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LMV7251 / LMV7255 1.8V低电压比较器具有轨到轨输入
2001年1月
LMV7251/LMV7255
1.8V低电压比较器具有轨到轨输入
概述
该LMV7251 / LMV7255的轨到轨输入低电压
比较器,它可以在电源电压范围内操作
1.8V至5.0V 。该LMV7251 / LMV7255是在可用空间
节能SC- 70或SOT23-5封装。这些比较器
非常适用于低压和空间的关键设计。
该LMV7251有推挽输出级。此功能
允许的运作与最低功耗,当
驱动负载。
该LMV7255设有一个开漏输出。这允许
外部电阻在输出端连接。的输出
比较器可以被用作一个电平移动器。
该IC的构建与美国国家半导体的进步
亚微米
硅栅
BiCMOS工艺
流程。
LMV7251 / LMV7255具有双极性输入,提高了噪音
为更好的轨到轨输出性能和CMOS输出
性能。
特点
(V
S
= 1.8V ,T
A
= 25°C ,典型值指定除外) 。
n
单电源或双电源
n
低电源电压
1.8V至5.0V
n
超低电源电流
11A
n
低输入偏置电流
14nA
n
低输入偏置电流
200pA
n
低输入偏移电压
+/0.3mV
n
响应时间
670ns ( 20mV的过冲)
n
输入共模电压
0.1V轨之外
应用
n
n
n
n
移动通信
笔记本电脑和PDA的
电池供电的电子产品
通用低电压应用
典型电路
接线图
DS200057-1
顶视图
DS200057-2
图1.阈值检测器
2001美国国家半导体公司
DS200057
www.national.com
LMV7251/LMV7255
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差
V
IN
迪FF erential
电源电压(V - V)
电压输入/输出引脚
焊接信息
红外线或对流( 20
秒)。
235C
+
波峰焊( 10秒)
存储温度范围
结温(注4 )
260C
-65 ° C至+ 150°C
+150C
1KV (注2)
200V (注6 )
+/-电源电压
5.5V
V
+
+0.1V, V
0.1V
工作额定值
(注1 )
电源电压V
+
结温范围(注
3)
封装热Resisance (注3 )
SOT23-5
SC-70
325C/W
265C/W
1.8V至5.0V
-40 ° C至+ 85°C
1.8V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 1.8V, V
= 0V.
粗体
限制适用于温度
极端。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
I
S
I
SC
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
电源电流
输出短路电流
采购,V
O
= 0.9V
(仅适用于LMV7251 )
下沉,V
O
= 0.9V
I
泄漏
V
OH
V
OL
V
CM
输出漏电流
输出电压高
输出电压低
输入共模电压范围
V
O
= 1.8V
(仅适用于LMV7255 )
I
O
= 1.5毫安
(仅适用于LMV7251 )
I
O
= -1.5mA
CMRR
& GT ;
45分贝
V
CM
= 0.9V (注7 )
条件
典型值
(注4 )
0.3
10
14
200
11
8
11.6
300
1.72
65
1.675
125
1.9
0.1
CMRR
PSRR
共模抑制比
电源抑制比
0
& LT ;
V
CM
& LT ;
1.8V
V
+
= 1.8V至5V
72
79
47
55
15
17
4
5
范围
(注5 )
6
8
单位
mV
最大
紫外/ C
nA
pA
A
最大
mA
pA
V
mV
最大
V
最大
V
dB
dB
1.8V AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 1.8V, V
= 0V, V
CM
= 0.5V, V
O
= V
+
/2.
粗体
范围
适用于极端温度。
符号
t
PHL
参数
传播延迟
(高到低)
条件
输入过驱动= 20mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
输入过驱动= 50mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
典型值
(注5 )
720
380
范围
(注6 )
单位
ns
ns
www.national.com
2
LMV7251/LMV7255
1.8V AC电气特性
符号
t
PLH
参数
传播延迟
(从低到高)
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 1.8V, V
= 0V, V
CM
= 0.5V, V
O
= V
+
/2.
粗体
范围
适用于极端温度。
条件
输入过驱动= 20mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
输入过驱动= 50mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
典型值
(注5 )
670
400
范围
(注6 )
单位
ns
ns
2.7V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V.
粗体
限制适用于温度
极端。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
I
S
I
SC
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
电源电流
输出短路电流
采购,V
O
= 1.35V
(仅适用于LMV7251 )
下沉,V
O
= 1.35V
I
泄漏
V
OH
V
OL
V
CM
输出漏电流
输出电压高
输出电压低
输入共模电压范围
V
O
= 2.7V,
(仅适用于LMV7255 )
I
O
= 2毫安
(仅适用于LMV7251 )
I
O
= -2mA
CMRR
& GT ;
45dB
V
CM
= 1.35V (注7 )
条件
典型值
(注5 )
0.03
10
15
210
11
28
28
320
2.63
61
2.575
125
2.8
0.1
CMRR
PSRR
共模抑制比
电源抑制比
0
& LT ;
V
CM
& LT ;
2.7V
V
+
= 1.8V至5V
75
79
46
55
18
22
15
mA
15
pA
V
mV
最大
V
最大
V
dB
dB
范围
(注6 )
6
8
单位
mV
最大
μV /℃
nA
pA
A
最大
2.7V AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V.Boldface限制适用于温度
极端。
符号
t
PHL
参数
传播延迟
(高到低)
条件
输入过驱动= 20mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
输入过驱动= 50mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
t
PLH
传播延迟
(从低到高)
输入过驱动= 20mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
输入过驱动= 50mV的
负载= 50pF的5kΩ的//
典型值
(注5 )
830
430
730
410
范围
(注6 )
单位
ns
ns
ns
ns
3
www.national.com
LMV7251/LMV7255
5V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V.
粗体
限制适用于温度EX-
极限。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
I
S
I
SC
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
电源电流
输出短路电流
采购,V
O
= 2.5V
(仅适用于LMV7251 )
下沉,V
O
= 2.5V
I
泄漏
V
OH
V
OL
输出漏电流
输出电压高
输出电压低
V
O
= 5V,
(仅适用于LMV7255 )
I
O
= 4毫安
I
O
= -4mA
V
CM
= 2.5V (注7 )
条件
典型值
(注5 )
0.03
10
16
220
12
82
78
375
4.9
90
4.82
180
20
25
50
50
范围
(注6 )
6
8
单位
mV
最大
μV /℃
nA
pA
A
最大
mA
pA
V
mV
最大
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模型, 1.5kΩ的串联100pF的。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
- T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
典型值代表最可能的参数指标。
注5 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注6 :
机器型号, 0Ω串联200pF的。
注7 :
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端到整个温度变化的温度。
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4
LMV7251/LMV7255
典型性能特性
短路电流与电源电压
(T
A
= 25 ℃,除非另有规定) 。
电源电流与电源电压
DS200057-3
DS200057-4
输出电压与电源电压
输出电压与电源电压
DS200057-5
DS200057-6
输出电压与输出电流
@
1.8V电源
电压
输出电压与输出电流
@
1.8V电源
电压
DS200057-7
DS200057-8
5
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电话:0512-67241533
联系人:王
地址:虎丘区龙湖中心1302室
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
LMV7255M7X
NS国半
19+
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全新原装15818663367
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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National Semiconductor
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