LMV841 / LMV842 / LMV842Q / LMV844 / LMV844Q CMOS输入， RRIO ，宽电源范围
运算放大器
LMV841/LMV842/LMV842Q/
LMV844/LMV844Q
2009年8月11日
CMOS输入， RRIO ，宽电源电压范围工作
放大器器
概述
该LMV841 / LMV842 / LMV844是低电压和低电源为电源
呃，随着电源电压下工作的运算放大器
电压范围为2.7V至12V ，并具有轨到轨输入和输出
能力。它们的低失调电压，低电源电流，并
MOS输入，使其理想用于传感器接口和电池 -
供电的应用。
单LMV841提供了节省空间的5引脚SC70
封装， 8引脚MSOP和8引脚双LMV842
SOIC封装，以及14引脚TSSOP封装的四LMV844
和14引脚SOIC封装。这些小包装的理想选择
对于面积有限的印刷电路板和便携式elec-解决方案
TRONICS 。
该LMV842Q和LMV844Q结合增强的制造
facturing和支持流程，为汽车市场，
包括缺陷检测方法。
可靠性鉴定符合要求，
在AEC -Q100标准规定的温度等级。
特点
除非另有说明，在T典型值
A
= 25 ° C，V
+
= 5V.
■
节省空间的5引脚SC70封装
■
电源电压范围为2.7V至12V
■
保证在3.3V ， 5V和± 5V
每通道1毫安
■
低电源电流
4.5MHz
■
单位增益带宽
133dB
■
开环增益
500μV
最大
■
输入失调电压
0.3pA
■
输入偏置电流
112dB
■
CMRR
输入电压噪声
20nV/
√
Hz
■
-40_C到125_C
■
温度范围
■
轨到轨输入
■
轨到轨输出
■
该LMV842Q和LMV844Q是AEC - Q100 1级
合格的汽车级制造
流动。
应用
■
■
■
■
■
■
高阻抗传感器接口
电池供电的仪器
高增益放大器
DAC缓冲器
仪表放大器器
主动滤池
典型应用
20168301
2009美国国家半导体公司
201683
www.national.com
LMV841/LMV842/LMV842Q/LMV844/LMV844Q
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
输入电流
存储温度范围
结温（注3 ）
2千伏
200V
-300 mV的
13.2V
+
+0.3V, V
0.3V
V
10毫安
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
（注4 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度。 （10秒）的
235°C
260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压（V
+
– V
)
（注1 ）
-40 ° C至+ 125°C
2.7V至12V
334 ° C / W
205 ° C / W
126 ° C / W
110℃ / W
93 ° C / W
封装热阻[ θ
JA
（注3） ]
5引脚SC70
8引脚MSOP
8引脚SOIC
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
3.3V电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移（注7 ）
输入偏置电流
（注7,8）
输入失调电流
共模抑制比
LMV841
共模抑制比
LMV842和LMV844
电源抑制比
输入共模电压范围
0V
≤
V
CM
≤
3.3V
0V
≤
V
CM
≤
3.3V
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
O
= V
+
/2
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 2 k
V
O
= 0.3V至3.0V
R
L
= 10 k
V
O
= 0.2V至3.1V
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
采购V
O
= V
+
/2
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= V
+
/2
V
IN
= -100 mV的
每通道
A
V
= +1, V
O
= 2.3 V
PP
10 ％至90％
20
15
20
15
84
80
77
75
86
82
–0.1
100
96
100
96
123
131
52
28
65
33
32
27
0.93
1.5
2
80
120
50
70
100
120
65
75
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±50
0.5
0.3
40
112
106
108
3.4
最大
（注6 ）
±500
±800
±5
10
300
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
dB
V
dB
dB
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
V / μs的
兆赫
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
大信号电压增益
输出摆幅高，
（从V测
+
)
V
O
输出摆幅低，
（从V测
)
I
O
输出短路电流
（注3,9）
I
S
SR
GBW
电源电流
压摆率（注10 ）
增益带宽积
2.5
4.5
www.national.com
2
LMV841/LMV842/LMV842Q/LMV844/LMV844Q
符号
Φ
m
e
n
R
OUT
THD + N
C
IN
相位裕度
参数
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
67
20
70
0.005
7
最大
（注6 ）
单位
度
内华达州/
Ω
%
pF
输入参考电压噪声
开环输出阻抗
总谐波失真+噪声
输入电容
F = 1千赫
F = 3兆赫
F = 1千赫，A
V
= 1
R
L
= 10 k
5V电气特性
（注4 ）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移（注7 ）
输入偏置电流
（注7,8）
输入失调电流
共模抑制比
LMV841
共模抑制比
LMV842和LMV844
电源抑制比
输入共模电压范围
0V
≤
V
CM
≤
5V
0V
≤
V
CM
≤
5V
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
O
= V
+
/2
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 2 k
V
O
= 0.3V至4.7V
R
L
= 10 k
V
O
= 0.2V至4.8V
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
采购V
O
= V
+
/2
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= V
+
/2
V
IN
= -100 mV的
每通道
A
V
= +1, V
O
= 4 V
PP
10 ％至90％
20
15
20
15
86
80
81
79
86
82
0.2
100
96
100
96
125
133
68
32
78
38
33
28
0.96
1.5
2
100
120
50
70
120
140
70
80
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±50
0.35
0.3
40
112
106
108
5.2
最大
（注6 ）
±500
±800
±5
10
300
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
dB
V
dB
dB
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
Ω
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
大信号电压增益
输出摆幅高，
（从V测
+
)
V
O
输出摆幅低，
（从V测
-
)
I
O
输出短路电流
（注3,9）
I
S
SR
GBW
Φ
m
e
n
R
OUT
电源电流
压摆率（注10 ）
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
开环输出阻抗
2.5
4.5
67
F = 1千赫
F = 3兆赫
20
70
3
www.national.com
LMV841/LMV842/LMV842Q/LMV844/LMV844Q
符号
THD + N
C
IN
参数
总谐波失真+噪声
输入电容
条件
F = 1千赫，A
V
= 1
R
L
= 10 k
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
0.003
6
最大
（注6 ）
单位
%
pF
± 5V电气特性
（注4 ）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= –5V, V
CM
= 0V ，且R
L
> 10MΩ到V
CM
.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移（注7 ）
输入偏置电流
（注7,8）
输入失调电流
共模抑制比
LMV841
共模抑制比
LMV842和LMV844
电源抑制比
输入共模电压范围
–5V
≤
V
CM
≤
5V
–5V
≤
V
CM
≤
5V
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
O
= 0V
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 2k
V
O
= -4.7V至4.7V
R
L
= 10k
V
O
= -4.8V至4.8V
R
L
=为2kΩ至0V
R
L
= 10kΩ至0V
R
L
=为2kΩ至0V
R
L
= 10kΩ至0V
采购V
O
= 0V
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= 0V
V
IN
= -100 mV的
每通道
A
V
= +1, V
O
= 9V
PP
10 ％至90％
20
15
20
15
86
80
86
80
86
82
5.2
100
96
100
96
126
136
95
44
105
52
37
29
1.03
1.7
2
130
155
75
95
160
200
80
100
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
±50
0.25
0.3
40
112
106
108
5.2
最大
（注6 ）
±500
±800
±5
10
300
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
dB
V
dB
dB
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
Ω
%
pF
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
大信号电压增益
输出摆幅高，
（从V测
+
)
V
O
输出摆幅低，
（从V测
)
I
O
输出短路电流
（注3,9）
I
S
SR
GBW
Φ
m
e
n
R
OUT
THD + N
C
IN
电源电流
压摆率（注10 ）
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
开环输出阻抗
总谐波失真+噪声
输入电容
2.5
4.5
67
F = 1kHz时
F = 3MHz的
F = 1kHz时，A
V
= 1
R
L
= 10k
20
70
0.006
3
www.national.com
4
LMV841/LMV842/LMV842Q/LMV844/LMV844Q
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC ）的现场
感应电荷，设备型号，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
) / θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
该装置。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注6 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注7 ：
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
注8 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注9 ：
短路试验是一时的考验。
注10 ：
指定的数字的正负转换速率越慢。
连接图
5引脚SC70
8引脚SOIC和MSOP
20168302
顶视图
20168303
顶视图
14引脚SOIC和TSSOP
20168304
顶视图
5
www.national.com
LMV841 ， LMV842 ， LMV844
www.ti.com
SNOSAT1G - 2006年10月 - 修订2013年2月
LMV841 / LMV841Q / LMV842 / LMV842Q / LMV844 / LMV844Q CMOS输入， RRIO ，宽电源
范围运算放大器
检查样品：
LMV841 ， LMV842 ， LMV844
1
特点
除非另有说明，在T典型值
A
=
25 ° C，V
+
= 5V.
节省空间的5引脚SC70封装
电源电压范围为2.7V至12V
保证在3.3V ， 5V和± 5V
每个通道的低电源电流1mA
单位增益带宽4.5MHz
开环增益133分贝
输入失调电压最大值500μV
输入偏置电流为0.3Pa
CMRR 112分贝
输入电压噪声20nV / √Hz的
温度范围
40°C
至125℃
轨到轨输入
轨到轨输出
该LMV841Q ， LMV842Q和LMV844Q是
AEC - Q100 1级资格，并
在生产汽车级流量。
应用
高阻抗传感器接口
电池供电的仪器
高增益放大器
DAC缓冲器
仪表放大器器
主动滤池
2
描述
该LMV841 / LMV842 / LMV844是低电压，
低功耗与操作运算放大器
电源电压范围为2.7V至12V ，并具有
轨到轨输入和输出能力。它们的低失调
电压，低电源电流， MOS输入使
非常适合传感器接口和电池供电
应用程序。
单LMV841提供了节省空间的5-
引脚SC70封装， 8引脚双LMV842
VSSOP和8引脚SOIC封装，以及四
LMV844的14引脚TSSOP和14引脚SOIC
包。这些小包装是理想的解决方案
对于面积有限的印刷电路板和便携式
电子产品。
该LMV841Q ， LMV842Q和LMV844Q合并
加强制造过程和支持过程
在汽车市场，包括缺陷检测
方法。
可靠性鉴定符合的
在规定的要求和温度等级
AEC - Q100标准。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMV841 ， LMV842 ， LMV844
SNOSAT1G - 2006年10月 - 修订2013年2月
www.ti.com
典型应用
V
IN
-
-
+
+
有源带通滤波器
传感器
R
S
-
+
R
S
V
S
+
-
+
-
负载
高阻抗传感器接口
CMOS输入功能
高压侧电流检测
轨至轨输入和输出功能
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
ESD容差
(3)
(1) (2)
人体模型
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
输入电流
存储温度范围
结温
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度。 （10秒）的
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
+
2千伏
200V
-300 mV的
13.2V
V +0.3V, V
0.3V
10毫安
65°C
至+ 150°C
+150°C
235°C
260°C
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能不被保证。为保证规范和测试
环境，请参阅电气特性表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商
可用性和规格。
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。的JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。
JEDEC ）感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
2
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产品文件夹链接：
LMV841 LMV842 LMV844
LMV841 ， LMV842 ， LMV844
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SNOSAT1G - 2006年10月 - 修订2013年2月
(1)
工作额定值
温度范围
+
(2)
40°C
至+ 125°C
2.7V至12V
334 ° C / W
205 ° C / W
126 ° C / W
110℃ / W
93 ° C / W
电源电压（V - V）
封装热阻[ θ
JA （2）
]
5引脚SC70
8针VSSOP
8引脚SOIC
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
(1)
(2)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能不被保证。为保证规范和测试
环境，请参阅电气特性表。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
(1)
3.3V电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
(4) (5)
(4)
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
dB
±50
0.5
0.3
40
0V
≤
V
CM
≤
3.3V
84
80
77
75
86
82
–0.1
100
96
100
96
123
131
52
28
65
33
112
106
108
±500
±800
±5
10
300
输入失调电流
共模抑制比LMV841
CMRR
共模抑制比LMV842
0V
≤
V
CM
≤
3.3V
和LMV844
电源抑制比
输入共模电压范围
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
O
= V
+
/2
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 2 k
V
O
= 0.3V至3.0V
R
L
= 10 k
V
O
= 0.2V至3.1V
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
PSRR
CMVR
3.4
V
dB
dB
A
VOL
大信号电压增益
输出摆幅高，
（从V测
+
)
V
O
输出摆幅低，
（从V测
)
80
120
50
70
100
120
65
75
mV
mV
mV
mV
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热装置的。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关性保证
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在
运生产材料。
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
正电流对应的电流流动到装置中。
提交文档反馈
3
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
产品文件夹链接：
LMV841 LMV842 LMV844
LMV841 ， LMV842 ， LMV844
SNOSAT1G - 2006年10月 - 修订2013年2月
www.ti.com
3.3V电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3.3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
参数
条件
采购V
O
= V
+
/2
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= V
+
/2
V
IN
=
100
mV
每通道
A
V
= +1, V
O
= 2.3 V
PP
10 ％至90％
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
mA
mA
I
O
输出短路电流
(6) (7)
20
15
20
15
32
27
0.93
2.5
4.5
67
1.5
2
I
S
SR
GBW
Φ
m
e
n
R
OUT
THD + N
C
IN
(6)
(7)
(8)
电源电流
压摆率
(8)
mA
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
Ω
%
pF
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
开环输出阻抗
总谐波失真+噪声
输入电容
F = 1千赫
F = 3兆赫
F = 1千赫，A
V
= 1
R
L
= 10 k
20
70
0.005
7
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
短路试验是一时的考验。
指定的数字的正负转换速率越慢。
(1)
5V电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
(4) (5)
(4)
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
dB
±50
0.35
0.3
40
0V
≤
V
CM
≤
5V
0V
≤
V
CM
≤
5V
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
O
= V
+
/2
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 2 k
V
O
= 0.3V至4.7V
R
L
= 10 k
V
O
= 0.2V至4.8V
86
80
81
79
86
82
0.2
100
96
100
96
125
133
112
106
108
±500
±800
±5
10
300
输入失调电流
共模抑制比
LMV841
共模抑制比
LMV842和LMV844
电源抑制比
输入共模电压范围
CMRR
PSRR
CMVR
5.2
V
dB
dB
A
VOL
大信号电压增益
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
4
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热装置的。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关性保证
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在
运生产材料。
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
正电流对应的电流流动到装置中。
提交文档反馈
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LMV841 ， LMV842 ， LMV844
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SNOSAT1G - 2006年10月 - 修订2013年2月
5V电气特性
(1)
（续）
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 10MΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
参数
条件
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
采购V
O
= V
+
/2
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= V
+
/2
V
IN
=
100
mV
每通道
A
V
= +1, V
O
= 4 V
PP
10 ％至90％
20
15
20
15
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
mV
mV
mV
mV
mA
mA
68
32
78
38
33
28
0.96
2.5
4.5
67
输出摆幅高，
（从V测
+
)
V
O
输出摆幅低，
（从V测
-
)
100
120
50
70
120
140
70
80
I
O
输出短路电流
(6) (7)
I
S
SR
GBW
Φ
m
e
n
R
OUT
THD + N
C
IN
(6)
(7)
(8)
电源电流
压摆率
(8)
1.5
2
mA
V / μs的
兆赫
度
内华达州/
Ω
%
pF
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
开环输出阻抗
总谐波失真+噪声
输入电容
F = 1千赫
F = 3兆赫
F = 1千赫，A
V
= 1
R
L
= 10 k
20
70
0.003
6
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
短路试验是一时的考验。
指定的数字的正负转换速率越慢。
(1)
± 5V电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= –5V, V
CM
= 0V ，且R
L
> 10MΩ到V
CM
.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
(4) (5)
(4)
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
μV
μV/°C
pA
fA
dB
dB
±50
0.25
0.3
40
–5V
≤
V
CM
≤
5V
–5V
≤
V
CM
≤
5V
86
80
86
80
112
106
±500
±800
±5
10
300
输入失调电流
共模抑制比
LMV841
共模抑制比
LMV842和LMV844
CMRR
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热装置的。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关性保证
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在
运生产材料。
此参数由设计和/或特性保证，而不是在生产测试。
正电流对应的电流流动到装置中。
提交文档反馈
5
版权所有 2006年至2013年，德州仪器
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