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LMV321单，双LMV358
LMV324四路， LMV324S QUAD具有关断功能
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263T - 1999年8月 - 修订2007年9月
1
特点
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125 ° C操作
低功耗关断模式（ LMV324S ）
无交越失真
低电源电流
- LMV321 。 。 。 130
μA
典型值
- LMV358 。 。 。 210
μA
典型值
- LMV324 。 。 。 410
μA
典型值
- LMV324S 。 。 。 410
μA
典型值
轨到轨输出摆幅
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LMV324 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV324S 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
描述/
订购信息
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和/ LMV324S是
单路，双路和四路低电压（ 2.7 V至5.5 V ）
运算放大器具有轨到轨输出摆幅。
该LMV324S ，这是标准的变
LMV324 ，包括节能关机功能
降低电源电流最大为5
μA
每信道时并不需要的放大器。
通道1和2一起被置于关断，因为
在通道3和4关断时，输出
积极拉低。
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和LMV324S是
对于应用程序的最具成本效益的解决方案
其中，低电压运行，省空间，低
都需要成本。这些放大器的设计
专门用于低电压（2.7伏至5伏）操作，
其性能指标达到或超过
从5 V电源供电的LM358 LM324和设备
到LMV3xx设备30五，附加功能
是一个共模输入电压范围
包括地面， 1 -MHz的单位增益带宽，并
1 -V / μs压摆率。
该LMV321是在超小型DCK提供
（SC- 70 ）封装，它是大约二分之一的
在DBV （ SOT -23 ）封装的尺寸。这个包
节省空间的印刷电路板，使
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源，以减少噪声干扰，提高
信号完整性。
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
2IN+
2IN–
2OUT
1/2 SHDN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
3/4 SHDN
LMV358 。 。 。 D（ SOIC ） ， DDU （ VSSOP ）
DGK （ MSOP ） ，或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
1IN+
GND
1IN–
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
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订购信息
(1)
T
A
包
(2)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
SOIC - D
四
TSSOP - PW
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
SOIC - D
四
TSSOP - PW
(1)
(2)
(3)
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购型号
LMV321IDCKR
LMV321IDCKT
LMV321IDBVR
LMV321IDBVT
LMV358IDGKR
LMV358IDGKT
LMV358ID
LMV358IDR
LMV358IPW
LMV358IPWR
LMV358IDDUR
LMV324ID
LMV324IDR
LMV324SID
LMV324SIDR
LMV324IPWR
LMV324SIPWR
LMV358QDGKR
LMV358QDGKT
LMV358QD
LMV358QDR
LMV358QPW
LMV358QPWR
LMV358QDDUR
LMV324QD
LMV324QDR
LMV324QPW
LMV324QPWR
R3_
RC1_
R5_
预览
MV358I
MV358I
RA5_
LMV324I
LMV324SI
MV324I
MV324SI
RH “
MV358Q
MV358Q
RAH_
LMV324Q
MV324Q
TOP- SIDE
记号
(3)
双
-40 ° C至85°C
双
-40_C到125_C
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DDU / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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符号（每个放大器）
–
OUT
+
IN +
IN-
LMV324的简化原理图
V
CC
V
BIAS1
+
–
V
BIAS2
V
CC
+
–
V
CC
V
CC
V
BIAS3
产量
+
IN-
IN +
V
BIAS4
–
+
–
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
最大
5.5
±5.5
单位
V
V
V
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）的持续时间与地
(4)
在或低于T
A
= 25°C,
V
CC
≤
5.5 V
8引脚
包
DBV包装
14针
16针
5针
5针
8引脚
8引脚
8引脚
PW包
14针
16针
DCK包装
DDU包
DGK包装
–0.2
5.5
无限
97
86
73
206
252
待定
172
149
113
108
150
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
° C / W
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
°C
°C
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
(2)
电源电压（单电源供电）
放大器导通的电压电平（ LMV324S ）
(2)
放大器的关断电压电平（ LMV324S ）
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
我的温度
Q温度
–40
–40
2.7
1.7
3.5
0.7
1.5
85
125
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
V
IH
不应该被允许超过V
CC
.
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电气特性
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
V
IO
α
VIO
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
V
O
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压
范围
输出摆幅
V
CM
= 0 1.7 V
V
CC
= 2.7 V至5 V ，V
O
= 1 V
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
LMV321I
I
CC
B
1
Φ
m
G
m
V
n
I
n
(1)
电源电流
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 1千赫
F = 1千赫
LMV358I （两个放大器）
LMV324I / LMV324SI （所有四个放大器）
C
L
= 200 pF的
高层
低层
50
50
0
V
CC
– 100
测试条件
民
典型值
(1)
1.7
5
11
5
63
60
–0.2
1.9
V
CC
– 10
60
80
140
260
1
60
10
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
μA
1.7
250
50
最大
7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
mV
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
关闭特性（ LMV324S ）
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
CC （ SHDN ）
t
（上）
t
（关闭）
(1)
在关断模式下电源电流
（每通道）
放大器开启时间
功放关断时间
测试条件
SHDN
≤
0.6 V
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
2
40
民
典型值
(1)
最大
5
单位
μA
μs
ns
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
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1
特点
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125 ° C操作
低功耗关断模式（ LMV324S ）
无交越失真
低电源电流
- LMV321 。 。 。 130
μA
典型值
- LMV358 。 。 。 210
μA
典型值
- LMV324 。 。 。 410
μA
典型值
- LMV324S 。 。 。 410
μA
典型值
轨到轨输出摆幅
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LMV324 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV324S 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
描述/
订购信息
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和/ LMV324S是
单路，双路和四路低电压（ 2.7 V至5.5 V ）
运算放大器具有轨到轨输出摆幅。
该LMV324S ，这是标准的变
LMV324 ，包括节能关机功能
降低电源电流最大为5
μA
每信道时并不需要的放大器。
通道1和2一起被置于关断，因为
在通道3和4关断时，输出
积极拉低。
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和LMV324S是
对于应用程序的最具成本效益的解决方案
其中，低电压运行，省空间，低
都需要成本。这些放大器的设计
专门用于低电压（2.7伏至5伏）操作，
其性能指标达到或超过
从5 V电源供电的LM358 LM324和设备
到LMV3xx设备30五，附加功能
是一个共模输入电压范围
包括地面， 1 -MHz的单位增益带宽，并
1 -V / μs压摆率。
该LMV321是在超小型DCK提供
（SC- 70 ）封装，它是大约二分之一的
在DBV （ SOT -23 ）封装的尺寸。这个包
节省空间的印刷电路板，使
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源，以减少噪声干扰，提高
信号完整性。
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
2IN+
2IN–
2OUT
1/2 SHDN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
3/4 SHDN
LMV358 。 。 。 D（ SOIC ） ， DDU （ VSSOP ）
DGK （ MSOP ） ，或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
1IN+
GND
1IN–
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
(1)
T
A
包
(2)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
SOIC - D
四
TSSOP - PW
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
SOIC - D
四
TSSOP - PW
(1)
(2)
(3)
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购型号
LMV321IDCKR
LMV321IDCKT
LMV321IDBVR
LMV321IDBVT
LMV358IDGKR
LMV358IDGKT
LMV358ID
LMV358IDR
LMV358IPW
LMV358IPWR
LMV358IDDUR
LMV324ID
LMV324IDR
LMV324SID
LMV324SIDR
LMV324IPWR
LMV324SIPWR
LMV358QDGKR
LMV358QDGKT
LMV358QD
LMV358QDR
LMV358QPW
LMV358QPWR
LMV358QDDUR
LMV324QD
LMV324QDR
LMV324QPW
LMV324QPWR
R3_
RC1_
R5_
预览
MV358I
MV358I
RA5_
LMV324I
LMV324SI
MV324I
MV324SI
RH “
MV358Q
MV358Q
RAH_
LMV324Q
MV324Q
TOP- SIDE
记号
(3)
双
-40 ° C至85°C
双
-40_C到125_C
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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包装图纸，热数据和符号可在
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DBV / DCK / DDU / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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符号（每个放大器）
–
OUT
+
IN +
IN-
LMV324的简化原理图
V
CC
V
BIAS1
+
–
V
BIAS2
V
CC
+
–
V
CC
V
CC
V
BIAS3
产量
+
IN-
IN +
V
BIAS4
–
+
–
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
最大
5.5
±5.5
单位
V
V
V
差分输入电压
(3)
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）的持续时间与地
(4)
在或低于T
A
= 25°C,
V
CC
≤
5.5 V
8引脚
包
DBV包装
14针
16针
5针
5针
8引脚
8引脚
8引脚
PW包
14针
16针
DCK包装
DDU包
DGK包装
–0.2
5.5
无限
97
86
73
206
252
待定
172
149
113
108
150
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
° C / W
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
°C
°C
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
(2)
电源电压（单电源供电）
放大器导通的电压电平（ LMV324S ）
(2)
放大器的关断电压电平（ LMV324S ）
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
我的温度
Q温度
–40
–40
2.7
1.7
3.5
0.7
1.5
85
125
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
V
IH
不应该被允许超过V
CC
.
4
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版权所有1999-2007 ，德州仪器
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LMV321单，双LMV358
LMV324四路， LMV324S QUAD具有关断功能
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263T - 1999年8月 - 修订2007年9月
电气特性
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
V
IO
α
VIO
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
V
O
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压
范围
输出摆幅
V
CM
= 0 1.7 V
V
CC
= 2.7 V至5 V ，V
O
= 1 V
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
LMV321I
I
CC
B
1
Φ
m
G
m
V
n
I
n
(1)
电源电流
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 1千赫
F = 1千赫
LMV358I （两个放大器）
LMV324I / LMV324SI （所有四个放大器）
C
L
= 200 pF的
高层
低层
50
50
0
V
CC
– 100
测试条件
民
典型值
(1)
1.7
5
11
5
63
60
–0.2
1.9
V
CC
– 10
60
80
140
260
1
60
10
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
μA
1.7
250
50
最大
7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
mV
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
关闭特性（ LMV324S ）
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
CC （ SHDN ）
t
（上）
t
（关闭）
(1)
在关断模式下电源电流
（每通道）
放大器开启时间
功放关断时间
测试条件
SHDN
≤
0.6 V
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
2
40
民
典型值
(1)
最大
5
单位
μA
μs
ns
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
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5
LMV321单，双LMV358
LMV324四路， LMV324S QUAD具有关断功能
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SLOS263U - 1999年8月 - 修订2012年7月
低电压轨到轨输出运算放大器
检查样品：
LMV321单，双LMV358 ， LMV324四路， LMV324S QUAD具有关断功能
1
特点
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125 ° C操作
低功耗关断模式（ LMV324S ）
无交越失真
低电源电流
- LMV321 。 。 。 130
μA
典型值
- LMV358 。 。 。 210
μA
典型值
- LMV324 。 。 。 410
μA
典型值
- LMV324S 。 。 。 410
μA
典型值
轨到轨输出摆幅
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LMV324 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV324S 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
描述/
订购信息
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和/ LMV324S是
单路，双路和四路低电压（ 2.7 V至5.5 V ）
运算放大器具有轨到轨输出摆幅。
该LMV324S ，这是标准的变
LMV324 ，包括节能关机功能
降低电源电流最大为5
μA
每信道时并不需要的放大器。
通道1和2一起被置于关断，因为
在通道3和4关断时，输出
积极拉低。
该LMV321 ， LMV358 ， LMV324和LMV324S是
对于应用程序的最具成本效益的解决方案
其中，低电压运行，省空间，低
都需要成本。这些放大器的设计
专门用于低电压（2.7伏至5伏）操作，
其性能指标达到或超过
从5 V电源供电的LM358 LM324和设备
到LMV3xx设备30五，附加功能
是一个共模输入电压范围
包括地面， 1 -MHz的单位增益带宽，和1-
V / μs压摆率。
该LMV321是在超小型DCK可用（SC
70）包，这是大约二分之一的尺寸
的DBV （ SOT -23 ）封装。该封装可节省
在印刷电路板和空间使
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源，以减少噪声干扰，提高
信号完整性。
1
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
2IN+
2IN–
2OUT
1/2 SHDN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
3/4 SHDN
LMV358 。 。 。 D（ SOIC ） ， DDU （ VSSOP ）
DGK （ MSOP ） ，或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
1IN+
GND
1IN–
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 1999-2012 ，德州仪器
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订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
单身
单身
包
(2)
SC- 70 - DCK
SOT -23 - DBV
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
-40_C到125_C
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
四
四
四
SOIC - D
SOIC - D
TSSOP - PW
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
SOIC - D
四
TSSOP - PW
(1)
(2)
(3)
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购型号
LMV321IDCKR
LMV321IDCKT
LMV321IDBVR
LMV321IDBVT
LMV358IDGKR
LMV358IDGKT
LMV358ID
LMV358IDR
LMV358IPW
LMV358IPWR
LMV358IDDUR
LMV324ID
LMV324IDR
LMV324SID
LMV324SIDR
LMV324IPWR
LMV324SIPWR
LMV358QDGKR
LMV358QDGKT
LMV358QD
LMV358QDR
LMV358QPW
LMV358QPWR
LMV358QDDUR
LMV324QD
LMV324QDR
LMV324QPW
LMV324QPWR
R3_
RC1_
R5_
预览
MV358I
MV358I
RA5_
LMV324I
LMV324SI
MV324I
MV324SI
RH “
MV358Q
MV358Q
RAH_
LMV324Q
MV324Q
TOP- SIDE
记号
(3)
-40_C到125_C
双
双
-40_C到125_C
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DDU / DGK ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
2
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符号（每个放大器）
–
OUT
+
IN +
V
CC
V
BIAS1
IN-
LMV324的简化原理图
+
–
V
BIAS2
V
CC
+
产量
–
V
CC
V
CC
V
BIAS3
+
IN-
IN +
V
BIAS4
–
+
–
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3
LMV321单，双LMV358
LMV324四路， LMV324S QUAD具有关断功能
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
(3)
最大
5.5
±5.5
单位
V
V
V
差分输入电压
输入电压范围（或输入）
输出短路（一个放大器）的持续时间与地
(4)
在或低于T
A
= 25°C,
V
CC
≤
5.5 V
8引脚
包
DBV包装
14针
16针
5针
5针
8引脚
8引脚
8引脚
PW包
14针
16针
DCK包装
DDU包
DGK包装
–0.2
5.5
无限
97
86
73
206
252
210
172
149
113
108
150
θ
JA
封装的热阻抗
(5)
(6)
° C / W
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
°C
°C
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
IH
V
IL
电源电压（单电源供电）
放大器导通的电压电平（ LMV324S ）
(2)
放大器的关断电压电平（ LMV324S ）
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
我的温度（ LMV321 ，
LMV358 ， LMV324 ）
T
A
工作自由空气的温度
我的温度（ LMV324S ，
LMV321IDCK)
Q温度
(1)
(2)
–40
-40
–40
2.7
1.7
3.5
0.7
1.5
125
85
125
°C
最大
5.5
单位
V
V
V
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号
SCBA004.
V
IH
不应该被允许超过V
CC
.
4
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电气特性
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
V
IO
α
VIO
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
V
O
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压
范围
输出摆幅
V
CM
= 0 1.7 V
V
CC
= 2.7 V至5 V ，V
O
= 1 V
CMRR
≥
50分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
LMV321I
I
CC
B
1
Φ
m
G
m
V
n
I
n
(1)
电源电流
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 1千赫
F = 1千赫
LMV358I （两个放大器）
LMV324I / LMV324SI （所有四个放大器）
C
L
= 200 pF的
高层
低层
50
50
0
V
CC
– 100
测试条件
民
典型值
(1)
1.7
5
11
5
63
60
–0.2
1.9
V
CC
– 10
60
80
140
260
1
60
10
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
μA
1.7
250
50
最大
7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
mV
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
关闭特性（ LMV324S ）
V
CC+
= 2.7 V ，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
CC （ SHDN ）
t
（上）
t
（关闭）
(1)
在关断模式下电源电流
（每通道）
放大器开启时间
功放关断时间
测试条件
SHDN
≤
0.6 V
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
A
V
= 1, R
L
=打开（在50 ％点测）
2
40
民
典型值
(1)
最大
5
单位
μA
μs
ns
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置，并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
版权所有 1999-2012 ，德州仪器
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