集成VCO LMX2515半导体PLLatinum频率合成器系统
2004年4月
LMX2515
半导体PLLatinum
频率合成器系统
集成VCO
概述
LMX2515是一个高度集成，高性能，低
电源频率合成器系统优化日本
PDC手机。采用专有的数字相
锁相环技术， LMX2515产生非常稳定，低
用于向上和向下转换的噪声本机振荡器信号
无线通信设备。
LMX2515包括一个电压控制振荡器（VCO ） ，一个
环路滤波器，和一个小数N分频锁相环射频基于Δ-Σ
调制器。在音乐会这些块形成一个闭环射频
合成系统。该LMX2515LQ0701支持Ja-
泛PDC800带和LMX2515LQ1321支持Ja-
泛PDC1500带。
串行数据通过三线传送到设备
MICROWIRE接口（ DATA ， LE ， CLK ） 。
工作电源电压范围为2.5 V至3.3 V.
LMX2515具有低电流消耗。
LMX2515是采用28引脚无引线引线框架封装
年龄（ LLP ） 。
特点
n
小型
5.0毫米×5.0毫米× 0.75毫米28引脚的LLP封装
n
RF合成器系统
集成RF VCO
集成环路滤波器
低杂散，低相位噪声小数N分频PLL射频
基于10位Σ-Δ调制器
频率分辨率下降到20千赫
n
支持多种参考频率
12.6 / 14.4 / 25.2 / 26.0兆赫
n
快速锁定时间： 300微秒
n
低电流消耗
n
2.5 V至3.3 V操作
n
数字滤波锁定检测输出
n
硬件和软件控制掉电
应用
n
日本的PDC系统，在800 MHz频段。
n
日本PDC系统在1500 MHz频段。
功能框图
20068807
快速锁定
是美国国家半导体公司的商标。
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
半导体PLLatinum
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS200688
www.national.com
LMX2515
典型应用电路
LMX2515LQ0701应用电路
（注1 ）
20068804
LMX2515LQ1321应用电路
（注2 ）
20068812
注1 ：
请参阅LMX2515LQ0701调谐范围与外部电感情节，以帮助选择合适的外部电感， PCB走线和L1 ，为
期望的频率范围。
注2 ：
无需外部电感要求。
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4
LMX2515
绝对最大额定值
（注3,4
5)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
参数
电源电压
符号
评级
单位
V
推荐工作
条件
参数
环境温度
符号
T
A
最小典型最大单位
-30 25
85
3.3
C
V
电源电压（至GND ）V
CC
, V
DD
2.5
V
CC
, V
DD
-0.5到3.6
与V的任何引脚电压
I
GND
储存温度
范围
T
英镑
-0.3到V
CC
+0.3 V
-0.3到V
DD
+0.3 V
-65到150
C
注3 ：
绝对最大额定值的界限，表明损坏
可能出现的设备。推荐工作条件表示条件
系统蒸发散的设备所拟功能，但不保证
具体的性能极限。为保证规范和测试条件
程序，请参考电气特性部分。保证specifi-
阳离子只申请上市的条件。
注4 ：
该设备是一个带有ESD高性能射频集成电路
等级
＆ LT ;
2 KV是ESD敏感。处理这种设备的组装
应在ESD保护的工作站来完成。
注5 ：
GND = 0V。
(V
IN
= 2.8 V，见典型应用电路;在标准字体限制是
对于T
A
= 25 ℃;在限额
粗体
类型从-20℃应用在整个工作温度范围内
≤
T
A
≤
75℃除非另外
明智的说明。 ）
符号
I
CC
+ I
DD
参数
电源电流
LMX2515LQ0701
条件
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1： 0] = 00
LMX2515LQ1321
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1： 0] = 00
掉电电流
基准振荡器参数
f
OSCIN
V
OSCIN
RF VCO
f
RFOUT
P
RFOUT
频率范围LMX2515LQ0701
LMX2515LQ1321
输出功率
LMX2515LQ0701
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
LMX2515LQ1321
OB_CRL [1： 0] = 11
OB_CRL [1：0 ] = 10
OB_CRL [1： 0] = 01
OB_CRL [1： 0] = 00
锁定时间
高全频范围
速度模式。
在全频范围
正常模式。
633.15
1270.22
-6
-9
-11
-15
-5
-7
-10
-13
-3
-6
-8
-12
-2
-4
-7
-10
768
1394.95
0
-3
-5
-9
1
-1
-4
-7
300
（注8）
500
（注8）
375
（注9 ）
RMS相位误差
1.3
兆赫
兆赫
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
s
s
s
度
基准振荡器输入频率
（注6 ）
参考振荡器输入灵敏度
12.6 / 14.4 / 25.2 / 26.0 MHz的
支持。
12.6
14.4
0.5
26.0
V
CC
兆赫
VP-P
CE =低或
RF_PD = 1
民
典型值
11.5
10.0
16.0
14.2
最大
13.0
13.3
11.5
11.8
17.5
17.8
15.6
15.9
20
单位
mA
mA
mA
mA
A
电气特性
I
CC
参数
5
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