LMZ31503
www.ti.com
SNVS992 - 2013年7月
3A SIMPLE SWITCHER
在4.5V - 14.5V输入的QFN封装电源模块
检查样品：
LMZ31503
1
特点
完整的集成电源解决方案允许
小尺寸，低轮廓设计
9毫米X仅为15mm× 2.8毫米包
- 引脚兼容LMZ31506
效率高达95％以上
宽输出电压调节
0.8 V至5.5 V ，用1％的基准准确度
可选分离电源轨允许
输入电压降低至1.6 V
可调开关频率
（ 330千赫至780千赫）
同步至一个外部时钟
可调慢启动
输出电压排序/跟踪
电源良好输出
可编程欠压闭锁（ UVLO ）
过电流保护（打嗝模式）
过温保护
预偏置输出启动
工作温度范围： -40 ° C至85°C
增强热性能： 13 ° C / W
符合EN55022 B类辐射
- 集成屏蔽电感器
描述
该LMZ31503 SIMPLE SWITCHER电源模块
是一个易于使用的集成的电源解决方案
结合了3的DC / DC转换器与功率
的MOSFET ，屏蔽电感，并成为无源器件
低调， QFN封装。其中电源解决方案
可少至3个外部组件和
消除了环路补偿和磁性
设计过程。
9 × 15 × 2.8毫米QFN封装，易于焊接
在印刷电路板和允许紧凑
负载点的设计以高达95％的效率和
出色的功耗与热阻抗
13 ° C / W结到环境。该器件可提供
全3 -A额定输出电流在85 °C环境
没有温度的气流。
该LMZ31503提供了灵活性和功能 -
设定的负载点的离散设计，是理想的
供电性能DSP和FPGA 。先进
封装技术提供一个强大的和可靠的
与标准的QFN封装兼容的电源解决方案
安装和测试技术。
简化应用
LMZ31503
PVIN
V
IN
VIN
VOUT
SENSE +
RT / CLK
INH / UVLO
SS / TR
STSEL
PGND AGND
R
SET
VADJ
C
OUT
PWRGD
V
OUT
2
应用
宽带&通信基础设施
自动测试和医疗设备
紧凑的PCI / PCI Express的/ PXI Express的
的负载应用DSP和FPGA点
高密度分布式电源系统
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
C
IN
效率（％）
V
IN
？ PV
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
V
IN
？ PV
IN
= 12 V, V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
0
0.5
1
1.5
2
输出电流（A ）
2.5
3
G000
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SIMPLE SWITCHER是德州仪器公司的注册商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMZ31503
SNVS992 - 2013年7月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录此数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
价值
VIN
PVIN
INH / UVLO
输入电压
VADJ
PWRGD
SS / TR
STSEL
RT / CLK
输出电压
V
差异
（ GND到裸露的散热焊盘）
源出电流
RT / CLK
PH
PH
灌电流
工作结温
储存温度
机械冲击
机械振动
(1)
(2)
MIL-STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20-2000Hz
PVIN
PWRGD
PH
PH 10ns的瞬态
-0.3 16
-0.3 16
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 6
-1到20
-3 20
-0.2 0.2
±100
电流限制
电流限制
电流限制
-0.1 5
-40至125
(2)
-65到150
1500
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
°C
°C
G
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
见热信息的典型特性部分的温度降额曲线。
2
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热信息
LMZ31503
热公制
θ
JA
ψ
JT
ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
结至环境热阻
(2)
结至顶部的特征参数
(3)
(1)
RUQ47
47针
13
2.5
5
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(4)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
结点至环境热阻，
θ
JA
，适用于直接焊接到100毫米×100毫米的双面印刷电路板与设备
1盎司铜和自然对流冷却。额外的气流减少
θ
JA
.
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JT
* PDIS + T
T
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
T
is
该装置的顶部的温度。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JB
* PDIS + T
B
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
B
is
从设备的电路板为1mm时的温度。
包装规格
LMZ31503
重量
FL可燃性
MTBF计算的可靠性
符合UL 94 V-0
根据Bellcore TR- 332中， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
40.1 MHrs
单位
1.26克
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3
LMZ31503
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电气特性
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 3A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
I
OUT
VIN
PVIN
UVLO
V
OUT （形容词）
输出电流
输入偏置电压范围
切换输入电压范围
VIN欠压锁定
输出电压调节范围
设定点电压容差
温度变化
V
OUT
线路调整
负载调整率
总的输出电压变化
测试条件
T
A
= 85°C ，自然对流
在我
OUT
范围
在我
OUT
范围
VIN =增加
VIN =减少
在我
OUT
范围
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
-40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C，I
OUT
= 0A
在PVIN范围，T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
在我
OUT
范围内，T
A
= 25°C
包括设置点，线，负载和温度的变化
V
OUT
= 5V ，女
SW
= 780kHz的
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630kHz
PVIN = VIN = 12 V
I
O
= 1.5 A
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480kHz
η
效率
PVIN = VIN = 5 V
I
O
= 1.5 A
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
=为330kHz
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630kHz
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
=为330kHz
输出电压纹波
I
LIM
过流阈值
恢复时间
瞬态响应
V
INH -H
V
INH -L
1.0 A / μs的负载从50到100 ％我
输出（最大）
抑制高电压
抑制低电压
INH < 1.1 V
INH > 1.26 V
INH引脚到AGND
V
OUT
升起
动力
良好
PWRGD阈值
V
OUT
落下
PWRGD低电压
f
SW
f
CLK
V
CLK -H
V
CLK -L
D
CLK
开关频率
同步频率
CLK高级别阈值
CLK低电平阈值
CLK的占空比
热关断
热关断
热关断迟滞
CLK控制
我（ PWRGD ） = 2毫安
在VIN和我
OUT
范围， RT / CLK引脚开路
270
330
2.0
330
良好
故障
故障
良好
V
OUT
过冲/下冲
1.30
–0.3
-1.15
-3.4
2
94%
109%
91%
106%
0.3
390
780
5.5
0.8
20%
160
175
10
80%
°C
°C
V
千赫
千赫
V
V
4
20 MHz的带宽
91.5 %
89.0 %
86.9 %
85.2 %
82.1 %
78.7 %
93.3 %
91.4 %
88.8 %
85.2 %
81.8 %
35
5.8
190
35
开放
(3)
民
0
4.5
1.6
(1)
典型值
最大
3
14.5
14.5
单位
A
V
V
V
V
4.0
3.5
0.8
3.85
4.5
5.5
±1.0%
±0.3%
±0.1%
±0.1%
±1.5%
(2)
(2)
mV
PP
A
s
mV
V
μA
μA
A
禁止控制
INH输入电流
INH滞环电流
1.05
I
我（备用）
输入待机电流
(1)
(2)
(3)
4
最低PVIN电压为1.6V或（V
OUT
+ 0.7V ） ，以较高者为准。 VIN必须大于4.5V 。
的设定点电压容差规定的限制包括两个内部电压基准和内部公差
调整电阻。整体输出电压容差会受外部R的公差
SET
电阻器。
这种控制引脚具有内部上拉电阻。如果该引脚开路时，器件工作时的输入功率应用。小低
泄漏（ <300 NA）的MOSFET ，建议控制。见进一步指导应用程序部分。
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电气特性（续）
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 3A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
C
IN
外部输入电容
陶瓷的
C
OUT
外部输出电容
非陶瓷
等效串联电阻（ESR ）
测试条件
陶瓷的
非陶瓷
民
22
(4)
典型值
最大
单位
F
68
(4)
200
(5)
1500
5000
35
F
m
(4)
(5)
最低钽聚合物和/或外部陶瓷电容68μF的需要在输入电压（VIN和GND相连）
正确操作。找到电容靠近器件。看
表5
了解更多详情。当分裂VIN和PVIN操作
导轨，陶瓷电容4.7μF的地方直接在VIN引脚连接到PGND 。
根据输出电压所需的输出电容的数量而变化（见
表3
） 。所需的电容的大小
必须包括陶瓷电容。定位的电容靠近器件。增加额外的电容靠近负载提高
稳压器的负载瞬态响应。看
表3
和
表5
更多的细节。
设备信息
功能框图
热关断
PWRGD
PWRGD
逻辑
VSENSE +
VADJ
SS / TR
VREF
STSEL
RT / CLK
OSC W / PLL
关闭
逻辑
VIN
UVLO
INH / UVLO
VIN
PVIN
OCP
PH
+
+
COMP
动力
舞台
和
控制
逻辑
VOUT
保护地
AGND
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3A SIMPLE SWITCHER
在4.5V - 14.5V输入的QFN封装电源模块
检查样品：
LMZ31503
1
特点
完整的集成电源解决方案允许
小尺寸，低轮廓设计
9毫米X仅为15mm× 2.8毫米包
- 引脚兼容LMZ31506
效率高达95％以上
宽输出电压调节
0.8 V至5.5 V ，用1％的基准准确度
可选分离电源轨允许
输入电压降低至1.6 V
可调开关频率
（ 330千赫至780千赫）
同步至一个外部时钟
可调慢启动
输出电压排序/跟踪
电源良好输出
可编程欠压闭锁（ UVLO ）
过电流保护（打嗝模式）
过温保护
预偏置输出启动
工作温度范围： -40 ° C至85°C
增强热性能： 13 ° C / W
符合EN55022 B类辐射
- 集成屏蔽电感器
描述
该LMZ31503 SIMPLE SWITCHER电源模块
是一个易于使用的集成的电源解决方案
结合了3的DC / DC转换器与功率
的MOSFET ，屏蔽电感，并成为无源器件
低调， QFN封装。其中电源解决方案
可少至3个外部组件和
消除了环路补偿和磁性
设计过程。
9 × 15 × 2.8毫米QFN封装，易于焊接
在印刷电路板和允许紧凑
负载点的设计以高达95％的效率和
出色的功耗与热阻抗
13 ° C / W结到环境。该器件可提供
全3 -A额定输出电流在85 °C环境
没有温度的气流。
该LMZ31503提供了灵活性和功能 -
设定的负载点的离散设计，是理想的
供电性能DSP和FPGA 。先进
封装技术提供一个强大的和可靠的
与标准的QFN封装兼容的电源解决方案
安装和测试技术。
简化应用
LMZ31503
PVIN
V
IN
VIN
VOUT
SENSE +
RT / CLK
INH / UVLO
SS / TR
STSEL
PGND AGND
R
SET
VADJ
C
OUT
PWRGD
V
OUT
2
应用
宽带&通信基础设施
自动测试和医疗设备
紧凑的PCI / PCI Express的/ PXI Express的
的负载应用DSP和FPGA点
高密度分布式电源系统
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
C
IN
效率（％）
V
IN
？ PV
IN
= 5 V, V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
V
IN
？ PV
IN
= 12 V, V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630千赫
0
0.5
1
1.5
2
输出电流（A ）
2.5
3
G000
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SIMPLE SWITCHER是德州仪器公司的注册商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录此数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作温度范围（除非另有说明）
价值
VIN
PVIN
INH / UVLO
输入电压
VADJ
PWRGD
SS / TR
STSEL
RT / CLK
输出电压
V
差异
（ GND到裸露的散热焊盘）
源出电流
RT / CLK
PH
PH
灌电流
工作结温
储存温度
机械冲击
机械振动
(1)
(2)
MIL-STD- 883D ，方法2002.3 ， 1毫秒，半正弦波，安装
MIL-STD- 883D ，方法2007.2 ， 20-2000Hz
PVIN
PWRGD
PH
PH 10ns的瞬态
-0.3 16
-0.3 16
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 6
-0.3 3
-0.3 3
-0.3 6
-1到20
-3 20
-0.2 0.2
±100
电流限制
电流限制
电流限制
-0.1 5
-40至125
(2)
-65到150
1500
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
°C
°C
G
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
见热信息的典型特性部分的温度降额曲线。
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热信息
LMZ31503
热公制
θ
JA
ψ
JT
ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
结至环境热阻
(2)
结至顶部的特征参数
(3)
(1)
RUQ47
47针
13
2.5
5
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(4)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅IC封装热度量应用报告，
SPRA953.
结点至环境热阻，
θ
JA
，适用于直接焊接到100毫米×100毫米的双面印刷电路板与设备
1盎司铜和自然对流冷却。额外的气流减少
θ
JA
.
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JT
* PDIS + T
T
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
T
is
该装置的顶部的温度。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计结温度T
J
在一个实际系统中的设备的，使用一
过程中JESD51-2A （第6和7 ）中描述。牛逼
J
=
ψ
JB
* PDIS + T
B
;其中PDIS是耗散在设备和T中的功率
B
is
从设备的电路板为1mm时的温度。
包装规格
LMZ31503
重量
FL可燃性
MTBF计算的可靠性
符合UL 94 V-0
根据Bellcore TR- 332中， 50 ％的压力，T
A
= 40℃，地面良性
40.1 MHrs
单位
1.26克
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电气特性
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 3A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
I
OUT
VIN
PVIN
UVLO
V
OUT （形容词）
输出电流
输入偏置电压范围
切换输入电压范围
VIN欠压锁定
输出电压调节范围
设定点电压容差
温度变化
V
OUT
线路调整
负载调整率
总的输出电压变化
测试条件
T
A
= 85°C ，自然对流
在我
OUT
范围
在我
OUT
范围
VIN =增加
VIN =减少
在我
OUT
范围
T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
-40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C，I
OUT
= 0A
在PVIN范围，T
A
= 25 ° C，I
OUT
= 0A
在我
OUT
范围内，T
A
= 25°C
包括设置点，线，负载和温度的变化
V
OUT
= 5V ，女
SW
= 780kHz的
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630kHz
PVIN = VIN = 12 V
I
O
= 1.5 A
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480kHz
η
效率
PVIN = VIN = 5 V
I
O
= 1.5 A
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
=为330kHz
V
OUT
= 3.3V ，女
SW
= 630kHz
V
OUT
= 2.5V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.8V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 1.2V ，女
SW
= 480kHz
V
OUT
= 0.8V ，女
SW
=为330kHz
输出电压纹波
I
LIM
过流阈值
恢复时间
瞬态响应
V
INH -H
V
INH -L
1.0 A / μs的负载从50到100 ％我
输出（最大）
抑制高电压
抑制低电压
INH < 1.1 V
INH > 1.26 V
INH引脚到AGND
V
OUT
升起
动力
良好
PWRGD阈值
V
OUT
落下
PWRGD低电压
f
SW
f
CLK
V
CLK -H
V
CLK -L
D
CLK
开关频率
同步频率
CLK高级别阈值
CLK低电平阈值
CLK的占空比
热关断
热关断
热关断迟滞
CLK控制
我（ PWRGD ） = 2毫安
在VIN和我
OUT
范围， RT / CLK引脚开路
270
330
2.0
330
良好
故障
故障
良好
V
OUT
过冲/下冲
1.30
–0.3
-1.15
-3.4
2
94%
109%
91%
106%
0.3
390
780
5.5
0.8
20%
160
175
10
80%
°C
°C
V
千赫
千赫
V
V
4
20 MHz的带宽
91.5 %
89.0 %
86.9 %
85.2 %
82.1 %
78.7 %
93.3 %
91.4 %
88.8 %
85.2 %
81.8 %
35
5.8
190
35
开放
(3)
民
0
4.5
1.6
(1)
典型值
最大
3
14.5
14.5
单位
A
V
V
V
V
4.0
3.5
0.8
3.85
4.5
5.5
±1.0%
±0.3%
±0.1%
±0.1%
±1.5%
(2)
(2)
mV
PP
A
s
mV
V
μA
μA
A
禁止控制
INH输入电流
INH滞环电流
1.05
I
我（备用）
输入待机电流
(1)
(2)
(3)
4
最低PVIN电压为1.6V或（V
OUT
+ 0.7V ） ，以较高者为准。 VIN必须大于4.5V 。
的设定点电压容差规定的限制包括两个内部电压基准和内部公差
调整电阻。整体输出电压容差会受外部R的公差
SET
电阻器。
这种控制引脚具有内部上拉电阻。如果该引脚开路时，器件工作时的输入功率应用。小低
泄漏（ <300 NA）的MOSFET ，建议控制。见进一步指导应用程序部分。
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SNVS992 - 2013年7月
电气特性（续）
在-40 ° C至85°C自由的空气温度， PVIN = VIN = 12 V ，V
OUT
= 1.8 V，I
OUT
= 3A,
C
IN1
= 2× 22 μF的陶瓷，C
IN2
= 68 μF聚钽，C
OUT1
= 4× 47 μF陶瓷（除非另有说明）
参数
C
IN
外部输入电容
陶瓷的
C
OUT
外部输出电容
非陶瓷
等效串联电阻（ESR ）
测试条件
陶瓷的
非陶瓷
民
22
(4)
典型值
最大
单位
F
68
(4)
200
(5)
1500
5000
35
F
m
(4)
(5)
最低钽聚合物和/或外部陶瓷电容68μF的需要在输入电压（VIN和GND相连）
正确操作。找到电容靠近器件。看
表5
了解更多详情。当分裂VIN和PVIN操作
导轨，陶瓷电容4.7μF的地方直接在VIN引脚连接到PGND 。
根据输出电压所需的输出电容的数量而变化（见
表3
） 。所需的电容的大小
必须包括陶瓷电容。定位的电容靠近器件。增加额外的电容靠近负载提高
稳压器的负载瞬态响应。看
表3
和
表5
更多的细节。
设备信息
功能框图
热关断
PWRGD
PWRGD
逻辑
VSENSE +
VADJ
SS / TR
VREF
STSEL
RT / CLK
OSC W / PLL
关闭
逻辑
VIN
UVLO
INH / UVLO
VIN
PVIN
OCP
PH
+
+
COMP
动力
舞台
和
控制
逻辑
VOUT
保护地
AGND
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