / CLK
OSC
W / PLL
热关断
INH / UVLO
关闭
逻辑
OCP
VIN
UVLO
VIN
PVIN
+
+
COMP
动力
舞台
和
控制
逻辑
PH
VOUT
当前
分享
保护地
AGND
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6A SIMPLE SWITCHER
用2.95V - 14.5V输入和电流共享电源模块
采用QFN封装
检查样品：
LMZ31506
1
特点
完整的集成电源解决方案允许
小尺寸，低轮廓设计
9毫米X仅为15mm× 2.8毫米包
- 引脚兼容LMZ31503
效率高达96 ％
宽输出电压调节
0.6 V至5.5 V ，用1％的基准准确度
支持并行操作的更高电流
可选分离电源轨允许
输入电压降低至1.6 V
可调开关频率
（ 250千赫至780千赫）
同步至一个外部时钟
可调慢启动
输出电压排序/跟踪
电源良好输出
可编程欠压闭锁（ UVLO ）
输出过电流保护（打嗝模式）
过温保护
预偏置输出启动
工作温度范围： -40 ° C至85°C
增强热性能： 13 ° C / W
符合EN55022 B类辐射
- 集成屏蔽电感器
描述
该LMZ31506 SIMPLE SWITCHER电源模块
是一个易于使用的集成的电源解决方案
结合了6-A的DC- DC转换器的功率
的MOSFET ，屏蔽电感，并成为无源器件
低调， QFN封装。其中电源解决方案
可以少至3个外部元件，并
消除了环路补偿和磁性部件
选择的过程。
9 × 15 × 2.8毫米QFN封装，易于焊接
在印刷电路板和允许紧凑
负载点的设计以高于90 ％的效率
和优秀的功耗与热
13 ° C / W结阻抗到环境。该
器件提供了完整的6 -A额定输出电流
85 ° C的环境温度不通风。
该LMZ31506提供了灵活性和功能 -
设定的负载点的离散设计，是理想的
供电性能DSP和FPGA 。先进
封装技术提供一个强大的和可靠的
与标准的QFN封装兼容的电源解决方案
安装和测试技术。
简化应用
2
VIN
V
IN
PVIN
C
IN
i股
PWRGD
V
OUT
LMZ31506
VOUT
RT / CLK
SENSE +
INH / UVLO
SS / TR
STSEL
AGND
保护地
VADJ
R
SET
C
OUT
应用
宽带&通信基础设施
自动测试和医疗设备
紧凑型PCI ， PCI Express和PXI Express的
的负载应用DSP和FPGA点
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
输出电流（A ）
PV
IN
= V
IN
= 5 V
PV
IN
= V
IN
= 12 V
5
6
G000
V
OUT
= 3.3 V
f
SW
= 630千赫
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SIMPLE SWITCHER是德州仪器公司的注册商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录此数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
VIN ， PVIN ， INH / UVLO
输入电压
PWRGD ， RT / CLK
VADJ ， SS / TR ， STSEL ， ISHARE
输出电压
V
差异
（ GND暴露
导热垫）
源出电流
RT / CLK
PH
PH
灌电流
工作结温
储存温度
机械冲击
机械振动
(1)
(2)
MIL-STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20-2000Hz
PVIN
PWRGD
–0.1
–40
–65
125
PH
PH 10ns的瞬态
价值
民
–0.3
–0.3
–0.3
–1
–3
–0.2
–100
最大
16
6
3
20
20
0.2
+100
电流限制
电流限制
电流限制
5
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
°C
°C
G
150
1500
20
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
见热信息的典型特性部分的温度降额曲线。
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热信息
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热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JCbot
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(5)
(3)
(4)
(1)
RUQ47
47针
13
9
3.8
6
2.5
单位
结至外壳（底部）热阻
结至顶部的特征参数
(6)
结至电路板的特征参数
° C / W
(7)
5
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
结点至环境热阻，
θ
JA
，适用于直接焊接到100毫米×100毫米的双面印刷电路板与设备
1盎司铜和自然对流冷却。额外的气流减少
θ
JA
.
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDECstandard
测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JT
* PDIS + T
T
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
T
is
该装置的顶部的温度。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JB
* PDIS + T
B
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
B
is
从设备的电路板为1mm时的温度。
包装规格
LMZ31506
重量
FL可燃性
MTBF计算的可靠性
符合UL 94 V-0
根据Bellcore TR- 332中， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
33.9 MHrs
单位
1.26克
版权所有 2013年，德州仪器
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3
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电气特性
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 6 A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
I
OUT
VIN
PVIN
UVLO
V
OUT （形容词）
输出电流
输入偏置电压范围
切换输入电压范围
VIN欠压锁定
输出电压调节范围
设定点电压容差
温度变化
V
OUT
线路调整
负载调整率
总的输出电压变化
测试条件
T
A
= 85°C ，自然对流
在我
OUT
范围
在我
OUT
范围
VIN =增加
VIN =减少
在我
OUT
范围
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
-40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C，I
OUT
= 0A
在PVIN范围，T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
在我
OUT
范围内，T
A
= 25°C
包括设置点，线，负载和温度的变化
V
OUT
= 5 V，F
SW
= 780千赫
V
OUT
= 3.3 V，F
SW
= 630千赫
PVIN = VIN = 12 V
I
O
= 2 A
V
OUT
= 2.5 V，F
SW
= 530千赫
V
OUT
= 1.8 V，F
SW
= 480千赫
V
OUT
= 1.2 V，F
SW
= 480千赫
η
效率
V
OUT
= 0.8 V，F
SW
= 480千赫
PVIN = VIN = 5 V
I
O
= 2 A
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 530千赫
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
= 480千赫
V
OUT
= 0.6V ，女
SW
250千赫
输出电压纹波
I
LIM
过流阈值
瞬态响应
V
INH -H
V
INH -L
1.0 A / μs的负载阶跃
为50100 ％我
输出（最大）
抑制高电压
抑制低电压
INH < 1.1 V
INH > 1.26 V
INH引脚到AGND
V
OUT
升起
动力
良好
PWRGD阈值
V
OUT
落下
PWRGD低电压
f
SW
f
CLK
V
CLK -H
V
CLK -L
D
CLK
开关频率
同步频率
CLK高级别
CLK低电平
CLK的占空比
热关断
热关断
热关断迟滞
CLK控制
我（ PWRGD ） = 2毫安
在VIN和我
OUT
范围， RT / CLK引脚开路
200
250
2.0
250
良好
故障
故障
良好
恢复时间
V
OUT
过冲/下冲
1.30
–0.3
-1.15
-3.4
2
94%
109%
91%
106%
0.3
300
780
5.5
0.8
20%
160
175
10
80%
°C
°C
V
千赫
千赫
V
V
4
20 MHz的带宽
92 %
91 %
89 %
88 %
85 %
80 %
95 %
93 %
91 %
89 %
85 %
83 %
30
11
80
60
开放
(4)
民
0
4.5
1.6
(1)
典型值
最大
6
14.5
14.5
(2)
单位
A
V
V
V
V
4.0
3.5
0.6
(2)
3.85
4.5
5.5
±1.0%
±0.3%
±0.1%
±0.1%
±1.5%
(3)
(3)
mV
PP
A
s
mV
V
μA
μA
A
禁止控制
INH输入电流
INH滞环电流
1.05
I
我（备用）
输入待机电流
(1)
(2)
(3)
(4)
4
最低PVIN电压为1.6V或（V
OUT
+ 0.9V ） ，以较高者为准。 VIN必须大于4.5V 。
最大PVIN电压为14.5V或（15 x垂直
OUT
） ，以较低者为准。
的设定点电压容差规定的限制包括两个内部电压基准和内部公差
调整电阻。整体输出电压容差会受外部R的公差
SET
电阻器。
这种控制引脚具有内部上拉电阻。如果该引脚开路时，器件工作时的输入功率应用。小低
漏MOSFET ，建议控制。见进一步指导应用程序部分。
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版权所有 2013年，德州仪器
LMZ31506
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SNVS993 - 2013年6月
电气特性（续）
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 6 A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
C
IN
外部输入电容
陶瓷的
C
OUT
外部输出电容
非陶瓷
等效串联电阻（ESR ）
测试条件
陶瓷的
非陶瓷
民
44
(5)
典型值
最大
单位
F
68
(5)
47
(6)
200
220
(6)
1500
5000
35
F
m
(5)
(6)
最低钽聚合物和/或外部陶瓷电容100μF的，需要在输入电压（VIN和PVIN连接）
正确操作。找到电容靠近器件。看
表4
了解更多详情。当分裂VIN和PVIN操作
导轨，陶瓷电容4.7μF的地方直接在VIN引脚。
根据输出电压所需的输出电容的数量而变化（见
表3
） 。所需的电容的大小
必须包含至少1个47μF的陶瓷电容。定位的电容靠近器件。增加额外的电容靠近
载荷提高了调节器的负载瞬态响应。看
表3
和
表4
更多的细节。
设备信息
功能框图
PWRGD
PWRGD
逻辑
VSENSE +
VADJ
SS / TR
VREF
STSEL
i股
RT / CLK
OSC
W / PLL
热关断
INH / UVLO
关闭
逻辑
OCP
VIN
UVLO
VIN
PVIN
+
+
COMP
动力
舞台
和
控制
逻辑
PH
VOUT
当前
分享
保护地
AGND
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