LMV851单/双LMV852 / LMV854四路8 MHz的低功耗CMOS ， EMI强化运行
放大器器
2007年10月
LMV851/LMV852/LMV854
8 MHz的低功耗CMOS ， EMI强化运行
放大器器
概述
美国国家半导体的LMV851 / LMV852 / LMV854是CMOS输入，低
功率运算放大器IC ，提供低输入偏置电流，宽
-40 ° C至+ 125°C和出色的per-温度范围
formance ，使它们坚固的通用零件。额外
倚重的LMV851 / LMV852 / LMV854是EMI硬化
尽量减少任何干扰，所以他们是理想的EMI敏感
应用程序。单位增益稳定的LMV851 / LMV852 / LMV854
带宽功能的8 MHz ，而功耗仅为0.4毫安
目前每通道。这些部件也保持稳定
容性负载大到200 pF的。该LMV851 / LMV852 /
LMV854提供条件优越的性能和经济性
电源和空间使用情况。该系列器件具有马克西
为1 mV ，轨到轨输出级妈妈的输入失调电压
和一个输入共模电压范围，其中包括
地面上。在一个工作电源电压范围为2.7V至5.5V的
LMV851 / LMV852 / LMV854提供了一个共模抑制比为92分贝，和
PSRR为93分贝。该LMV851 / LMV852 / LMV854提供
在节省空间的5引脚SC70封装， 8引脚MSOP
和14引脚TSSOP封装。
特点
除非另有说明，在T典型值
A
= 25°C,
V
供应
= 3.3V
2.7V至5.5V
■
电源电压
0.4毫安
■
电源电流（每通道）
1 mV的最大
■
输入失调电压
0.1帕
■
输入偏置电流
GBW
8兆赫
■
87分贝
■
EMIRR在1.8GHz
11内华达州/
√
Hz
■
在1 kHz输入噪声电压
4.5 V / μs的
■
压摆率
轨到轨
■
输出电压摆幅
30毫安
■
输出电流驱动
工作环境温度范围-40 ° C至125°C
■
应用
■
■
■
■
■
■
光电二极管前置放大器
压电式传感器
便携式/电池供电的电子设备
过滤器/缓冲器
掌上电脑/手机配件
医疗诊断设备
典型用途
传感器放大器靠近射频源
20202101
2007美国国家半导体公司
202021
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LMV851单/双LMV852 / LMV854四路
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
充电设备型号
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
2千伏
1千伏
200V
电源电压
6V
V
+
+0.4V
V
0.4V
（注4 ）
存储温度范围
结温（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
+260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压（V
+
– V
)
（注1 ）
-40 ° C至+ 125°C
2.7V至5.5V
313 ° C / W
217 ° C / W
135 ° C / W
封装热阻（ θ
JA
（注3） ）
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
3.3V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
（注10 ）
输入偏置电流
（注10 ）
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
EMI抑制比，IN +和IN
（注8）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±0.26
（注9 ）
±0.4
（注9 ）
0.1
1
-0.2V < V
CM
＆ LT ; V
+
- 1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 400 MHz的
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 900兆赫
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 1800兆赫
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 2400 MHz的
CMVR
A
VOL
输入共模电压范围CMRR
≥
76分贝
大信号电压增益
（注11 ）
R
L
= 2 k,
V
OUT
= 0.15V到1.65V ，
V
OUT
= 3.15V到1.65V
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至1.65V ，
V
OUT
= 3.2V至1.65V
V
O
输出摆幅高，
（从V测
+
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低，
（从V测
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.2
100
97
100
97
114
76
75
75
74
92
（注9 ）
93
（注9 ）
64
78
87
90
2.1
V
dB
最大
（注6 ）
±1
±1.2
±2
10
500
单位
mV
μV/°C
pA
pA
dB
dB
115
dB
31
7
26
6
35
43
10
12
32
43
11
14
mV
mV
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2
LMV851单/双LMV852 / LMV854四路
符号
I
O
参数
输出短路电流
条件
采购，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= 100 mV的
下沉，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= -100 mV的
民
（注6 ）
25
20
28
20
典型值
（注5 ）
28
31
0.42
0.79
1.54
4.5
8
62
最大
（注6 ）
单位
mA
I
S
电源电流
LMV851
LMV852
LMV854
0.50
0.58
0.90
1.06
1.67
1.99
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
PA /
pF
%
mA
SR
GBW
Φ
m
e
n
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
压摆率（注7 ）
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
A
V
= +1, V
OUT
= 1 V
PP
,
10 ％至90％
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
F = 6兆赫
11
10
0.005
400
11
6
F = 1千赫，A
V
= 1 ， BW = >500千赫
（注4 ）
0.006
5V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
EMIRR
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
（注10 ）
输入偏置电流
（注10 ）
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
EMI抑制比，IN +和IN
（注8）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
= 10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±0.26
（注9 ）
±0.4
（注9 ）
0.1
1
0.2V
≤
V
CM
≤
V
+
1.2V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V,
V
OUT
= 1V
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 400 MHz的
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 900兆赫
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 1800兆赫
V
RFpeak
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
),
F = 2400 MHz的
CMVR
输入共模电压范围CMRR
≥
77分贝
0.2
77
76
75
74
94
（注9 ）
93
（注9 ）
64
76
84
89
3.8
V
dB
最大
（注6 ）
±1
±1.2
±2
10
500
单位
mV
μV/°C
pA
pA
dB
dB
3
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LMV851单/双LMV852 / LMV854四路
符号
A
VOL
参数
大信号电压增益
（注11 ）
条件
R
L
= 2 k,
V
OUT
= 0.15V至2.5V ，
V
OUT
= 4.85V到2.5V
R
L
= 10 k,
V
OUT
= 0.1V至2.5V ，
V
OUT
= 4.9V至2.5V
民
（注6 ）
105
102
105
102
典型值
（注5 ）
118
最大
（注6 ）
单位
120
dB
V
O
输出摆幅高，
（从V测
+
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
34
7
31
7
60
48
58
44
65
62
0.43
0.82
1.59
4.5
8
64
39
47
11
13
38
50
12
15
mV
输出摆幅低，
（从V测
)
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
mV
I
O
输出短路电流
采购，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= 100 mV的
下沉，V
OUT
= V
CM
,
V
IN
= -100 mV的
mA
I
S
电源电流
LMV851
LMV852
LMV854
0.52
0.60
0.93
1.09
1.73
2.05
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
PA /
pF
%
mA
SR
GBW
Φ
m
e
n
i
n
R
OUT
C
IN
THD + N
压摆率（注7 ）
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
闭环输出阻抗
共模输入电容
差模输入电容
总谐波失真+噪声
A
V
= +1, V
OUT
= 2 V
PP
,
10 ％至90％
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
F = 6兆赫
11
10
0.005
400
11
6
F = 1千赫，A
V
= 1 ， BW = >500千赫
0.003
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC ）的现场
感应电荷，设备型号，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
该装置。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注6 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注7 ：
指定的数字的正负转换速率越慢。
注8 ：
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log （V
RFpeak
/ΔV
OS
).
注9 ：
典型的值是通过将绝对值变换到分配，然后取所得到的分布的统计平均值来计算
注10 ：
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
注11 ：
在指定的范围表示的测量值的下为每个输出范围的条件。
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4
LMV851单/双LMV852 / LMV854四路
连接图
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20202102
顶视图
20202103
顶视图
20202104
顶视图
订购信息
包
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV851MG
LMV851MGX
LMV852MM
LMV852MMX
LMV854MT
LMV854MTX
包装标志
A98
AB5A
LMV854MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MUA08A
MTC14
5
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