桌子，
目录
1.0简介
1.1一般产品说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1-1
1.2产品技术说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1-1
1.3可靠性/资格概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1-1
1.4技术援助。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1-1
2.0设备信息
2.1数据表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2-1
2.2模照片。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2-22
3.0进程信息
3.1工艺流程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3-1
3.2过程的详细信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3-1
3.3屏蔽序列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3-3
4.0封装信息
4.1包装材料。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4-1
4.2粘接图
4.2.1 SC- 70 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4-2
4.2.2 SOT23-5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4-3
5.0可靠性数据
5.1可靠性报告。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5-1
1.0简介
1.1一般产品说明
这个资格的小册子涵盖了通用运算放大器。这是2个不同的封装。
单运算放大器
LMV921IM5 / IM5X （ 5引脚SOT - 23封装）
LMV921IM7 / IM7X （ 5引线SC- 70封装）
1.2产品技术说明
该LMV921采用美国国家半导体的先进的亚微米硅栅BiCMOS工艺制造。
这个过程的内部名称为CS80CBi ，它采用6英寸晶圆。
1.3可靠性/资质概述
下面列出的所有可靠性测试报告的副本可在可靠性报告一节中找到5.0以后
这个资格的小册子。
1.4技术援助
美洲
电话：1-800-272-9959
传真号码： 1-800-737-7018
电子邮件： support@nsc.com
欧洲
传真： +49 （ 0 ） 1 80 10 30 85 86
电子邮件： europe.support@nsc.com
德语电话： +49 （ 0 ） 1 80 10 30 85 85
英语电话： +49 （ 0 ） 1 80 10 31 78 32
日本
联系电话： 81-3-5639-7560
传真： 81-3-5639-7507
亚太地区
传真： 65-2504466
电子邮件： sea.support@nsc.com
电话： 65-2544466
（由主叫方支付长途电话费）
看到我们的全球网络上@ http://www.national.com
LMV921资质包
1-1
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路1.8V ， 1MHz，低功耗运算放大器与
轨至轨输入和输出
1999年12月
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
1.8V ， 1MHz，低功耗运算放大器与
轨至轨输入和输出
概述
该LMV921单/双LMV922 / LMV924四是瓜尔
及担从+ 1.8V至+ 5.0V电源电压和
具有轨到轨输入和输出。这轨到轨工作
使用户能够充分利用整个电源电压的
范围内。输入共模电压范围
300mV的超越供给和输出摆幅
轨到轨卸载和内100mV的距离与轨道
600Ω负载1.8V电源。该LMV921 / LMV922 / LMV924
经过优化，在1.8V的工作，这使得它们非常适合por-
表中的两节电池供电的系统和单节锂离子电池
系统。
该
LMV921/LMV922/LMV924
展览
优秀
速度 - 功率比，实现1MHz的增益带宽积
在极低的电源电流1.8V电源电压。该
LMV921 / LMV922 / LMV924能够驱动600Ω负载
和至多具有最小振铃1000pF的容性负载。该
和100dB LMV921 / LMV922 / LMV924的高直流增益，使
它们适合于低频应用。
该LMV921 （单人）提供节省空间的SC70-5
和SOT23-5封装。该SC70-5封装是唯一
2.0X2.1X1.0mm 。这些小包装是理想的解决方案
对于面积有限的印刷电路板和便携式电子产品
如手机和PDA 。
特点
（典型值1.8V电源值;除非另有说明）
n
保证1.8V ， 2.7V和5V规格
n
轨到轨输入&输出摆幅
- 瓦特/ 600Ω负载
轨100 mV的
- 瓦特/ 2kΩ的负载
轨30 mV的
n
V
CM
300mV的超越导轨
n
90分贝增益W / 600Ω负载
n
电源电流
145A/amplifier
n
增益带宽积
1MHz
n
LMV921最大V
OS
6mV
n
LMV921的超微型， SC70-5封装
n
采用MSOP - 8封装， LMV922
n
采用TSSOP -14封装， LMV924
应用
n
n
n
n
n
n
n
无绳电话/手机
笔记本电脑
掌上电脑
PCMCIA
便携式/电池供电的电子设备
电源电流监控
电池监控
连接图
5引脚SC70-5 / SOT23-5
8引脚MSOP / SOIC
DS100979-84
顶视图
DS100979-2
顶视图
1999美国国家半导体公司
DS100979
www.national.com
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
连接图
（续）
14引脚TSSOP / SOIC
DS100979-1
顶视图
订购信息
包
温度范围
产业
-40 ° C至+ 85°C
LMV921M7
LMV921M7X
5 -PIN SOT23-5
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
8引脚SOIC
14引脚SOIC
LMV921M5
LMV921M5X
LMV922MM
LMV922MMX
LMV924MT
LMV924MTX
LMV922M
LMV922MX
LMV924M
LMV924MX
包装
记号
A21
A21
A29A
A29A
LMV922
LMV922
LMV924
LMV924
LMV922M
LMV922M
LMV924M
LMV924M
传输介质
NSC
制图
MAA05A
5引脚SC70-5
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
MA05B
MUA08A
MTC14
M08A
M14A
www.national.com
2
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
机器型号
人体模型
差分输入电压
电源电压（V
+
–V
)
输出短路到V
+
（注3）
输出短路V（注3 ）
存储温度范围
结温（注4 ）
安装温度。
红外线或对流（ 20秒）
235C
-65_C到150_C
150C
工作额定值
（注1 ）
电源电压
温度范围
热阻（ θ
JA
)
超微型SC70-5封装
5引脚表面贴装
微小的SOT23-5封装
5引脚表面贴装
MSOP封装
8引脚表面贴装
TSSOP封装
14 - pin表面贴装
SOIC封装
8引脚表面贴装
14 - pin表面贴装
1.5V至5.0V
40C
≤
T
J
≤
85C
100V
2000V
440 ° C / W
265 ° C / W
235C/W
155C/W
175C/W
127C/W
±
电源电压
5.5V
1.8V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
参数
输入失调电压
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
TCV
OS
I
B
I
OS
I
S
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
电源电流
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
CMRR
共模抑制比
0
≤
V
CM
≤
0.6V
0.2V
≤
V
CM
≤
0V
1.8V
≤
V
CM
≤
2.0V
PSRR
V
CM
电源抑制比
输入共模电压
范围
1.8V
≤
V
+
≤
5V,
V
CM
= 0.5V
对于CMRR
≥
50dB
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.8
1.8
1
12
2
145
330
560
82
74
78
-0.3
2.15
35
50
25
40
185
205
400
550
700
850
62
60
50
67
62
-0.2
0
2.0
1.8
77
73
80
75
65
61
68
63
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
A
最大
范围
（注6 ）
6
8
8
9.5
单位
mV
最大
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
A
V
大信号电压增益
LMV921 （单）
R
L
= 600Ω至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
R
L
=为2kΩ至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
91
95
79
83
大信号电压增益
LMV922 （双）
LMV924 （四）
R
L
= 600Ω至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
R
L
=为2kΩ至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
dB
民
3
www.national.com
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
1.8V DC电气特性
符号
V
O
参数
输出摆幅
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
R
L
= 600Ω至0.9V
V
IN
=
±
100mV
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.7
0.075
范围
（注6 ）
1.65
1.63
0.090
0.105
1.75
1.74
0.035
0.040
4
3.3
7
5
单位
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
R
L
=为2kΩ至0.9V
V
IN
=
±
100mV
1.77
0.025
I
O
输出短路电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
= 100mV的
下沉，V
O
= 1.8V
V
IN
= -100mV
6
10
1.8V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
安培到隔离放大器
F = 1千赫，V
CM
= 0.5V
F = 1千赫
F = 1kHz时，A
V
= +1
R
L
= 600kΩ ，V
IN
= 1 V
PP
（注8）
（注7 ）
条件
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
0.39
1
60
10
45
0.1
单位
V / μs的
兆赫
度。
dB
0.089
140
%
dB
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
参数
输入失调电压
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
TCV
OS
I
B
I
OS
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.6
1.6
1
12
2
35
50
25
40
范围
（注6 ）
6
8
8
9.5
单位
mV
最大
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
www.national.com
4
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
2.7V DC电气特性
符号
I
S
参数
电源电流
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
CMRR
共模抑制比
0V
≤
V
CM
≤
1.5V
0.2V
≤
V
CM
≤
0V
2.7V
≤
V
CM
＆ LT ;
2.9V
PSRR
V
CM
电源抑制比
输入共模电压
范围
1.8V
≤
V
+
≤
5V,
V
CM
= 0.5V
对于CMRR
≥
50dB
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
147
380
580
84
73
78
-0.3
3.050
范围
（注6 ）
190
210
450
600
750
900
62
60
50
67
62
-0.2
0
2.9
2.7
80
75
83
77
68
63
71
65
2.550
2.530
0.095
0.115
2.650
2.640
0.040
0.045
20
15
22
16
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
uA
最大
单位
A
V
大信号电压增益
LMV921 （单）
R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
98
103
86
91
2.62
0.075
大信号电压增益
LMV922 （双）
LMV924 （四）
V
O
输出摆幅
R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 600Ω至1.35V
V
IN
=
±
100mV
dB
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
R
L
=为2kΩ到1.35V
V
IN
=
±
100mV
2.675
0.025
I
O
输出短路电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
= 100mV的
下沉，V
O
= 2.7V
V
IN
= -100mV
27
28
2.7V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
F = 1千赫，V
CM
= 0.5V
F = 1千赫
参数
（注7 ）
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和
典型值
（注5 ）
0.41
1
65
10
45
0.1
单位
V / μs的
兆赫
度。
dB
条件
5
www.national.com
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路1.8V ， 1MHz，低功耗运算放大器与
轨至轨输入和输出
1999年12月
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
1.8V ， 1MHz，低功耗运算放大器与
轨至轨输入和输出
概述
该LMV921单/双LMV922 / LMV924四是瓜尔
及担从+ 1.8V至+ 5.0V电源电压和
具有轨到轨输入和输出。这轨到轨工作
使用户能够充分利用整个电源电压的
范围内。输入共模电压范围
300mV的超越供给和输出摆幅
轨到轨卸载和内100mV的距离与轨道
600Ω负载1.8V电源。该LMV921 / LMV922 / LMV924
经过优化，在1.8V的工作，这使得它们非常适合por-
表中的两节电池供电的系统和单节锂离子电池
系统。
该
LMV921/LMV922/LMV924
展览
优秀
速度 - 功率比，实现1MHz的增益带宽积
在极低的电源电流1.8V电源电压。该
LMV921 / LMV922 / LMV924能够驱动600Ω负载
和至多具有最小振铃1000pF的容性负载。该
和100dB LMV921 / LMV922 / LMV924的高直流增益，使
它们适合于低频应用。
该LMV921 （单人）提供节省空间的SC70-5
和SOT23-5封装。该SC70-5封装是唯一
2.0X2.1X1.0mm 。这些小包装是理想的解决方案
对于面积有限的印刷电路板和便携式电子产品
如手机和PDA 。
特点
（典型值1.8V电源值;除非另有说明）
n
保证1.8V ， 2.7V和5V规格
n
轨到轨输入&输出摆幅
- 瓦特/ 600Ω负载
轨100 mV的
- 瓦特/ 2kΩ的负载
轨30 mV的
n
V
CM
300mV的超越导轨
n
90分贝增益W / 600Ω负载
n
电源电流
145A/amplifier
n
增益带宽积
1MHz
n
LMV921最大V
OS
6mV
n
LMV921的超微型， SC70-5封装
n
采用MSOP - 8封装， LMV922
n
采用TSSOP -14封装， LMV924
应用
n
n
n
n
n
n
n
无绳电话/手机
笔记本电脑
掌上电脑
PCMCIA
便携式/电池供电的电子设备
电源电流监控
电池监控
连接图
5引脚SC70-5 / SOT23-5
8引脚MSOP / SOIC
DS100979-84
顶视图
DS100979-2
顶视图
1999美国国家半导体公司
DS100979
www.national.com
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
连接图
（续）
14引脚TSSOP / SOIC
DS100979-1
顶视图
订购信息
包
温度范围
产业
-40 ° C至+ 85°C
LMV921M7
LMV921M7X
5 -PIN SOT23-5
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
8引脚SOIC
14引脚SOIC
LMV921M5
LMV921M5X
LMV922MM
LMV922MMX
LMV924MT
LMV924MTX
LMV922M
LMV922MX
LMV924M
LMV924MX
包装
记号
A21
A21
A29A
A29A
LMV922
LMV922
LMV924
LMV924
LMV922M
LMV922M
LMV924M
LMV924M
传输介质
NSC
制图
MAA05A
5引脚SC70-5
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
轨道
2.5K单位磁带和卷轴
MA05B
MUA08A
MTC14
M08A
M14A
www.national.com
2
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
机器型号
人体模型
差分输入电压
电源电压（V
+
–V
)
输出短路到V
+
（注3）
输出短路V（注3 ）
存储温度范围
结温（注4 ）
安装温度。
红外线或对流（ 20秒）
235C
-65_C到150_C
150C
工作额定值
（注1 ）
电源电压
温度范围
热阻（ θ
JA
)
超微型SC70-5封装
5引脚表面贴装
微小的SOT23-5封装
5引脚表面贴装
MSOP封装
8引脚表面贴装
TSSOP封装
14 - pin表面贴装
SOIC封装
8引脚表面贴装
14 - pin表面贴装
1.5V至5.0V
40C
≤
T
J
≤
85C
100V
2000V
440 ° C / W
265 ° C / W
235C/W
155C/W
175C/W
127C/W
±
电源电压
5.5V
1.8V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
参数
输入失调电压
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
TCV
OS
I
B
I
OS
I
S
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
电源电流
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
CMRR
共模抑制比
0
≤
V
CM
≤
0.6V
0.2V
≤
V
CM
≤
0V
1.8V
≤
V
CM
≤
2.0V
PSRR
V
CM
电源抑制比
输入共模电压
范围
1.8V
≤
V
+
≤
5V,
V
CM
= 0.5V
对于CMRR
≥
50dB
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.8
1.8
1
12
2
145
330
560
82
74
78
-0.3
2.15
35
50
25
40
185
205
400
550
700
850
62
60
50
67
62
-0.2
0
2.0
1.8
77
73
80
75
65
61
68
63
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
A
最大
范围
（注6 ）
6
8
8
9.5
单位
mV
最大
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
A
V
大信号电压增益
LMV921 （单）
R
L
= 600Ω至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
R
L
=为2kΩ至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
91
95
79
83
大信号电压增益
LMV922 （双）
LMV924 （四）
R
L
= 600Ω至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
R
L
=为2kΩ至0.9V ，
V
O
= 0.2V至1.6V ，V
CM
= 0.5V
dB
民
3
www.national.com
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
1.8V DC电气特性
符号
V
O
参数
输出摆幅
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
R
L
= 600Ω至0.9V
V
IN
=
±
100mV
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.7
0.075
范围
（注6 ）
1.65
1.63
0.090
0.105
1.75
1.74
0.035
0.040
4
3.3
7
5
单位
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
R
L
=为2kΩ至0.9V
V
IN
=
±
100mV
1.77
0.025
I
O
输出短路电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
= 100mV的
下沉，V
O
= 1.8V
V
IN
= -100mV
6
10
1.8V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 1.8V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
THD
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
安培到隔离放大器
F = 1千赫，V
CM
= 0.5V
F = 1千赫
F = 1kHz时，A
V
= +1
R
L
= 600kΩ ，V
IN
= 1 V
PP
（注8）
（注7 ）
条件
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
0.39
1
60
10
45
0.1
单位
V / μs的
兆赫
度。
dB
0.089
140
%
dB
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
参数
输入失调电压
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
TCV
OS
I
B
I
OS
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
1.6
1.6
1
12
2
35
50
25
40
范围
（注6 ）
6
8
8
9.5
单位
mV
最大
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
www.national.com
4
LMV921单/双LMV922 / LMV924四路
2.7V DC电气特性
符号
I
S
参数
电源电流
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
LMV921 （单）
LMV922 （双）
LMV924 （四）
CMRR
共模抑制比
0V
≤
V
CM
≤
1.5V
0.2V
≤
V
CM
≤
0V
2.7V
≤
V
CM
＆ LT ;
2.9V
PSRR
V
CM
电源抑制比
输入共模电压
范围
1.8V
≤
V
+
≤
5V,
V
CM
= 0.5V
对于CMRR
≥
50dB
= 0V, V
CM
= V
+
/2, V
O
= V
+
/ 2和
典型值
（注5 ）
147
380
580
84
73
78
-0.3
3.050
范围
（注6 ）
190
210
450
600
750
900
62
60
50
67
62
-0.2
0
2.9
2.7
80
75
83
77
68
63
71
65
2.550
2.530
0.095
0.115
2.650
2.640
0.040
0.045
20
15
22
16
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
dB
民
uA
最大
单位
A
V
大信号电压增益
LMV921 （单）
R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
98
103
86
91
2.62
0.075
大信号电压增益
LMV922 （双）
LMV924 （四）
V
O
输出摆幅
R
L
= 600Ω至1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 2kΩ的到1.35V ，
V
O
= 0.2V至2.5V
R
L
= 600Ω至1.35V
V
IN
=
±
100mV
dB
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
R
L
=为2kΩ到1.35V
V
IN
=
±
100mV
2.675
0.025
I
O
输出短路电流
采购，V
O
= 0V
V
IN
= 100mV的
下沉，V
O
= 2.7V
V
IN
= -100mV
27
28
2.7V AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25°C 。 V
+
= 2.7V, V
R
L
＆ GT ;
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
Φ
m
G
m
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
F = 1千赫，V
CM
= 0.5V
F = 1千赫
参数
（注7 ）
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= 1.35V和
典型值
（注5 ）
0.41
1
65
10
45
0.1
单位
V / μs的
兆赫
度。
dB
条件
5
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