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LMV651 / LMV652 / LMV654 12MHz的低电压，低功耗放大器
2008年10月8日
LMV651/LMV652/LMV654
12兆赫，低电压，低功耗放大器
概述
美国国家半导体的LMV651 / LMV652 / LMV654是高性能，
以实现低功耗运算放大器IC
美国国家半导体的先进的VIP50工艺。这系列器件的操
Tures的12 MHz带宽，而只消耗116
μA
of
电流，这是一个特殊的带宽功率比在
这款运算放大器类。该LMV651 / LMV652 / LMV654是团结
获得稳定，为一般用途的最佳解决方案
在低电压，低功耗的应用带来放大。
这个系列的低电压，低功耗放大器提供苏
perior性能和经济能力方面和
空间使用情况。这些运算放大器具有最大输入失调
电压为1.5 mV时，轨到轨输出级和输入的COM
共模电压范围包括地面。该LMV651 /
LMV652 / LMV654为95分贝，为100 CMRR一个PSRR
dB和0.003％在1kHz的总谐波失真（THD）
频率和2 kΩ的负载。
在工作电源电压范围为这个家庭的部分是
从2.7V至5.5V 。这些运算放大器可以工作在宽
温度范围（-40 ° C至125°C ），使其非常适用于
汽车应用中，传感器应用和便携
设备的应用程序。该LMV651是提供在超
小巧的5引脚SC70和5引脚SOT- 23封装。该LMV652是
采用8引脚MSOP封装。该LMV654提供
采用14引脚TSSOP封装。
特点
（典型的5V电源，除非另有说明。 ）
■
保证3.0V和5.0V表现
■
低电源电流
—
LMV651
116 μA
—
LMV652
118 μA
每个放大器
LMV654
—
122 μA
每个放大器
高单位增益带宽
12兆赫
■
1.5毫伏
■
最大输入失调电压
百分贝
■
CMRR
95分贝
■
PSRR
17内华达州/
√
Hz
■
输入参考电压噪声
轨120 mV的
■
输出摆幅与2 kΩ的负载
总谐波失真
0.003 ％@ 1 kHz和2千欧
■
-40_C到125_C
■
温度范围
应用
■
■
■
■
便携式设备
汽车
电池供电系统
传感器及仪表
20123861
20123806
高增益宽带宽放大器反相
开环增益和相位与频率的关系
2008美国国家半导体公司
201238
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度（ 10
秒）
235°C
260°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压
（注1 ）
-40_C到125_C
2.7V至5.5V
456°C/W
234°C/W
234°C/W
160°C/W
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压（V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
结温（注3 ）
焊接信息
2000V
100V
±0.3V
6V
+
+0.3V, V
0.3V
V
-65_C到150_C
150°C
封装热阻（ θ
JA
） （注3）
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
3V直流电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
2.0 V
3.0
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5
2.7
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
75分贝
87
80
87
81
87
81
0
0
80
76
86
83
85
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
2.1
2.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
60分贝
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
2.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
2.7, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
A
V
= +1,
10 ％至90％ （注7）
93
80
45
95
60
17
25
115
118
122
3.0
12
95
120
50
60
110
125
65
75
mA
140
175
从毫伏
轨
μA
V / μs的
兆赫
www.national.com
2
LMV651/LMV652/LMV654
符号
e
n
i
n
THD
参数
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
17
17
0.1
0.15
0.003
最大
（注5 ）
单位
内华达州/
PA /
%
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
5V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V,V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
0
≤
V
CM
≤
4.0 V
3V
≤
V
+
≤
5V, V
CM
= 0.5V
2.7V
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0.5V
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
80分贝
90
83
87
81
87
81
0
0
79
76
87
84
84
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
0.1
6.6
80
2.2
100
95
95
4.1
4.1
V
120
15
最大
（注5 ）
±1.5
2.7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
CMRR
≥
68分贝
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3
≤
V
O
≤
4.7V ，R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
0.4
≤
V
O
≤
4.6, R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
94
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
120
75
110
70
18.5
25
116
118
122
3.0
12
140
185
90
120
130
150
80
95
mA
140
175
从毫伏
轨
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
I
SC
I
S
最大连续输出
当前
每个放大器器电源电流
采购（注8）
下沉（注8 ）
LMV651
LMV652
LMV654
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
PA /
%
SR
GBW
e
n
i
n
THD
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
10 ％至90％ （注7）
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 100千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 2, R
L
= 2 k
17
17
0.1
0.15
0.003
3
www.national.com
LMV651/LMV652/LMV654
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC的）
感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下MAX
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注5 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注6 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注7 ：
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注8 ：
该部分是不是短路保护功能，不建议操作，低电阻性负载。典型的采购和下沉的输出电流曲线
提供典型性能特性和设计的重物前，应咨询。
连接图
5引脚SC70 / SOT -23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
20123802
顶视图
20123803
顶视图
顶视图
20123804
订购信息
包
5引脚SC70
5引脚SOT- 23
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
产品型号
LMV651MG
LMV651MGX
LMV651MF
LMV651MFX
LMV652MM
LMV652MMX
LMV654MT
LMV654MTX
包装标志
A93
AY2A
AB3A
LMV654MT
传输介质
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
94单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
MAA05A
MF05A
MUA08A
MTC14
www.national.com
4
LMV651/LMV652/LMV654
典型性能特性
V
CM
= V
S
/2
电源电流与电源电压（ LMV651 ）
除非另有规定，T
A
= 25 ° C，V
S
= 5V, V
+
= 5V, V
= 0V,
供电电流每通道与电源电压（ LMV652 ）
20123834
20123865
供电电流每通道与电源电压（ LMV654 ）
V
OS
与V
CM
20123864
20123825
V
OS
与V
CM
V
OS
- 电源电压
20123826
20123821
5
www.national.com
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LMS5214IMG-2.8
LT1E67A
LTV-4N35S-TA1
LA4629
LGN2G101MELZ25
LUG3330-PF
L6116DM20
LM4663MT
LTL9253A
LD87C58
LC3564BT
LNR1E474MSE
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    LMV651MF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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LMV651MF
专营NS全系列
24+
11880
原厂原包装
优势现货，只做原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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LMV651MF
TI
24+
15372
SOT-23
全新原装正品现货热卖
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电话：0755-83223003
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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
LMV651MF
NS
24+
27200
SOT23-5
全新原装现货，原厂代理。
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LMV651MF
NS/国半
21+
9000
SOT23-5
全新原装正品/质量有保证
深圳市壹芯创科技有限公司
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NS
23+
40000
SOT23-5
进口原装现货！自己库存！！
上海熠富电子科技有限公司
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LMV651MF
NS
2024
20000
SOT23-5
原装现货上海库存，欢迎咨询
深圳市芯福林电子科技有限公司
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16+
30
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21+
9000
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