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集成VCO LMX2531高性能频率合成器系统
2007年1月
LMX2531
高性能频率合成器系统
集成的VCO
概述
该LMX2531是一款低功耗,高性能变频器
合成器系统,它包括一个完全集成的Δ-
西格玛PLL和VCO与完全集成的谐振回路。第三
和第四杆也被集成,也可调节。还
包含有集成的超低噪声和高精确度
的LDO的PLL和VCO这给高电源噪声
免疫力也比较一致的性能。当的COM
软硬件就可以为一个高质量的基准振荡器,该LMX2531
生成了非常平稳,噪音低本振信号
和向下转换的无线通信设备。
该LMX2531是一个单片集成电路,制作
先进的BiCMOS工艺。有几种不同的
本产品以accomdate不同频版本
昆西带。
设备编程通过三线便利
MICROWIRE接口,可向下运行至1.8伏。
电源电压范围为2.8至3.2伏特。该LMX2531是
在一个36引脚6x6x0.8毫米无铅无铅铅 - 提供
帧封装( LLP ) 。
特点
可用多频选项
参见选型指南以下
- 2790兆赫765兆赫:从频率
PLL功能
小数N分频Δ-Σ调制阶
可编程至4阶
快速锁定/周跳减少与超时计数器
部分集成,可调节环路滤波器
极低的相位噪声和杂散
VCO特点
集成的电感器罐
低相位噪声
其他特点
2.8 V至3.2 V操作
低关断电流
1.8V MICROWIRE支持
包装: 36引脚LLP
部分
低频段
高频段
LMX2531LQ1570E
LMX2531LQ1650E
LMX2531LQ1700E
LMX2531LQ1742
LMX2531LQ1778E
LMX2531LQ1910E
LMX2531LQ2080E
765 - 818兆赫
795 - 850兆赫
831 - 885兆赫
880 - 933兆赫
863 - 920兆赫
917 - 1014兆赫
952 - 1137兆赫
1530年至1636年兆赫
1590至1700年兆赫
1662年至1770年兆赫
1760年至1866年兆赫
1726年至1840年兆赫
1834年至2028年兆赫
1904年至2274年兆赫
目标应用
3G蜂窝基站( WCDMA , TD-
SCDMA,CDMA2000)
2G蜂窝基站( GSM / GPRS ,EDGE
CDMA1xRTT)
无线局域网
宽带无线接入
卫星通信
无线电台
汽车
有线电视设备
仪表和测试设备
RFID阅读器
LMX2531LQ2265E 1089年至1200年兆赫2178至2400年兆赫
LMX2531LQ2570E 1168年至1395年兆赫2336至2790年兆赫
2007美国国家半导体公司
201011
www.national.com
LMX2531
功能框图
20101101
接线图
36引脚LLP ( LQ )包
20101102
www.national.com
2
LMX2531
引脚说明
针#
1
3
2,4,5,7,
12, 13,
29, 35
6
8
9
10
引脚名称
VCCDIG
GND
NC
VregBUF
数据
CLK
LE
I / O
-
-
-
-
I
I
I
描述
电源的数字LDO电路。输入范围可从2.8 - 3.2 V.旁路电容应
放置在尽可能靠近该引脚与地。
无连接。
内部调节电压, VCO缓冲电路。连接至地的电容器。
Microwire串行数据输入。高阻抗CMOS输入。该引脚必须不超过2.75V 。数据
主频在MSB优先。最后一个比特的形式定时控制或寄存器选择位。
MICROWIRE时钟输入。高阻抗CMOS输入。该引脚必须不超过2.75V 。数据同步
到移位寄存器的上升沿。
MICROWIRE锁存使能输入。高阻抗CMOS输入。该引脚必须不超过2.75V 。数据
存储在移位寄存器中加载到选定的锁存寄存器,当LE变为高电平。
芯片使能输入。高阻抗CMOS输入。该引脚必须不超过2.75V 。当CE被带到
高的LMX2531通电时对应于所述内部功率控制比特。有必要
重新编程寄存器R0 ,以获得部分重新锁定。
无连接。不要接地。
电源的VCO调节电路。输入范围可从2.8 - 3.2 V.旁路电容应
被放置在尽可能靠近该引脚与地。
内部调节电压VCO电路。不打算用于驱动外部负载。连接到接地
用电容器和一些串联电阻。
内部参考电压VCO LDO 。不打算用于驱动外部负载。连接至地
一个电容器。
地为所述VCO电路。
地面VCO的输出缓冲电路。
缓冲的射频输出的VCO 。
电源为VCO缓冲电路。输入范围可从2.8 - 3.2 V.旁路电容应
被放置在尽可能靠近该引脚与地。
调谐电压输入的VCO 。对于通过外部无源环路连接到CPOUT引脚
过滤器。
电荷泵输出的PLL 。对于通过外部无源环路滤波器连接到VTUNE 。
一个开漏NMOS输出其用于快速锁定或通用输出。
内部调节电压, PLL电荷泵。不打算用于驱动外部负载。连接
接地用的电容器。
电源为PLL 。输入范围可从2.8 - 3.2 V.旁路电容应尽可能
尽可能接近该引脚与地之间。
内部调节电压RF数字电路。不打算用于驱动外部负载。连接
接地用的电容器。
复用CMOS输出。通常用于监视PLL锁定状态。
振荡器输入。
免费振荡器输入。当一个单端信号源被使用时,则旁路电容应
放置在尽可能靠近此引脚和连接到地。
该引脚如果出于测试目的,并应接地正常运行。
内部调节电压LDO数字电路。
11
14, 15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
30
31
32
33
34
36
CE
NC
VCCVCO
VregVCO
VrefVCO
GND
GND
FOUT
VccBUF
VTUNE
CPOUT
藐视
VregPLL1
VCCPLL
VregPLL2
FTEST / LD
OSCIN
OSCIN *
TEST
GND
VregDIG
I
-
-
-
-
-
-
O
-
I
O
O
-
-
-
O
I
I
O
-
-
3
www.national.com
LMX2531
接线图
20101111
PIN码( S)
应用信息
VCCDIG
由于LMX2531包含内部稳压器,电源噪声抑制能力非常好,在电容器
VCCVCO
此销并不关键。如果需要的话,电容器可以被放置在这些引脚来改善噪声抑制。推荐
VccBUF
值是从开到1
μF.
VCCPLL
VregDIG是不是真的有任何理由使用任何其他值比推荐值。
VrefVCO
如果VregVCO电容改变时,建议保持1/100和值的1/1000之间的这种电容器
在VregVCO电容。
因为这个引脚是一个调节器的输出,有是稳定性的考虑,如果没有足够的串联电阻。
用于陶瓷电容器的ESR(等效串联电阻)太低,并且它建议的一系列
VregVCO
1电阻 - 3.3Ω是必要的。如果没有足够的ESR ,那么有可能是退化的相位噪声,
特别是在100 - 300 kHz的偏移。推荐值为1
μF
10
μF.
在这个引脚上的电容值的选择涉及到一个整数,马刺和相位噪声之间的100的权衡 -
VregPLL1 300 kHz偏置范围内。如果过多的串联电阻是在这个引脚,马刺在远偏移将严重下降。如果
VregPLL2太少,相位噪声可能降低。一个470 nF的电容串联220 mΩ的提供了最佳的马刺
在相位噪声最小的降解,尽管这些最佳值可以设计特定的。
CLK
数据
LE
CE
因为这些引脚上的最大电压是小于最小Vcc的电压,电平转换,可能需要,如果
微控制器的输出电压过高。这可以通过用一个电阻分压器。
作为与CLK ,DATA和LE引脚,可能需要电平移位如果微控制器的输出电压过
高。一个电阻分压器是或串联二极管两种方式来做到这一点。该二极管具有的优点是不
电流流过它时,该芯片被断电。
这是高频输出。这需要进行交流耦合,并匹配可能还需要。的价值
隔直流电容器可以改变,这取决于输出频率。
在大多数情况下,它足以短这些在一起。 C1_LF , C2_LF和R2_LF被用于与所述
内部环路滤波器使一个四阶环路滤波器。然而,用户总是有增加附加的选项
两极。
这是快速锁定电阻器,它可以是在许多情况下是有用的,因为凸壁通常具有低的电荷泵更好
电流,并且所述内部环路滤波器可以快速锁定过程中进行调整。
这是晶体振荡器的输入引脚。它需要被交流耦合的。
如果该设备正在被驱动单端,该引脚需要被分流至地的电容器。
FTEST / LD它是一个选项,用锁从该引脚检测信息。
FOUT
CPOUT
VTUNE
R2pLF
OSCIN
OSCIN *
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4
LMX2531
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空专用设备,请向美国国家半导体销售办事处/经销商
具体可用性和规格。
参数
符号
V
CC
( VccDIG , VccVCO ,
VccBUF , VccPLL )
所有其他引脚(除
地面)
T
英镑
T
L
评级
-0.3 3.5
V
-0.3 3.0
-65到150
+ 260
°C
°C
单位
电源电压
储存温度
范围
焊接温度(焊接4秒。 )
推荐工作条件
参数
电源电压
( VccDig , VccVCO , VccBUF )
串行接口和电源控制
电压
环境温度
(注3)
符号
VCC
V
i
T
A
2.8
0
-40
典型值
3.0
最大
3.2
2.75
+85
单位
V
V
°C
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。推荐工作条件表示为条件
该设备拟功能,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气
的特点。保证规格仅适用于列出的测试条件。
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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