集成的VCO LMX2525半导体PLLatinum双频率合成器系统
2004年4月
LMX2525
半导体PLLatinum
双频率合成器系统
集成的VCO
概述
LMX2525是一个高度集成，高性能，低
电源频率合成器系统的双优化
波段日本PDC手机。采用独有的digi-
TAL锁相环技术， LMX2525产生很
用于向上和向下的稳定，低噪声的本地振荡器信号
转换中的无线通信设备。
LMX2525包括双电压控制振荡器（VCO ）
对上部和下部日本的PDC频带，环路
过滤器，和一个小数N分频锁相环射频基于Δ-Σ
调制器。在音乐会，这些块形成一个闭环射频
合成系统。射频合成器系统支持
两个频段： PDC1500和PDC800 。
串行数据通过三线传送到设备
MICROWIRE接口（ DATA ， LE ， CLK ） 。
工作电源电压范围为2.5 V至3.3 V.
LMX2525具有低电流消耗10 mA的2.8 V
在PDC800模式下操作时。
LMX2525是采用24引脚无引线引线框架封装
年龄（ LLP ） 。
特点
n
小型
5.0毫米X 4.0毫米X 0.75毫米24引脚的LLP封装
n
RF合成器系统
两个集成的VCO
集成环路滤波器
低杂散，低相位噪声小数N分频PLL射频
基于10位Σ-Δ调制器
频率分辨率下降到20千赫
n
支持多种参考频率
12.6兆赫， 14.4兆赫， 25.2MHz ， 26.0兆赫
n
快速锁定时间： 300微秒
n
低电流消耗
为10 mA 2.8 V在PDC800模式
n
2.5 V至3.3 V操作
n
数字滤波锁定检测输出
n
硬件和软件控制掉电
应用
n
日本的PDC系统，在800 MHz和1500 MHz的
频带。
功能框图
20068907
快速锁定
是美国国家半导体公司的商标。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
半导体PLLatinum
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS200689
www.national.com
LMX2525
接线图
24引脚5×4 LLP （ LQ ）包
20068902
注意：
通过公开的附加芯片焊盘模拟地相连。
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
名字
L1
L2
NC
NC
V
DD
RF1out
V
DD
RF2out
V
DD
V
CC
GND
V
CC
LE
数据
CLK
CE
BS
LD
V
CC
OSCIN
GND
V
DD
GND
V
DD
I / O
—
—
—
—
—
O
—
O
—
—
—
—
I
I
I
I
I
O
—
I
—
—
—
—
描述
RF2 VCO槽针。外部电感器是必需的引脚之间
L1和L2设定RF2的VCO （ PDC800 ）的谐振频率。
RF2 VCO槽针。外部电感器是必需的引脚之间
L1和L2设定RF2的VCO （ PDC800 ）的谐振频率。
不连接到任何节点上的印刷电路板上。
不连接到任何节点上的印刷电路板上。
电源电压RF模拟电路
RF1 VCO的PDC1500 RF输出
电源电压RF模拟电路
RF2 VCO的PDC800 RF输出
电源电压的模拟电路
电源电压数字电路
地面数字电路
电源电压数字电路
MICROWIRE锁存使能
微丝数据
MICROWIRE时钟
芯片使能控制引脚
频段选择控制引脚
锁定检测引脚
电源电压数字电路
参考频率输入
地面数字电路
电源电压的模拟电路
地面模拟电路
电源电压RF模拟电路
www.national.com
2
LMX2525
订购信息
产品型号
RF1最小。
（兆赫）
1270.22
1270.22
RF1最大。 RF1
（兆赫）
中心
（兆赫）
~1321
1394.95
1394.95
~1321
RF2最小。 RF2最大。
（兆赫）
（兆赫）
633.15
633.15
768.00
768.00
包
记号
25251321
25251321
供货方式
LMX2525LQX1321
LMX2525LQ1321
4500个单位
磁带和卷轴
1000个单位
磁带和卷轴
产品编号说明
20068903
典型应用电路
（注1 ）
20068904
注1 ：
请参阅RF2 VCO调谐范围与外部电感情节，以帮助选择合适的外部电感， PCB走线和L1 ，所需
频率范围。
3
www.national.com
LMX2525
绝对最大额定值
（注2，3，
4)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
参数
电源电压
任何引脚电压
到GND
符号
V
I
评级
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
DD
+ 0.3
-65到150
单位
V
V
V
C
推荐工作
条件
参数
环境温度
符号
T
A
最小典型最大单位
-30
25
85
3.3
C
V
电源电压（至GND ）V
CC
, V
DD
2.5
V
CC
, V
DD
-0.5到3.6
储存温度范围T
英镑
注2 ：
绝对最大额定值的界限，表明损坏
可能出现的设备。推荐工作条件表示条件
系统蒸发散的设备所拟功能，但不保证
具体的性能极限。为保证规范和测试条件
程序，请参考电气特性部分。保证specifi-
阳离子只申请上市的条件。
注3 ：
该设备是一个带有ESD高性能射频集成电路
等级
＆ LT ;
2 KV是ESD敏感。处理这种设备的组装
应在ESD保护的工作站来完成。
注4 ：
GND = 0V。
(V
IN
= 2.8 V，见典型应用电路;在标准字体限制是
对于T
A
= 25 ℃;在限额
粗体
类型从-20℃应用在整个工作温度范围内
≤
T
A
≤
75℃除非另外
明智的说明。 ）
符号
I
CC
+ I
DD
参数
电源电流（注5 ）
条件
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 00
I
CC
+ I
DD
电源电流（注6 ）
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 00
I
PD
掉电电流
CE =低或
RF_PD = 1
12.6
14.4
0.5
RF1 VCO的PDC1500
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
锁定时间
在全频范围
在高速每个频段
模式（ HS = 1 ） 。
带高速之间
模式（ HS = 1 ） 。
在全频范围
在正常模式下每个频段
（ HS = 0 ） 。
（注11 ）
在正常带之间
模式（ HS = 0 ） 。
1270.22
-5
-7
-10
-13
-2
-4
-7
-10
民
典型值
10.6
10.0
15.0
14.2
最大
12.0
12.3
11.5
11.8
16.5
16.8
15.6
15.9
20
单位
mA
mA
mA
mA
A
电气特性
I
CC
参数
基准振荡器参数
f
OSCIN
V
OSCIN
f
RF1out
P
RF1out
参考振荡器输入频率支持12.6 ， 14.4 ， 25.2
（注7 ）
和26.0兆赫。
参考振荡器输入灵敏度
频率范围（注8）
输出功率
26.0
V
CC
1394.95
1
-1
-4
-7
300
（注9 ）
300
（注9 ）
500
（注9 ）
375
（注10 ）
500
（注9 ）
400
（注10 ）
RMS相位误差
1.3
兆赫
VP-P
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
s
RF1 VCO的PDC1500
s
s
s
s
s
度
www.national.com
4
LMX2525
电气特性
(V
IN
= 2.8 V，见典型应用电路;在标准字体的限制是
T
A
= 25 ℃;在限额
粗体
类型从-20℃应用在整个工作温度范围内
≤
T
A
≤
除非另有75℃
说明） （续）
符号
L（ F）
RF1out
参数
相位噪声时， RF1 VCO的
PDC1500处于正常激活
模式（ HS = 0 ） 。
条件
@
25 kHz偏置
@
50 kHz偏置
@
100 kHz偏置
@
1 MHz偏移
民
典型值
-95
-106
-115
最大
-93
-91
-103
-101
-113
-111
-135
-133
-25
-20
-14
-11
-45
-60
-69
-75
单位
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
s
RF1 VCO的PDC1500
2
nd
谐波抑制
3
rd
谐波抑制
OB_CRL [1： 0] = 11 ，10， 01
OB_CRL [1： 0] = 00
杂散音
@
≤
25 kHz偏置
@
25千赫
@
@
＆ LT ;
OFFSET
≤
50千赫
50千赫
＆ LT ;
OFFSET
≤
100千赫
OFFSET
＆ GT ;
100千赫
633.15
-6
-9
-11
-15
-3
-6
-8
-12
RF2 VCO FOR PDC800
f
RF2out
P
RF2out
频率范围（注8）
输出功率
RF2 VCO FOR PDC800
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
锁定时间
在全频范围
在高速每个频段
模式（ HS = 1 ） 。
带高速之间
模式（ HS = 1 ） 。
在全频范围
在正常模式下每个频段
（ HS = 0 ） 。
（注11 ）
在正常带之间
模式（ HS = 0 ） 。
768.00
0
-3
-5
-9
300
（注9 ）
300
（注9 ）
500
（注9 ）
375
（注10 ）
500
（注9 ）
400
（注10 ）
RMS相位误差
L（ F）
RF2out
相位噪声时， RF2 VCO的
PDC800处于正常模式启动
（ HS = 0 ） 。
@
25 kHz偏置
@
50 kHz偏置
@
100 kHz偏置
@
1 MHz偏移
s
s
s
s
s
度
1.3
-95
-106
-115
-93
-91
-103
-101
-113
-111
-135
-133
-25
OB_CRL [1： 0] = 11 ，10， 01
OB_CRL [1： 0] = 00
-20
-14
-11
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
2
nd
谐波抑制
3
rd
谐波抑制
5
www.national.com
集成的VCO LMX2525半导体PLLatinum双频率合成器系统
2004年4月
LMX2525
半导体PLLatinum
双频率合成器系统
集成的VCO
概述
LMX2525是一个高度集成，高性能，低
电源频率合成器系统的双优化
波段日本PDC手机。采用独有的digi-
TAL锁相环技术， LMX2525产生很
用于向上和向下的稳定，低噪声的本地振荡器信号
转换中的无线通信设备。
LMX2525包括双电压控制振荡器（VCO ）
对上部和下部日本的PDC频带，环路
过滤器，和一个小数N分频锁相环射频基于Δ-Σ
调制器。在音乐会，这些块形成一个闭环射频
合成系统。射频合成器系统支持
两个频段： PDC1500和PDC800 。
串行数据通过三线传送到设备
MICROWIRE接口（ DATA ， LE ， CLK ） 。
工作电源电压范围为2.5 V至3.3 V.
LMX2525具有低电流消耗10 mA的2.8 V
在PDC800模式下操作时。
LMX2525是采用24引脚无引线引线框架封装
年龄（ LLP ） 。
特点
n
小型
5.0毫米X 4.0毫米X 0.75毫米24引脚的LLP封装
n
RF合成器系统
两个集成的VCO
集成环路滤波器
低杂散，低相位噪声小数N分频PLL射频
基于10位Σ-Δ调制器
频率分辨率下降到20千赫
n
支持多种参考频率
12.6兆赫， 14.4兆赫， 25.2MHz ， 26.0兆赫
n
快速锁定时间： 300微秒
n
低电流消耗
为10 mA 2.8 V在PDC800模式
n
2.5 V至3.3 V操作
n
数字滤波锁定检测输出
n
硬件和软件控制掉电
应用
n
日本的PDC系统，在800 MHz和1500 MHz的
频带。
功能框图
20068907
快速锁定
是美国国家半导体公司的商标。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
半导体PLLatinum
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS200689
www.national.com
LMX2525
接线图
24引脚5×4 LLP （ LQ ）包
20068902
注意：
通过公开的附加芯片焊盘模拟地相连。
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
名字
L1
L2
NC
NC
V
DD
RF1out
V
DD
RF2out
V
DD
V
CC
GND
V
CC
LE
数据
CLK
CE
BS
LD
V
CC
OSCIN
GND
V
DD
GND
V
DD
I / O
—
—
—
—
—
O
—
O
—
—
—
—
I
I
I
I
I
O
—
I
—
—
—
—
描述
RF2 VCO槽针。外部电感器是必需的引脚之间
L1和L2设定RF2的VCO （ PDC800 ）的谐振频率。
RF2 VCO槽针。外部电感器是必需的引脚之间
L1和L2设定RF2的VCO （ PDC800 ）的谐振频率。
不连接到任何节点上的印刷电路板上。
不连接到任何节点上的印刷电路板上。
电源电压RF模拟电路
RF1 VCO的PDC1500 RF输出
电源电压RF模拟电路
RF2 VCO的PDC800 RF输出
电源电压的模拟电路
电源电压数字电路
地面数字电路
电源电压数字电路
MICROWIRE锁存使能
微丝数据
MICROWIRE时钟
芯片使能控制引脚
频段选择控制引脚
锁定检测引脚
电源电压数字电路
参考频率输入
地面数字电路
电源电压的模拟电路
地面模拟电路
电源电压RF模拟电路
www.national.com
2
LMX2525
订购信息
产品型号
RF1最小。
（兆赫）
1270.22
1270.22
RF1最大。 RF1
（兆赫）
中心
（兆赫）
~1321
1394.95
1394.95
~1321
RF2最小。 RF2最大。
（兆赫）
（兆赫）
633.15
633.15
768.00
768.00
包
记号
25251321
25251321
供货方式
LMX2525LQX1321
LMX2525LQ1321
4500个单位
磁带和卷轴
1000个单位
磁带和卷轴
产品编号说明
20068903
典型应用电路
（注1 ）
20068904
注1 ：
请参阅RF2 VCO调谐范围与外部电感情节，以帮助选择合适的外部电感， PCB走线和L1 ，所需
频率范围。
3
www.national.com
LMX2525
绝对最大额定值
（注2，3，
4)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
参数
电源电压
任何引脚电压
到GND
符号
V
I
评级
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
DD
+ 0.3
-65到150
单位
V
V
V
C
推荐工作
条件
参数
环境温度
符号
T
A
最小典型最大单位
-30
25
85
3.3
C
V
电源电压（至GND ）V
CC
, V
DD
2.5
V
CC
, V
DD
-0.5到3.6
储存温度范围T
英镑
注2 ：
绝对最大额定值的界限，表明损坏
可能出现的设备。推荐工作条件表示条件
系统蒸发散的设备所拟功能，但不保证
具体的性能极限。为保证规范和测试条件
程序，请参考电气特性部分。保证specifi-
阳离子只申请上市的条件。
注3 ：
该设备是一个带有ESD高性能射频集成电路
等级
＆ LT ;
2 KV是ESD敏感。处理这种设备的组装
应在ESD保护的工作站来完成。
注4 ：
GND = 0V。
(V
IN
= 2.8 V，见典型应用电路;在标准字体限制是
对于T
A
= 25 ℃;在限额
粗体
类型从-20℃应用在整个工作温度范围内
≤
T
A
≤
75℃除非另外
明智的说明。 ）
符号
I
CC
+ I
DD
参数
电源电流（注5 ）
条件
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 00
I
CC
+ I
DD
电源电流（注6 ）
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 00
I
PD
掉电电流
CE =低或
RF_PD = 1
12.6
14.4
0.5
RF1 VCO的PDC1500
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
锁定时间
在全频范围
在高速每个频段
模式（ HS = 1 ） 。
带高速之间
模式（ HS = 1 ） 。
在全频范围
在正常模式下每个频段
（ HS = 0 ） 。
（注11 ）
在正常带之间
模式（ HS = 0 ） 。
1270.22
-5
-7
-10
-13
-2
-4
-7
-10
民
典型值
10.6
10.0
15.0
14.2
最大
12.0
12.3
11.5
11.8
16.5
16.8
15.6
15.9
20
单位
mA
mA
mA
mA
A
电气特性
I
CC
参数
基准振荡器参数
f
OSCIN
V
OSCIN
f
RF1out
P
RF1out
参考振荡器输入频率支持12.6 ， 14.4 ， 25.2
（注7 ）
和26.0兆赫。
参考振荡器输入灵敏度
频率范围（注8）
输出功率
26.0
V
CC
1394.95
1
-1
-4
-7
300
（注9 ）
300
（注9 ）
500
（注9 ）
375
（注10 ）
500
（注9 ）
400
（注10 ）
RMS相位误差
1.3
兆赫
VP-P
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
s
RF1 VCO的PDC1500
s
s
s
s
s
度
www.national.com
4
LMX2525
电气特性
(V
IN
= 2.8 V，见典型应用电路;在标准字体的限制是
T
A
= 25 ℃;在限额
粗体
类型从-20℃应用在整个工作温度范围内
≤
T
A
≤
除非另有75℃
说明） （续）
符号
L（ F）
RF1out
参数
相位噪声时， RF1 VCO的
PDC1500处于正常激活
模式（ HS = 0 ） 。
条件
@
25 kHz偏置
@
50 kHz偏置
@
100 kHz偏置
@
1 MHz偏移
民
典型值
-95
-106
-115
最大
-93
-91
-103
-101
-113
-111
-135
-133
-25
-20
-14
-11
-45
-60
-69
-75
单位
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
s
RF1 VCO的PDC1500
2
nd
谐波抑制
3
rd
谐波抑制
OB_CRL [1： 0] = 11 ，10， 01
OB_CRL [1： 0] = 00
杂散音
@
≤
25 kHz偏置
@
25千赫
@
@
＆ LT ;
OFFSET
≤
50千赫
50千赫
＆ LT ;
OFFSET
≤
100千赫
OFFSET
＆ GT ;
100千赫
633.15
-6
-9
-11
-15
-3
-6
-8
-12
RF2 VCO FOR PDC800
f
RF2out
P
RF2out
频率范围（注8）
输出功率
RF2 VCO FOR PDC800
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
锁定时间
在全频范围
在高速每个频段
模式（ HS = 1 ） 。
带高速之间
模式（ HS = 1 ） 。
在全频范围
在正常模式下每个频段
（ HS = 0 ） 。
（注11 ）
在正常带之间
模式（ HS = 0 ） 。
768.00
0
-3
-5
-9
300
（注9 ）
300
（注9 ）
500
（注9 ）
375
（注10 ）
500
（注9 ）
400
（注10 ）
RMS相位误差
L（ F）
RF2out
相位噪声时， RF2 VCO的
PDC800处于正常模式启动
（ HS = 0 ） 。
@
25 kHz偏置
@
50 kHz偏置
@
100 kHz偏置
@
1 MHz偏移
s
s
s
s
s
度
1.3
-95
-106
-115
-93
-91
-103
-101
-113
-111
-135
-133
-25
OB_CRL [1： 0] = 11 ，10， 01
OB_CRL [1： 0] = 00
-20
-14
-11
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
2
nd
谐波抑制
3
rd
谐波抑制
5
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