LMX2470 2.6 GHz的Σ-Δ小数分频PLL，具有800 MHz的整数N分频PLL
2003年4月
LMX2470
2.6 GHz的Σ-Δ小数分频PLL，具有800 MHz的
整数N分频PLL
概述
该LMX2470是一款低功耗，高性能的Σ-Δ
小数N分频PLL与辅助整数N分频PLL 。该装置
采用美国国家半导体的先进BiC-被制造
MOS工艺。
与Δ-Σ架构，分数杂散补偿
实现与Δ-Σ的噪声整形能力
调制器和PLL回路的固有的低通滤波
过滤器。分数杂散在较低频率下会被压到
环路带宽以外更高的频率。不像模拟
记录补偿，用于数字反馈技术
的LMX2470是对温度变化具有很高的耐
和变化在晶片处理。与Δ-Σ架构设计师用手工
tecture ，推动接近鞭策和相位噪声的能力
能量以更高的频率是调制的直接函数
荡器的顺序。阶数越高，越这种能量可以是
蔓延到更高的频率。该LMX2470具有编程
序的调制器到订购4 ，它允许设计者
选择最佳的调制器，以适合的相位噪声，
刺激，并锁定该系统的时间要求。
编程是快速和简单。串行数据被转移
为通过一个三线MICROWIRE接口的LMX2470
（数据，时钟，负载启用） 。标称电源电压为2.5 V.
该LMX2470的特点是4.1的典型电流消耗
mA的2.5 V的LMX2470可在一个24引脚3.5× 4.5
×0.6毫米封装。
特点
n
n
n
n
低的带内相位噪声和低分数杂散
12位或22位可选小数模
到第四阶可编程Δ-Σ调制器
加强反周跳快速锁定电路
快速锁定
周跳减少
综合超时计数器
数字锁定检测输出
预分频器允许大范围的N值的
射频锁相环： 16/17/20/21
IF PLL ： 8/9或16/17
晶振参考频率高达110 MHz的
片上晶振参考频率倍增。
相比较频率高达30 MHz
硬件和软件关断控制
超低功耗：我
CC
= 4.1 mA（典型值）
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
蜂窝电话和基站
CDMA，WCDMA， GSM / GPRS， TDMA ，EDGE PDC
n
需要精细频率分辨率的应用
n
卫星电视和有线电视调谐器
n
WLAN标准
功能框图
20059301
2003美国国家半导体公司
DS200593
www.national.com
LMX2470
接线图
24引脚CSP （ SLE ）套餐
20059322
引脚说明
针
#
1
2
3
4
5
6
7
针
名字
CPoutRF
GND
GND
GND
finRF
FinRF *
VCCRF
I / O
O
-
-
-
I
I
射频电荷泵输出。
地
射频地
地面RF PLL数字电路。
RF预分频器输入。从VCO小的输入信号。
RF预分频器免费的输入。对于单端操作，旁路电容应
被放置在尽可能靠近此引脚和直接连接到接地平面。
RF PLL电源电压输入。必须等于VccIF 。范围从2.25V至
2.75V 。旁路电容应尽可能靠近此引脚并
直接连接到接地平面。
I
I
I
I
芯片使能输入。高阻抗CMOS输入。当EN为高电平时，芯片被供电
起来，否则它被断电。
该引脚应接地正常运行。
MICROWIRE时钟。高阻抗CMOS时钟输入。对于各种计数器的数据是
主频为上升沿的24位移位寄存器。
MICROWIRE数据。高阻抗二进制串行数据输入。
MICROWIRE负荷启用。高阻抗CMOS输入。存储在移位数据
寄存器被加载到内部锁存器当LE变为高电平
O
-
-
测试频率输出/锁定检测
中频锁相环数字供电
如果电源电压输入。必须等于VccRF 。输入范围从2.25 V至
2.75五，旁路电容应尽可能靠近此引脚并
直接连接到接地平面。
地面RF PLL数字电路。
如果预分频器输入。从VCO小的输入信号。
中频锁相环数字地
中频锁相环电荷泵输出
IF快速锁定输出。也可以作为可编程三态CMOS输出。
互补参考输入或振荡器输出。
参考输入
射频锁相环数字供电
RF快速锁定输出。也可以作为可编程三态CMOS输出。
2
引脚说明
8
9
10
11
12
13
14
15
EN
ENOSC
CLK
数据
LE
FTEST / LD
VDDIF
VCCIF
16
17
18
19
20
21
22
23
24
www.national.com
GND
finIF
GND
CPoutIF
FLoutIF
OSCOUT *
OSCIN
VDDRF
FLoutRF
-
I
-
O
O
I / O
I
-
O
LMX2470
绝对最大额定值
参数
电源电压
与GND = V任意引脚电压
SS
= 0V
存储温度范围
焊接温度（焊接4秒。 ）
（注1,2 ）
符号
V
CC
V
DD
V
i
T
s
T
L
价值
民
-0.3
V
CC
-0.3
-65
典型值
最大
3.0
V
CC
V
CC
+ 0.3
+150
+260
单位
V
V
V
C
C
推荐工作条件
参数
电源电压（注1 ）
工作温度
符号
V
CC
V
DD
T
A
价值
民
2.25
V
CC
-40
典型值
最大
2.75
V
CC
+85
单位
V
V
C
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。 "Recommended工作Conditions"注明的条件
该设备拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气
的特点。保证规格仅适用于列出的测试条件。还需要注意的是，这些最大额定值意味着在所有电源电压
VccRF ， VccIF ， VDDRF和VddIF的电源脚都是一样的。 V
CC
将被用来指代该电压加在这些引脚。
注2 ：
此设备是一个带有ESD额定值的高性能射频集成电路
＆ LT ;
2千伏，是ESD敏感。操作本设备以及大会应当只
在ESD -免费工作站来完成。
电气特性
符号
ICC参数
I
CC
RF
电源电流，射频
合成
参数
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
条件
价值
民
典型值
最大
单位
IF PLL关闭
射频锁相环开
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
中频锁相环开
RF PLL关闭
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
中频锁相环开
射频锁相环开
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
EN = ENOSC = 0V
CLK ， DATA ， LE = 0V
500
-15
RF_CPG = 0
V
CPoutRF
=V
CC
/2
RF_CPG = 1
V
CPoutRF
=V
CC
/2
...
RF_CPG = 15
V
CPoutRF
=V
CC
/2
2.7
3.9
mA
I
CC
IF
电源电流， IF
合成
1.4
2.3
mA
I
CC
总
电源电流，
全合成
4.1
6.0
mA
I
CC
PD
掉电电流
1
10
A
RF合成器参数
f
finRF
p
finRF
f
COMP
I
CPoutRF
SRCE
工作频率
输入灵敏度
鉴相器频率
RF电荷泵源
当前
100
200
...
1600
2600
0
30
兆赫
DBM
兆赫
A
A
A
A
3
www.national.com
LMX2470
电气特性
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
符号
参数
条件
价值
民
典型值
（续）
单位
最大
RF合成器参数
I
CPoutRF
SINK
RF电荷泵漏
当前
RF_CPG = 0
V
CPoutRF
=V
CC
/2
RF_CPG = 1
V
CPoutRF
=V
CC
/2
...
RF_CPG = 15
V
CPoutRF
=V
CC
/2
I
CPoutRF
三
RF电荷泵
TRI- STATE电流
大小
RF CP水槽与CP来源
不匹配
RF CP电流与CP
电压
RF CP电流 -
温度
工作频率
IF输入灵敏度
鉴相器频率
IF电荷泵源
当前
IF_CPG = 0
V
CPoutIF
= V
CC
/2
IF_CPG = 1
V
CPoutIF
= V
CC
/2
I
CPoutIF
SINK
IF电荷泵漏
当前
IF_CPG = 0
V
CPoutIF
= V
CC
/2
IF_CPG = 1
V
CPoutIF
= V
CC
/2
I
CPoutIF
三
IF电荷泵
TRI- STATE电流
大小
如果CP水槽与CP来源
不匹配
如果CP电流与CP
电压
如果CP电流 -
温度
振荡器工作
频率
振荡器输入灵敏度
振荡器输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
高电平输出电压
V
IH
= V
CC
V
IL
= 0 V
I
OH
= -500 A
-1.0
-1.0
V
CC
-0.4
0.4
≤
V
CPoutIF
≤
V
CC
RF -0.4
2
V
CPoutIF
= V
CC
/2
T
A
= 25C
0.4
≤
V
CPoutIF
≤
V
CC
-0.4
T
A
= 25C
V
CPoutIF
= V
CC
/2
10
nA
1
4
-1
-4
0.4
≤
V
CPoutRF
≤
V
CC
-0.4
2
V
CPoutRF
= V
CC
/2
T
A
= 25C
0.4
≤
V
CPoutRF
≤
V
CC
-0.4
T
A
= 25C
V
CPoutRF
= V
CC
/2
10
nA
-100
-200
...
-1600
A
A
A
A
I
CPoutRF
MIS ％
I
CPoutRF
%V
I
CPoutRF
％ TEMP
3
5
8
10
15
%
%
%
IF合成器参数
f
finIF
p
finIF
f
COMP
I
CPoutIF
SRCE
75
-15
800
0
10
兆赫
DBM
兆赫
mA
mA
mA
mA
I
CPoutIF
MIS ％
I
CPoutIF
%V
I
CPoutIF
％ TEMP
3
8
8
15
%
%
%
振荡器参数
f
OSCIN
v
OSCIN
I
OSCIN
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
OSC2X = 0
OSC2X = 1
5
5
0.5
-100
1.6
110
20
V
CC
100
V
CC
0.4
1.0
1.0
兆赫
兆赫
V
A
V
V
A
A
V
数字接口（ DATA ， CLK ， LE ， EN ， ENRF ， FTEST / LD ， FLoutRF ， FLoutIF ）
www.national.com
4
LMX2470
电气特性
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
符号
参数
条件
价值
民
典型值
（续）
单位
最大
0.4
数字接口（ DATA ， CLK ， LE ， EN ， ENRF ， FTEST / LD ， FLoutRF ， FLoutIF ）
V
OL
T
CS
T
CH
T
CWH
T
CWL
T
ES
T
EW
相位噪声
L
F1Hz
RF
RF合成器归
相位噪声贡献
（注3）
RF_CPG = 0
RF_CPG = 3
RF_CPG = 7
RF_CPG = 15
L
F1Hz
IF
IF合成归
相位噪声贡献
（注3）
适用于低和高
电流模式
-200
-206
-208
-210
-209
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
低电平输出电压
数据时钟建立时间
数据时钟保持时间
时钟脉冲宽度高
时钟脉冲宽度低
时钟加载使集
运行时间
负载使能脉冲宽度
I
OL
= 500 A
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
50
10
50
50
50
50
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
与Microwire接口时序
注3 ：
归一化的相位噪声的贡献被定义为：L
N
（ F） = L （ F） - 20log （ N） - 10log （F
COMP
）式的L（f ）被定义为单边带相位噪声
在偏移的频率f测量的，在一个1赫兹的带宽。偏移频率f ，必须选择比PLL环路带宽足够小，但足够大
避免引用来源实质性的相位噪声贡献。偏移量选择为4千赫。
MICROWIRE输入时序图
20059372
5
www.national.com
LMX2470 2.6 GHz的Σ-Δ小数分频PLL，具有800 MHz的整数N分频PLL
2003年4月
LMX2470
2.6 GHz的Σ-Δ小数分频PLL，具有800 MHz的
整数N分频PLL
概述
该LMX2470是一款低功耗，高性能的Σ-Δ
小数N分频PLL与辅助整数N分频PLL 。该装置
采用美国国家半导体的先进BiC-被制造
MOS工艺。
与Δ-Σ架构，分数杂散补偿
实现与Δ-Σ的噪声整形能力
调制器和PLL回路的固有的低通滤波
过滤器。分数杂散在较低频率下会被压到
环路带宽以外更高的频率。不像模拟
记录补偿，用于数字反馈技术
的LMX2470是对温度变化具有很高的耐
和变化在晶片处理。与Δ-Σ架构设计师用手工
tecture ，推动接近鞭策和相位噪声的能力
能量以更高的频率是调制的直接函数
荡器的顺序。阶数越高，越这种能量可以是
蔓延到更高的频率。该LMX2470具有编程
序的调制器到订购4 ，它允许设计者
选择最佳的调制器，以适合的相位噪声，
刺激，并锁定该系统的时间要求。
编程是快速和简单。串行数据被转移
为通过一个三线MICROWIRE接口的LMX2470
（数据，时钟，负载启用） 。标称电源电压为2.5 V.
该LMX2470的特点是4.1的典型电流消耗
mA的2.5 V的LMX2470可在一个24引脚3.5× 4.5
×0.6毫米封装。
特点
n
n
n
n
低的带内相位噪声和低分数杂散
12位或22位可选小数模
到第四阶可编程Δ-Σ调制器
加强反周跳快速锁定电路
快速锁定
周跳减少
综合超时计数器
数字锁定检测输出
预分频器允许大范围的N值的
射频锁相环： 16/17/20/21
IF PLL ： 8/9或16/17
晶振参考频率高达110 MHz的
片上晶振参考频率倍增。
相比较频率高达30 MHz
硬件和软件关断控制
超低功耗：我
CC
= 4.1 mA（典型值）
n
n
n
n
n
n
n
应用
n
蜂窝电话和基站
CDMA，WCDMA， GSM / GPRS， TDMA ，EDGE PDC
n
需要精细频率分辨率的应用
n
卫星电视和有线电视调谐器
n
WLAN标准
功能框图
20059301
2003美国国家半导体公司
DS200593
www.national.com
LMX2470
接线图
24引脚CSP （ SLE ）套餐
20059322
引脚说明
针
#
1
2
3
4
5
6
7
针
名字
CPoutRF
GND
GND
GND
finRF
FinRF *
VCCRF
I / O
O
-
-
-
I
I
射频电荷泵输出。
地
射频地
地面RF PLL数字电路。
RF预分频器输入。从VCO小的输入信号。
RF预分频器免费的输入。对于单端操作，旁路电容应
被放置在尽可能靠近此引脚和直接连接到接地平面。
RF PLL电源电压输入。必须等于VccIF 。范围从2.25V至
2.75V 。旁路电容应尽可能靠近此引脚并
直接连接到接地平面。
I
I
I
I
芯片使能输入。高阻抗CMOS输入。当EN为高电平时，芯片被供电
起来，否则它被断电。
该引脚应接地正常运行。
MICROWIRE时钟。高阻抗CMOS时钟输入。对于各种计数器的数据是
主频为上升沿的24位移位寄存器。
MICROWIRE数据。高阻抗二进制串行数据输入。
MICROWIRE负荷启用。高阻抗CMOS输入。存储在移位数据
寄存器被加载到内部锁存器当LE变为高电平
O
-
-
测试频率输出/锁定检测
中频锁相环数字供电
如果电源电压输入。必须等于VccRF 。输入范围从2.25 V至
2.75五，旁路电容应尽可能靠近此引脚并
直接连接到接地平面。
地面RF PLL数字电路。
如果预分频器输入。从VCO小的输入信号。
中频锁相环数字地
中频锁相环电荷泵输出
IF快速锁定输出。也可以作为可编程三态CMOS输出。
互补参考输入或振荡器输出。
参考输入
射频锁相环数字供电
RF快速锁定输出。也可以作为可编程三态CMOS输出。
2
引脚说明
8
9
10
11
12
13
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15
EN
ENOSC
CLK
数据
LE
FTEST / LD
VDDIF
VCCIF
16
17
18
19
20
21
22
23
24
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GND
finIF
GND
CPoutIF
FLoutIF
OSCOUT *
OSCIN
VDDRF
FLoutRF
-
I
-
O
O
I / O
I
-
O
LMX2470
绝对最大额定值
参数
电源电压
与GND = V任意引脚电压
SS
= 0V
存储温度范围
焊接温度（焊接4秒。 ）
（注1,2 ）
符号
V
CC
V
DD
V
i
T
s
T
L
价值
民
-0.3
V
CC
-0.3
-65
典型值
最大
3.0
V
CC
V
CC
+ 0.3
+150
+260
单位
V
V
V
C
C
推荐工作条件
参数
电源电压（注1 ）
工作温度
符号
V
CC
V
DD
T
A
价值
民
2.25
V
CC
-40
典型值
最大
2.75
V
CC
+85
单位
V
V
C
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。 "Recommended工作Conditions"注明的条件
该设备拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气
的特点。保证规格仅适用于列出的测试条件。还需要注意的是，这些最大额定值意味着在所有电源电压
VccRF ， VccIF ， VDDRF和VddIF的电源脚都是一样的。 V
CC
将被用来指代该电压加在这些引脚。
注2 ：
此设备是一个带有ESD额定值的高性能射频集成电路
＆ LT ;
2千伏，是ESD敏感。操作本设备以及大会应当只
在ESD -免费工作站来完成。
电气特性
符号
ICC参数
I
CC
RF
电源电流，射频
合成
参数
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
条件
价值
民
典型值
最大
单位
IF PLL关闭
射频锁相环开
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
中频锁相环开
RF PLL关闭
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
中频锁相环开
射频锁相环开
电荷泵TRI -STATE
OSC=0
EN = ENOSC = 0V
CLK ， DATA ， LE = 0V
500
-15
RF_CPG = 0
V
CPoutRF
=V
CC
/2
RF_CPG = 1
V
CPoutRF
=V
CC
/2
...
RF_CPG = 15
V
CPoutRF
=V
CC
/2
2.7
3.9
mA
I
CC
IF
电源电流， IF
合成
1.4
2.3
mA
I
CC
总
电源电流，
全合成
4.1
6.0
mA
I
CC
PD
掉电电流
1
10
A
RF合成器参数
f
finRF
p
finRF
f
COMP
I
CPoutRF
SRCE
工作频率
输入灵敏度
鉴相器频率
RF电荷泵源
当前
100
200
...
1600
2600
0
30
兆赫
DBM
兆赫
A
A
A
A
3
www.national.com
LMX2470
电气特性
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
符号
参数
条件
价值
民
典型值
（续）
单位
最大
RF合成器参数
I
CPoutRF
SINK
RF电荷泵漏
当前
RF_CPG = 0
V
CPoutRF
=V
CC
/2
RF_CPG = 1
V
CPoutRF
=V
CC
/2
...
RF_CPG = 15
V
CPoutRF
=V
CC
/2
I
CPoutRF
三
RF电荷泵
TRI- STATE电流
大小
RF CP水槽与CP来源
不匹配
RF CP电流与CP
电压
RF CP电流 -
温度
工作频率
IF输入灵敏度
鉴相器频率
IF电荷泵源
当前
IF_CPG = 0
V
CPoutIF
= V
CC
/2
IF_CPG = 1
V
CPoutIF
= V
CC
/2
I
CPoutIF
SINK
IF电荷泵漏
当前
IF_CPG = 0
V
CPoutIF
= V
CC
/2
IF_CPG = 1
V
CPoutIF
= V
CC
/2
I
CPoutIF
三
IF电荷泵
TRI- STATE电流
大小
如果CP水槽与CP来源
不匹配
如果CP电流与CP
电压
如果CP电流 -
温度
振荡器工作
频率
振荡器输入灵敏度
振荡器输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
高电平输出电压
V
IH
= V
CC
V
IL
= 0 V
I
OH
= -500 A
-1.0
-1.0
V
CC
-0.4
0.4
≤
V
CPoutIF
≤
V
CC
RF -0.4
2
V
CPoutIF
= V
CC
/2
T
A
= 25C
0.4
≤
V
CPoutIF
≤
V
CC
-0.4
T
A
= 25C
V
CPoutIF
= V
CC
/2
10
nA
1
4
-1
-4
0.4
≤
V
CPoutRF
≤
V
CC
-0.4
2
V
CPoutRF
= V
CC
/2
T
A
= 25C
0.4
≤
V
CPoutRF
≤
V
CC
-0.4
T
A
= 25C
V
CPoutRF
= V
CC
/2
10
nA
-100
-200
...
-1600
A
A
A
A
I
CPoutRF
MIS ％
I
CPoutRF
%V
I
CPoutRF
％ TEMP
3
5
8
10
15
%
%
%
IF合成器参数
f
finIF
p
finIF
f
COMP
I
CPoutIF
SRCE
75
-15
800
0
10
兆赫
DBM
兆赫
mA
mA
mA
mA
I
CPoutIF
MIS ％
I
CPoutIF
%V
I
CPoutIF
％ TEMP
3
8
8
15
%
%
%
振荡器参数
f
OSCIN
v
OSCIN
I
OSCIN
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
OSC2X = 0
OSC2X = 1
5
5
0.5
-100
1.6
110
20
V
CC
100
V
CC
0.4
1.0
1.0
兆赫
兆赫
V
A
V
V
A
A
V
数字接口（ DATA ， CLK ， LE ， EN ， ENRF ， FTEST / LD ， FLoutRF ， FLoutIF ）
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4
LMX2470
电气特性
(V
CC
= 2.5V ; -40℃
≤
T
A
≤
+ 85°C ，除非另有说明）
符号
参数
条件
价值
民
典型值
（续）
单位
最大
0.4
数字接口（ DATA ， CLK ， LE ， EN ， ENRF ， FTEST / LD ， FLoutRF ， FLoutIF ）
V
OL
T
CS
T
CH
T
CWH
T
CWL
T
ES
T
EW
相位噪声
L
F1Hz
RF
RF合成器归
相位噪声贡献
（注3）
RF_CPG = 0
RF_CPG = 3
RF_CPG = 7
RF_CPG = 15
L
F1Hz
IF
IF合成归
相位噪声贡献
（注3）
适用于低和高
电流模式
-200
-206
-208
-210
-209
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
低电平输出电压
数据时钟建立时间
数据时钟保持时间
时钟脉冲宽度高
时钟脉冲宽度低
时钟加载使集
运行时间
负载使能脉冲宽度
I
OL
= 500 A
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
见MICROWIRE输入时序
50
10
50
50
50
50
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
与Microwire接口时序
注3 ：
归一化的相位噪声的贡献被定义为：L
N
（ F） = L （ F） - 20log （ N） - 10log （F
COMP
）式的L（f ）被定义为单边带相位噪声
在偏移的频率f测量的，在一个1赫兹的带宽。偏移频率f ，必须选择比PLL环路带宽足够小，但足够大
避免引用来源实质性的相位噪声贡献。偏移量选择为4千赫。
MICROWIRE输入时序图
20059372
5
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