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LMV761 / LMV762低电压,精密比较器,带有推挽输出
2002年7月
LMV761/LMV762
低电压,精密比较器采用推拉式
产量
概述
该LMV761 / 762顷用于精密比较器
需要低噪声和低输入应用偏置电压。
在LV761单有一个关断引脚,可用于
禁用设备,降低电源电流。该
LMV761可在一个节省空间的SOT23-6或SOIC- 8
封装。该LMV762双是采用SOIC -8或
MSOP - 8封装。
它们的特点是CMOS输入和推挽输出级。该
推挽式输出级,无需外部
上拉电阻。
该LMV761 / 762顷设计,以满足需求
小尺寸,低功耗和所要求的高性能
便携式和电池供电的电子设备。
输入偏移电压具有200μV的在室温的典型值
温度和1mV的极限温度过高。
特点
(V
S
= 5V ,T
A
= 25°C ,典型值,除非指定)
n
输入失调电压
0.2mV
n
输入失调电压(最大温度过高)
1mV
n
输入偏置电流
0.2pA
n
传播延迟( OD = 50mV的)
120纳秒
n
低电源电流
300A
n
CMRR
100dB
n
PSRR
110dB
n
扩展级温度范围
-40_C到125_C
n
推挽输出
n
非常适用于2.7V和5V单电源应用
n
提供节省空间的封装:
6引脚SOT23封装(单W /关机)
8引脚SOIC (单W /关机)
8引脚SOIC / MSOP (没有双关断)
应用
n
n
n
n
n
n
n
便携式和电池供电系统
扫描仪
机顶盒
高速差分线路接收器
窗口比较器
过零检测器
高速采样电路
典型电路
V
OS
与V
CC
20037032
阈值检测器
20037010
2002美国国家半导体公司
DS200370
www.national.com
LMV761/LMV762
绝对最大额定值
(注1 )
波峰焊( 10秒)
结温
存储温度范围
260C (铅温度)
150C
-65_C到150_C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
电源电压(V
+
– V
)
差分输入电压
之间的任何两个引脚电压
输出短路到V
+
- V
焊接信息
红外线或对流(20秒)。
235C
2000V
200V
5.5V
电源电压
电源电压
工作额定值
电源电压(V
+
– V
)
温度范围
封装热阻(注4 )
SOT23-6
SOIC-8
MSOP-8
265C/W
190C/W
235C/W
2.7V至5.0V
-40 ° C至+ 125°C
2.7V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 2.7V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
极端温度。 (注5 )
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
输入失调电流(注8 )
共模抑制
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
I
OUT
泄漏
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
.001
最大
(注7 )
1.0
50
5
单位
mV
pA
pA
dB
dB
0V
& LT ;
V
CM
& LT ;
V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR
& GT ;
50dB
I
L
= 2毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -2mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 1.35V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 1.35V, V
ID
= ± 200mV的
80
80
100
110
0.3
1.5
V
V
V
+
– 0.35
6.0
6.0
V
+
– 0.1
90
20
15
275
550
700
1400
250
mV
mA
A
A
输出漏我
@
关闭
供应漏电我
@
关闭
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
SD = GND ,V
O
= 2.7V
SD = GND ,V
CC
= 2.7V
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
10 %至90%
90 %至10%
0.20
0.20
270
205
120
5
1.7
1.8
6
2
I
秒漏
t
PD
A
ns
ns
ns
ns
s
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
5.0V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 5.0V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
符号
V
OS
I
B
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
最大
(注7 )
1.0
50
单位
mV
pA
www.national.com
2
LMV761/LMV762
5.0V电气特性
(续)
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 5.0V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
参数
输入失调电流(注8 )
共模抑制
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
225
450
SD = GND ,V
O
= 5.0V
0.20
0.20
225
190
120
5
10 %至90%
90 %至10%
1.7
1.5
4
ns
ns
ns
s
ns
2
700
1400
A
A
A
0V
& LT ;
V
CM
& LT ;
V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR
& GT ;
50dB
I
L
= 4毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -4mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 2.5V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 2.5V, V
ID
= ± 200mV的
6.0
6.0
V
+
– 0.35
V
+
– 0.1
120
60
40
250
80
80
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.01
100
110
.3
3.8
最大
(注7 )
5
单位
pA
dB
dB
V
V
mV
mA
符号
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
I
OUT
泄漏
输出漏我
@
关闭
I
秒漏
t
PD
供应漏电我
@
关闭SD = GND ,V
CC
= 5.0V
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为保证规范和测试条件,请参阅电气特性。
注2 :
除非另有说明人体模型是1.5kΩ的串联100pF的。机器型号200pF的。
注3 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
请参阅有关该设备的温度降额信息应用区。绝对最大额定值表示结温范围,超过这个
设备可以被永久地降解,机械或电。
注4 :
最大功耗为T的函数
J(下MAX
),
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
-T
A
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 :
最高温度保证范围为-40℃至125℃ 。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。
注7 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注8 :
通过设计保证
3
www.national.com
LMV761/LMV762
连接图
LMV761
单6引脚SOT23封装
LMV761
单8引脚SOIC
LMV762
双8引脚SOIC & MSOP
20037001
20037002
20037003
顶视图
顶视图
顶视图
订购信息
6引脚SOT23封装
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMV761MF
LMV761MFX
LMV761MA
LMV761MAX
LMV762MA
LMV762MAX
LMV762MM
LMV762MMX
C23A
LMV762MA
LMV761MA
包装标志
C22A
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
2.5K单位磁带和卷轴
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
M08A
M08A
NSC图纸
MF06A
www.national.com
4
LMV761/LMV762
典型性能特性
PSI与V
CC
(V
O
=高)
PSI与V
CC
(V
O
= LOW )
20037004
20037005
V
OS
与V
CC
输入偏置主场迎战共模
@
25C
20037010
20037024
输入偏置主场迎战共模
@
25C
输出电压与电源电压
20037025
20037011
5
www.national.com
LMV761 / LMV762低电压,精密比较器,带有推挽输出
2008年10月31日
LMV761/LMV762
低电压,精密比较器,带有推挽输出
概述
该LMV761 / LMV762是供精密比较器
需要低噪声和低输入应用偏置电压。
在LV761单有一个关断引脚,可用于
禁用设备,降低电源电流。该
LMV761提供节省空间的6引脚SOT-23封装或8引脚
SOIC封装。该LMV762双是采用8引脚SOIC封装
或MSOP封装。
它们的特点是CMOS输入和推挽输出级。该
推挽式输出级,无需外部
上拉电阻。
该LMV761 / LMV762的设计,以满足需求
小尺寸,低功耗和所要求的高性能
便携式和电池供电的电子设备。
输入偏移电压具有200μV的在室温的典型值
温度和1mV的极限温度过高。
特点
(V
S
= 5V ,T
A
= 25°C ,典型值指定除外) 。
0.2mV
输入失调电压
1mV
输入失调电压(最大温度过高)
0.2pA
输入偏置电流
120纳秒
传播延迟( OD = 50mV的)
低电源电流
300μA
CMRR
100dB
110dB
PSRR
-40_C到125_C
扩展级温度范围
推挽输出
非常适用于2.7V和5V单电源应用
提供节省空间的封装:
6引脚SOT- 23 (单W /关机)
8引脚SOIC (单W /关机)
8引脚SOIC / MSOP (没有双关断)
应用
便携式和电池供电系统
扫描仪
机顶盒
高速差分线路接收器
窗口比较器
过零检测器
高速采样电路
V
OS
与V
CC
典型电路
20037032
阈值检测器
20037010
2008美国国家半导体公司
200370
www.national.com
LMV761/LMV762
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
电源电压(V
+
– V
)
差分输入电压
之间的任何两个引脚电压
输出短路持续时间(注9 )
目前,在输入引脚
2000V
200V
5.5V
电源电压
电源电压
± 5毫安
焊接信息
红外线或对流(20秒)。
波峰焊( 10秒)
结温
存储温度范围
235°C
260C (铅温度)
150°C
-65_C到150_C
工作额定值
电源电压(V
+
– V
)
温度范围
封装热阻(注4 )
6引脚SOT- 23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
2.7V至5.0V
-40 ° C至+ 125°C
265°C/W
190°C/W
235°C/W
2.7V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 2.7V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
极端温度。 (注5 )
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
输入失调电流(注8 )
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
I
OUT泄漏
输出漏I @关闭
I
秒漏
t
PD
供应漏电I @关闭
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
10 %至90%
90 %至10%
SD = GND ,V
O
= 2.7V
SD = GND ,V
CC
= 2.7V
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
0V & LT ; V
CM
& LT ; V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR > 50分贝
I
L
= 2毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -2mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 1.35V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 1.35V, V
ID
= ± 200mV的
6.0
6.0
V
+
– 0.35
V
+
– 0.1
90
20
15
275
550
0.20
0.20
270
205
120
5
1.7
1.8
6
ns
ns
ns
μs
ns
2
700
1400
μA
μA
250
80
80
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
.001
100
110
0.3
1.5
最大
(注7 )
1.0
50
5
单位
mV
pA
pA
dB
dB
V
V
mV
mA
μA
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
www.national.com
2
LMV761/LMV762
5.0V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 5.0V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
输入失调电流(注8 )
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
I
OUT泄漏
输出漏I @关闭
I
秒漏
t
PD
供应漏电I @关闭
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
10 %至90%
90 %至10%
SD = GND ,V
O
= 5.0V
SD = GND ,V
CC
= 5.0V
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
0V & LT ; V
CM
& LT ; V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR > 50分贝
I
L
= 4毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -4mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 2.5V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 2.5V, V
ID
= ± 200mV的
6.0
6.0
V
+
– 0.35
V
+
– 0.1
120
60
40
225
450
0.20
0.20
225
190
120
5
1.7
1.5
4
ns
ns
ns
μs
ns
2
700
1400
μA
μA
250
80
80
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
0.01
100
110
.3
3.8
最大
(注7 )
1.0
50
5
单位
mV
pA
pA
dB
dB
V
V
mV
mA
μA
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为保证规范和测试条件,请参阅电气特性。
注2 :
除非另有说明人体模型是1.5kΩ的串联100pF的。机器型号200pF的。
注3 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
。请参阅有关该设备的温度降额信息应用区。绝对最大额定值表示结温的界限,
该设备可以被永久地降解,机械或电。
注4 :
最大功耗为T的函数
J(下MAX
), θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
-T
A
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 :
最高温度保证范围为-40℃至125℃ 。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。
注7 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注8 :
通过设计保证
注9 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
为150 ℃,最大允许结温。输出电流超过± 25毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
3
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LMV761/LMV762
连接图
LMV761 (单)
6引脚SOT- 23
LMV761 (单)
8引脚SOIC
LMV762 (双)
8引脚SOIC和MSOP
20037001
20037002
20037003
顶视图
顶视图
顶视图
订购信息
6引脚SOT- 23
产品型号
LMV761MF
LMV761MFX
LMV761MA
8引脚SOIC
LMV761MAX
LMV762MA
LMV762MAX
8引脚MSOP
LMV762MM
LMV762MMX
包装标志
C22A
LMV761MA
LMV762MA
C23A
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
M08A
NSC图纸
MF06A
www.national.com
4
LMV761/LMV762
典型性能特性
PSI与V
CC
(V
O
=高)
PSI与V
CC
(V
O
= LOW )
20037004
20037005
V
OS
与V
CC
输入偏置主场迎战共模@ 25°C
20037010
20037024
输入偏置主场迎战共模@ 25°C
输出电压与电源电压
20037025
20037011
5
www.national.com
LMV761 / LMV762低电压,精密比较器,带有推挽输出
2002年7月
LMV761/LMV762
低电压,精密比较器采用推拉式
产量
概述
该LMV761 / 762顷用于精密比较器
需要低噪声和低输入应用偏置电压。
在LV761单有一个关断引脚,可用于
禁用设备,降低电源电流。该
LMV761可在一个节省空间的SOT23-6或SOIC- 8
封装。该LMV762双是采用SOIC -8或
MSOP - 8封装。
它们的特点是CMOS输入和推挽输出级。该
推挽式输出级,无需外部
上拉电阻。
该LMV761 / 762顷设计,以满足需求
小尺寸,低功耗和所要求的高性能
便携式和电池供电的电子设备。
输入偏移电压具有200μV的在室温的典型值
温度和1mV的极限温度过高。
特点
(V
S
= 5V ,T
A
= 25°C ,典型值,除非指定)
n
输入失调电压
0.2mV
n
输入失调电压(最大温度过高)
1mV
n
输入偏置电流
0.2pA
n
传播延迟( OD = 50mV的)
120纳秒
n
低电源电流
300A
n
CMRR
100dB
n
PSRR
110dB
n
扩展级温度范围
-40_C到125_C
n
推挽输出
n
非常适用于2.7V和5V单电源应用
n
提供节省空间的封装:
6引脚SOT23封装(单W /关机)
8引脚SOIC (单W /关机)
8引脚SOIC / MSOP (没有双关断)
应用
n
n
n
n
n
n
n
便携式和电池供电系统
扫描仪
机顶盒
高速差分线路接收器
窗口比较器
过零检测器
高速采样电路
典型电路
V
OS
与V
CC
20037032
阈值检测器
20037010
2002美国国家半导体公司
DS200370
www.national.com
LMV761/LMV762
绝对最大额定值
(注1 )
波峰焊( 10秒)
结温
存储温度范围
260C (铅温度)
150C
-65_C到150_C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
电源电压(V
+
– V
)
差分输入电压
之间的任何两个引脚电压
输出短路到V
+
- V
焊接信息
红外线或对流(20秒)。
235C
2000V
200V
5.5V
电源电压
电源电压
工作额定值
电源电压(V
+
– V
)
温度范围
封装热阻(注4 )
SOT23-6
SOIC-8
MSOP-8
265C/W
190C/W
235C/W
2.7V至5.0V
-40 ° C至+ 125°C
2.7V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 2.7V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
极端温度。 (注5 )
符号
V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
输入失调电流(注8 )
共模抑制
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
I
OUT
泄漏
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
.001
最大
(注7 )
1.0
50
5
单位
mV
pA
pA
dB
dB
0V
& LT ;
V
CM
& LT ;
V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR
& GT ;
50dB
I
L
= 2毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -2mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 1.35V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 1.35V, V
ID
= ± 200mV的
80
80
100
110
0.3
1.5
V
V
V
+
– 0.35
6.0
6.0
V
+
– 0.1
90
20
15
275
550
700
1400
250
mV
mA
A
A
输出漏我
@
关闭
供应漏电我
@
关闭
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
SD = GND ,V
O
= 2.7V
SD = GND ,V
CC
= 2.7V
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
10 %至90%
90 %至10%
0.20
0.20
270
205
120
5
1.7
1.8
6
2
I
秒漏
t
PD
A
ns
ns
ns
ns
s
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
5.0V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 5.0V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
符号
V
OS
I
B
参数
输入失调电压
输入偏置电流(注8 )
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.2
0.2
最大
(注7 )
1.0
50
单位
mV
pA
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2
LMV761/LMV762
5.0V电气特性
(续)
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
CM
= V
+
/2, V
+
= 5.0V, V
= 0V
.
粗体
限制适用于
温度过高或过低。
参数
输入失调电流(注8 )
共模抑制
电源抑制比
输入共模电压
范围
输出摆幅高
输出摆幅低
输出短路电流
(注3)
电源电流
LMV761 (单比较)
LMV762 (两个比较)
225
450
SD = GND ,V
O
= 5.0V
0.20
0.20
225
190
120
5
10 %至90%
90 %至10%
1.7
1.5
4
ns
ns
ns
s
ns
2
700
1400
A
A
A
0V
& LT ;
V
CM
& LT ;
V
CC
- 1.3V
V
+
= 2.7V至5V
CMRR
& GT ;
50dB
I
L
= 4毫安,V
ID
= 200mV的
I
L
= -4mA ,V
ID
= ± 200mV的
采购,V
O
= 2.5V, V
ID
= 200mV的
下沉,V
O
= 2.5V, V
ID
= ± 200mV的
6.0
6.0
V
+
– 0.35
V
+
– 0.1
120
60
40
250
80
80
条件
(注7 )
典型值
(注6 )
0.01
100
110
.3
3.8
最大
(注7 )
5
单位
pA
dB
dB
V
V
mV
mA
符号
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
V
O
I
SC
I
S
I
OUT
泄漏
输出漏我
@
关闭
I
秒漏
t
PD
供应漏电我
@
关闭SD = GND ,V
CC
= 5.0V
传播延迟
R
L
= 5.1k
C
L
= 50pF的
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
启动时间从关断
过载=为5mV
过驱动= 10mV的
过驱动= 50mV的
t
SKEW
t
r
t
f
t
on
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为保证规范和测试条件,请参阅电气特性。
注2 :
除非另有说明人体模型是1.5kΩ的串联100pF的。机器型号200pF的。
注3 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
请参阅有关该设备的温度降额信息应用区。绝对最大额定值表示结温范围,超过这个
设备可以被永久地降解,机械或电。
注4 :
最大功耗为T的函数
J(下MAX
),
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
-T
A
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 :
最高温度保证范围为-40℃至125℃ 。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。
注7 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注8 :
通过设计保证
3
www.national.com
LMV761/LMV762
连接图
LMV761
单6引脚SOT23封装
LMV761
单8引脚SOIC
LMV762
双8引脚SOIC & MSOP
20037001
20037002
20037003
顶视图
顶视图
顶视图
订购信息
6引脚SOT23封装
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMV761MF
LMV761MFX
LMV761MA
LMV761MAX
LMV762MA
LMV762MAX
LMV762MM
LMV762MMX
C23A
LMV762MA
LMV761MA
包装标志
C22A
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
2.5K单位磁带和卷轴
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
M08A
M08A
NSC图纸
MF06A
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4
LMV761/LMV762
典型性能特性
PSI与V
CC
(V
O
=高)
PSI与V
CC
(V
O
= LOW )
20037004
20037005
V
OS
与V
CC
输入偏置主场迎战共模
@
25C
20037010
20037024
输入偏置主场迎战共模
@
25C
输出电压与电源电压
20037025
20037011
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LMV761MFX
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
LMV761MFX
TI(德州仪器)
22+
26650
原装原厂公司现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
LMV761MFX
TI
22+
6000
SOT23-6
只做原装实单申请
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
LMV761MFX
TI
21+
8900
SOT-23-6
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
LMV761MFX
TI
22490
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881140005 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141877 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141878 复制

电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
LMV761MFX
TI
2021+
2600
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
LMV761MFX
TI
22+
8500
SOT23-6
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ:3470449835 复制

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
LMV761MFX
TI
21+
16000
SOT-23 (DBV)
原装正品欢迎你询价
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电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
LMV761MFX
TI
22+
6000
SOT23-6
原装现货 支持实单
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LMV761MFX
NS
21+
15000.00
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
LMV761MFX
TI
22+
42600
SOT23-6
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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