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www.fairchildsemi.com
LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
REV 。 2004年四月1A
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
5
6
7
5
6
7
2
-
-
-
-
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
REV 。 2004年四月1A
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
REV 。 2004年四月1A
5
www.fairchildsemi.com
LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
修订版2002年11月1日
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
2
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
修订版2002年11月1日
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
修订版2002年11月1日
5
www.fairchildsemi.com
LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
修订版2002年11月1日
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
2
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
修订版2002年11月1日
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
修订版2002年11月1日
5
www.fairchildsemi.com
LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
REV 。 2004年四月1A
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
5
6
7
5
6
7
2
-
-
-
-
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
REV 。 2004年四月1A
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
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