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LMV651 / LMV652 / LMV654 12MHz的低电压,低功耗放大器
2007年3月
LMV651/LMV652/LMV654
12兆赫,低电压,低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651 / LMV652 / LMV654是高性能,
以实现低功耗运算放大器IC
美国国家半导体的先进的VIP50工艺。这系列器件的操
Tures的12 MHz带宽,而只消耗116
μA
of
电流,这是一个特殊的带宽功率比在
这款运算放大器类。该LMV651 / LMV652 / LMV654是团结
获得稳定,为一般用途的最佳解决方案
在低电压,低功耗的应用带来放大。
这个系列的低电压,低功耗放大器提供苏
perior性能和经济能力方面和
空间使用情况。这些运算放大器具有最大输入失调
电压为1.5 mV时,轨到轨输出级和输入的COM
共模电压范围包括地面。该LMV651 /
LMV652 / LMV654为95分贝,为100 CMRR一个PSRR
dB和0.003%在1kHz的总谐波失真(THD)
频率和2 kΩ的负载。
在工作电源电压范围为这个家庭的部分是
从2.7V至5.5V 。这些运算放大器可以工作在宽
温度范围(-40 ° C至+ 125°C ),使这些运算放大器
非常适用于汽车应用中,传感器应用和
便携式设备的应用程序。该LMV651是提供在
超小巧的5引脚SC70封装,也就是大约一半大小
的5引脚SOT23封装。该LMV652是提供8引脚MSOP
封装。该LMV654是在一个14引脚TSSOP封装。
特点
(典型的5V电源,除非另有说明)
保证3.0V和5.0V表现
低电源电流
LMV651
116 μA
LMV652
118 μA
每个放大器
LMV654
122 μA
每个放大器
高单位增益带宽
12兆赫
1.5毫伏
最大输入失调电压
百分贝
CMRR
95分贝
PSRR
17内华达州/
输入参考电压噪声
轨120 mV的
输出摆幅与2 kΩ的负载
总谐波失真
0.003 %@ 1 kHz和2千欧
-40_C到125_C
温度范围
应用
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123861
20123806
高增益宽带宽放大器反相
开环增益和相位与频率的关系
2007美国国家半导体公司
201238
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
焊接信息
红外线或对流( 20秒)
无铅波峰焊温度( 10
秒)
235°C
260°C
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压(V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温(注3 )
2000V
100V
±0.3V
6V
V
+
+0.3V, V
0.3V
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
工作额定值
温度范围(注3 )
电源电压
(注1 )
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
456°C/W
160°C/W
封装热阻( θ
JA
) (注3)
5引脚SC70
14引脚TSSOP
3V直流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2,和R
L
> 1 MΩ 。
Bold-
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
V
CM
2.0 V
3.0
V
+
5V, V
CM
= 0.5
2.7
V
+
5.5V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
75分贝
87
80
87
81
87
81
0
0
80
76
86
83
85
dB
(注6 )
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
2.1
2.1
V
120
15
最大
(注5 )
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
60分贝
0.3
V
O
2.7, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
2.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
2.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.3
V
O
2.7, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购(注8)
下沉(注8 )
LMV651
LMV652
LMV654
SR
GBW
e
n
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
F = 100千赫
F = 1千赫
www.national.com
2
93
80
45
95
60
17
25
115
118
122
3.0
12
17
17
95
120
50
60
110
125
65
75
mA
140
175
从毫伏
μA
A
V
= +1,
10 %至90% (注7)
V / μs的
兆赫
内华达州/
LMV651/LMV652/LMV654
符号
i
n
THD
参数
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
0.1
0.15
0.003
最大
(注5 )
单位
PA /
%
F = 1千赫,A
V
= 2, R
L
= 2 k
5V DC电气特性
除非另有说明,所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2,和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
V
CM
4.0 V
3V
V
+
5V, V
CM
= 0.5V
2.7V
V
+
5.5V, V
CM
= 0.5V
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
80分贝
90
83
87
81
87
81
0
0
79
76
87
84
84
dB
(注6 )
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
4.1
4.1
V
120
15
最大
(注5 )
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
68分贝
0.3
V
O
4.7V ,R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
4.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3
V
O
4.7V ,R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
4.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
94
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
120
75
110
70
18.5
25
116
118
122
3.0
12
140
185
90
120
130
150
80
95
mA
140
175
从毫伏
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购(注8)
下沉(注8 )
LMV651
LMV652
LMV654
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
SR
GBW
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 %至90% (注7)
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫,A
V
= 2, R
L
= 2 k
17
17
0.1
0.15
0.003
3
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性
表。
注2 :
人体模型,适用的性病。 MIL -STD- 883 ,方法3015.7 。机器型号,适用的性病。 JESD22 - A115 -A ( ESD MM性病。 JEDEC的)
感生电荷设备模型,适用的性病。 JESD22 - C101 -C ( JEDEC的ESD FICDM STD )。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下MAX
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试,不保证在运生产材料。
注5 :
限制是100 %的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内,通过使用相关的统计质量保证
控制( SQC )方法。
注6 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 :
该部分是不是短路保护功能,不建议操作,低电阻性负载。典型的采购和下沉的输出电流曲线
提供典型性能特性和设计的重物前,应咨询。
连接图
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20123802
顶视图
20123803
顶视图
20123804
顶视图
订购信息
5引脚SC70
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
LMV652MM
LMV652MMX
LMV654MT
LMV654MTX
包装标志
A93
AB3A
LMV654MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MUA08A
MTC14
www.national.com
4
LMV651/LMV652/LMV654
典型性能特性
V
CM
= V
S
/2
电源电流与电源电压( LMV651 )
除非另有规定,T
A
= 25 ° C,V
S
= 5V, V
+
= 5V, V
= 0V,
供电电流每通道与电源电压( LMV652 )
20123834
20123865
供电电流每通道与电源电压( LMV654 )
V
OS
与V
CM
20123864
20123825
V
OS
与V
CM
V
OS
- 电源电压
20123826
20123821
5
www.national.com
LMV651 / LMV652 / LMV654 12MHz的低电压,低功耗放大器
2008年10月8日
LMV651/LMV652/LMV654
12兆赫,低电压,低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651 / LMV652 / LMV654是高性能,
以实现低功耗运算放大器IC
美国国家半导体的先进的VIP50工艺。这系列器件的操
Tures的12 MHz带宽,而只消耗116
μA
of
电流,这是一个特殊的带宽功率比在
这款运算放大器类。该LMV651 / LMV652 / LMV654是团结
获得稳定,为一般用途的最佳解决方案
在低电压,低功耗的应用带来放大。
这个系列的低电压,低功耗放大器提供苏
perior性能和经济能力方面和
空间使用情况。这些运算放大器具有最大输入失调
电压为1.5 mV时,轨到轨输出级和输入的COM
共模电压范围包括地面。该LMV651 /
LMV652 / LMV654为95分贝,为100 CMRR一个PSRR
dB和0.003%在1kHz的总谐波失真(THD)
频率和2 kΩ的负载。
在工作电源电压范围为这个家庭的部分是
从2.7V至5.5V 。这些运算放大器可以工作在宽
温度范围(-40 ° C至125°C ),使其非常适用于
汽车应用中,传感器应用和便携
设备的应用程序。该LMV651是提供在超
小巧的5引脚SC70和5引脚SOT- 23封装。该LMV652是
采用8引脚MSOP封装。该LMV654提供
采用14引脚TSSOP封装。
特点
(典型的5V电源,除非另有说明。 )
保证3.0V和5.0V表现
低电源电流
LMV651
116 μA
LMV652
118 μA
每个放大器
LMV654
122 μA
每个放大器
高单位增益带宽
12兆赫
1.5毫伏
最大输入失调电压
百分贝
CMRR
95分贝
PSRR
17内华达州/
Hz
输入参考电压噪声
轨120 mV的
输出摆幅与2 kΩ的负载
总谐波失真
0.003 %@ 1 kHz和2千欧
-40_C到125_C
温度范围
应用
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123861
20123806
高增益宽带宽放大器反相
开环增益和相位与频率的关系
2008美国国家半导体公司
201238
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
红外线或对流( 20秒)
无铅波峰焊温度( 10
秒)
235°C
260°C
工作额定值
温度范围(注3 )
电源电压
(注1 )
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
456°C/W
234°C/W
234°C/W
160°C/W
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压(V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温(注3 )
焊接信息
2000V
100V
±0.3V
6V
+
+0.3V, V
0.3V
V
-65_C到150_C
150°C
封装热阻( θ
JA
) (注3)
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
3V直流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2,和R
L
> 1 MΩ 。
Bold-
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
V
CM
2.0 V
3.0
V
+
5V, V
CM
= 0.5
2.7
V
+
5.5V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
75分贝
87
80
87
81
87
81
0
0
80
76
86
83
85
dB
(注6 )
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
2.1
2.1
V
120
15
最大
(注5 )
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
60分贝
0.3
V
O
2.7, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
2.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
2.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.3
V
O
2.7, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购(注8)
下沉(注8 )
LMV651
LMV652
LMV654
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
A
V
= +1,
10 %至90% (注7)
93
80
45
95
60
17
25
115
118
122
3.0
12
95
120
50
60
110
125
65
75
mA
140
175
从毫伏
μA
V / μs的
兆赫
www.national.com
2
LMV651/LMV652/LMV654
符号
e
n
i
n
THD
参数
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
17
17
0.1
0.15
0.003
最大
(注5 )
单位
内华达州/
PA /
%
F = 1千赫,A
V
= 2, R
L
= 2 k
5V DC电气特性
除非另有说明,所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2,和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
V
CM
4.0 V
3V
V
+
5V, V
CM
= 0.5V
2.7V
V
+
5.5V, V
CM
= 0.5V
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
80分贝
90
83
87
81
87
81
0
0
79
76
87
84
84
dB
(注6 )
条件
(注5 )
典型值
(注4 )
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
4.1
4.1
V
120
15
最大
(注5 )
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
68分贝
0.3
V
O
4.7V ,R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
4.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3
V
O
4.7V ,R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.4
V
O
4.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
94
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
120
75
110
70
18.5
25
116
118
122
3.0
12
140
185
90
120
130
150
80
95
mA
140
175
从毫伏
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购(注8)
下沉(注8 )
LMV651
LMV652
LMV654
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
SR
GBW
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 %至90% (注7)
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫,A
V
= 2, R
L
= 2 k
17
17
0.1
0.15
0.003
3
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LMV651/LMV652/LMV654
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性
表。
注2 :
人体模型,适用的性病。 MIL -STD- 883 ,方法3015.7 。机器型号,适用的性病。 JESD22 - A115 -A ( ESD MM性病。 JEDEC的)
感生电荷设备模型,适用的性病。 JESD22 - C101 -C ( JEDEC的ESD FICDM STD )。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下MAX
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试,不保证在运生产材料。
注5 :
限制是100 %的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内,通过使用相关的统计质量保证
控制( SQC )方法。
注6 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 :
该部分是不是短路保护功能,不建议操作,低电阻性负载。典型的采购和下沉的输出电流曲线
提供典型性能特性和设计的重物前,应咨询。
连接图
5引脚SC70 / SOT -23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20123802
顶视图
20123803
顶视图
顶视图
20123804
订购信息
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
LMV651MF
LMV651MFX
LMV652MM
LMV652MMX
LMV654MT
LMV654MTX
包装标志
A93
AY2A
AB3A
LMV654MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MF05A
MUA08A
MTC14
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4
LMV651/LMV652/LMV654
典型性能特性
V
CM
= V
S
/2
电源电流与电源电压( LMV651 )
除非另有规定,T
A
= 25 ° C,V
S
= 5V, V
+
= 5V, V
= 0V,
供电电流每通道与电源电压( LMV652 )
20123834
20123865
供电电流每通道与电源电压( LMV654 )
V
OS
与V
CM
20123864
20123825
V
OS
与V
CM
V
OS
- 电源电压
20123826
20123821
5
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