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LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
修订版2002年11月1日
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
2
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
修订版2002年11月1日
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
修订版2002年11月1日
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
修订版2002年11月1日
5
LMV321单,双LMV358 , LMV324四路
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263C - 1999年8月 - 修订2000年3月
D
D
D
D
D
2.7 V和5 V性能
无交越失真
低电源电流:
LMV321 。 。 。 130
A
典型值
LMV358 。 。 。 210
A
典型值
LMV324 。 。 。 410
A
典型值
轨到轨输出摆幅
封装选择包括塑料
小外形封装( D) ,小外形晶体管
( SOT -23 DBV , SC- 70 DCK ) ,以及超薄紧缩
小外形( PW )封装
LMV324 。 。 。 D组或PW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV358 。 。 。 D组或PW包装
( TOP VIEW )
描述
该LMV324和LMV358是低电压( 2.7 V
至5.5 V )的双路和四路运算的版本
放大器LM324 LM358和,从操作
5伏至30伏。 LMV321是单级放大器
版本。
该LMV321 , LMV324和LMV358是最
对于应用具有成本效益的解决方案
低电压操作,省空间,低
需要价格。他们提供了规范,
达到或超过那些熟悉的LM358和
LM324设备。这些器件具有轨至轨
输出摆幅
能力,
输入
共模电压范围包括地面。
他们都表现出卓越的速度 - 功率比,
实现带宽为1MHz的1 -V / μs压摆率
低电源电流。
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV OR DCK包装
( TOP VIEW )
1IN+
GND
IN-
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
该LMV321是在超小型DCK包,这是DBV的约一半的大小可
封装。这个包节省了空间上的印刷电路板,能够实现小型的便携式设计
电子设备。它还允许设计人员将设备靠近信号源,以降低噪声
皮卡和提高信号的完整性。
该LMV321I , LMV324I和LMV358I器件的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
符号(每个放大器)
OUT
IN +
+
版权
2000年,德州仪器
IN =
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
LMV321单,双LMV358 , LMV324四路
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263C - 1999年8月 - 修订2000年3月
可选项
TA
TYPE
5引脚SOT
-40 ° C至85°C
8引脚SOIC
8引脚TSSOP
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
包装设备
单身
LMV321IDCKR
LMV321IDBVR
LMV358ID
LMV358IPWR
四人
LMV324ID
LMV324IPWR
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型(例如,
LMV324DR ) 。在DCK , DBV和PW包仅适用左端录音和缠绕。
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压V
I
(任一输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
输出短路( 1放大器)的持续时间,以在地面(或低于)笔
A
= 25°C,
V
CC
5.5 V (见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D ( 8引脚)封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 197 ° C / W
D( 14引脚)封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 127 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 347 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 389 ° C / W
PW ( 8引脚)封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
PW ( 14引脚)封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 170 ° C / W
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒: D或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
DBV或DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值(除了IOS的测量指定的差分电压和VCC )是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.从输出到VCC短路可能导致过热和最终销毁。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大可能影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件
VCC
TA
电源电压(单电源供电)
工作自由空气的温度
2.7
–40
最大
5.5
85
单位
V
°C
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
LMV321单,双LMV358 , LMV324四路
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263C - 1999年8月 - 修订2000年3月
在T电气特性
A
= 25° C和V
CC+
= 2.7 V(除非另有说明)
参数
VIO
输入失调电压
平均温度系数
输入偏移电压的
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压范围
输出摆幅
VCM = 0 1.7 V
VCC = 2.7 V至5 V ,
CMRR
50
VO = 1 V
高层
低层
50
0至1.7
VCC–100
测试条件
典型值
1.7
5
11
5
63
60
-0.2 1.9
VCC–10
60
80
140
260
1
60
10
F = 1千赫
F = 1千赫
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
250
50
最大
7
单位
mV
a
VIO
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
m
V /°C的
nA
nA
dB
dB
V
mV
w
50分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
1 35
LMV321I
ICC
B1
电源电流
LMV358I (两个放大器)
LMV324I (所有四个放大器)
CL = 200 pF的
m
A
F
m
Gm
Vn
In
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
LMV321单,双LMV358 , LMV324四路
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263C - 1999年8月 - 修订2000年3月
在指定的自由空气的温度范围内,V电气特性
CC+
= 5V (除非另有
说明)
参数
VIO
输入失调电压
平均温度系数
输入偏移电压的
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
VCM = 04 V
VCC = 2.7 V至5 V , VO = 1 V ,
VCM = 1 V
CMMR
测试条件
TA
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
高层
RL = 2 kΩ到2 5 V
2.5
低层
输出摆幅
高层
RL = 10 kΩ至2.5 V
25
低层
AVD
IOS
大信号差
g
g
电压增益
输出短路电流
短路
RL = 2 kΩ的
采购, VO = 0 V
下沉, VO = 5 V
LMV321I
ICC
电源电流
LMV358I (两个放大器)
LMV324I (所有四个放大器)
B1
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
压摆率
F = 1千赫
F = 1千赫
CL = 200 pF的
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
1
60
10
39
0.21
1
410
210
15
10
5
10
60
160
130
250
350
440
615
830
1160
兆赫
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V/
m
s
100
VCC–100
VCC–200
VCC–10
65
180
280
V / MV
mA
50
50
0-4
VCC–300
VCC–400
65
60
-0.2 4.2
02 42
VCC–40
120
300
400
mV
5
5
15
250
500
50
150
典型值
1.7
最大
7
9
单位
mV
a
V
IIB
IO
m
V /°C的
nA
nA
dB
dB
V
IIO
CMRR
kSVR
VICR
w
50分贝
m
A
f
m
Gm
Vn
In
SR
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
重要通知
德州仪器(TI)及其附属公司( TI)保留随时修改他们的产品或终止的权利
任何产品或服务,恕不另行通知,并告知客户获得相关信息的最新版本
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关于保修,专利侵权,并赔偿责任限制。
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除了那些由政府强制要求执行。
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死亡,人身伤害,或严重的财产或环境损害( “ CRITICAL
应用程序“) 。 TI半导体产品并非设计,授权,或
担保能适用用于生命支持设备或系统或其他
关键应用。 TI产品在这些应用中夹杂物被理解为
完全根据客户的风险。
为了最小化与用户的应用程序,适当的设计与操作相关的风险
保障措施必须由客户提供,以尽量减少固有的或程序上的危害。
TI对应用帮助或客户产品设计不承担任何责任。 TI不声明或保证
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TI覆盖或与之相关的任何组合,机器或流程的知识产权进行此类
半导体产品或服务可能使用或正在使用。 TI的对任何第三方公布的信息
方的产品或服务不构成TI的批准,保证或认可。
版权
2000年,德州仪器
LMV321 / LMV358 / LMV324单路/双路/四路通用,低电压,轨至轨输出
运算放大器
2003年6月
LMV321 / LMV358 / LMV324单/双/四核
通用,低电压,轨至轨输出
运算放大器
概述
该LMV358 / 324是低电压( 2.7-5.5V )版本的
双路和四路商品运算放大器, LM358 / 324 ,其中电流
在5-30V rently工作。该LMV321是单一版本。
该LMV321 / 324分之358是最符合成本效益的解决方案
对于应用中的低电压操作,空间储蓄
需要ING和低廉的价格。他们提供了规范,
达到或超过所熟悉的LM358 / 324 。该LMV321 / 358 /
324具有轨到轨输出摆幅能力和输入
共模电压范围包括地面。他们都EX-
hibit出色的速度 - 功率比,实现频带 - 的1MHz的
宽度和1V的压摆率,低电源电流/ μs的。
该LMV321可在节省空间的SC70-5 ,这是
SOT23-5的约一半的大小。小包装
节省印刷电路板空间,并支持小型设计
便携式电子设备。它还允许设计师
将设备靠近信号源,以降低噪声
皮卡和提高信号的完整性。
该芯片具有内置美国国家半导体的先进的亚微米
硅栅BiCMOS工艺。该LMV321 / 324分之358有
双极性输入和输出级以改善噪声perfor-
曼斯和更高的输出电流驱动。
特点
(对于V
+
= 5V和V
= 0V ,典型的,除非另有说明)
n
保证2.7V和5V表现
n
无交越失真
n
节省空间的封装
SC70-5 2.0x2.1x1.0mm
n
工业级温度范围。范围
-40 ° C至+ 85°C
n
增益带宽积
1MHz
n
低电源电流
- LMV321
130A
- LMV358
210A
- LMV324
410A
+
n
轨到轨输出摆幅
@
10k
V -10mV
V
+65mV
n
V
CM
-0.2V到V
+
0.8V
应用
n
主动滤池
n
通用低电压应用
n
通用便携式设备
增益和相位 - 容性负载
输出电压摆幅与电源电压
10006045
10006067
2003美国国家半导体公司
DS100060
www.national.com
LMV321 / LMV358 / LMV324单/双/四核
绝对最大额定值
(注1 )
储存温度。范围
结温(注5 )
-65_C到150_C
150C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
机器型号
人体模型
LMV358/324
LMV321
差分输入电压
电源电压(V
+
–V
)
输出短路到V
输出短路到V
焊接信息
红外线或对流( 20秒)
235C
+
工作额定值
(注1 )
电源电压
温度范围
LMV321 , LMV358 , LMV324
热阻( θ
5引脚SC70-5
5 -PIN SOT23-5
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚SOIC
14引脚TSSOP
JA
)(注
100V
2000V
900V
2.7V至5.5V
-40 ° C至+ 85°C
10)
478C/W
265C/W
190C/W
235C/W
145C/W
155C/W
±
电源电压
5.5V
(注3)
(注4 )
2.7V DC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CM
参数
输入失调电压
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
0V
V
CM
1.7V
2.7V
V
+
5V
V
O
= 1V
对于CMRR≥50dB
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
& GT ;
1M.
典型值
(注6 )
1.7
5
11
5
63
60
0.2
1.9
250
50
50
50
0
1.7
V
+
-100
180
170
340
680
极限
(注7 )
7
单位
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
dB
dB
V
V
最大
mV
mV
最大
A
最大
A
最大
A
最大
条件
V
O
输出摆幅
R
L
= 10kΩ至1.35V
V
+
-10
60
I
S
电源电流
LMV321
LMV358
这两款放大器
LMV324
所有四个放大器
80
140
260
www.national.com
2
LMV321 / LMV358 / LMV324单/双/四核
2.7V AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
符号
增益带宽积
Φ
m
G
m
e
n
i
n
参数
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
F = 1kHz时
F = 1kHz时
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
& GT ;
1M.
典型值
(注6 )
1
60
10
46
0.17
极限
(注7 )
单位
兆赫
dB
条件
C
L
= 200pF的
5V DC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CM
参数
输入失调电压
输入失调电压平均
漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压
范围
0V
V
CM
4V
2.7V
V
+
5V
V
O
= 1V V
CM
= 1V
对于CMRR≥50dB
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 2.0V, V
O
= V
+
/ 2和R
典型值
(注6 )
1.7
5
15
5
65
60
0.2
4.2
250
500
50
150
50
50
0
4
15
10
V
+
-300
V
+
-400
300
400
V
+
-100
V
+
-200
180
280
5
10
250
350
440
615
830
1160
极限
(注7 )
7
9
L
& GT ;
1M.
条件
单位
mV
最大
μV/°C
nA
最大
nA
最大
dB
dB
V
V
最大
V / MV
mV
mV
最大
mV
mV
最大
m
mA
A
最大
A
最大
A
最大
A
V
V
O
大信号电压增益(注
L
= 2k
8)
输出摆幅
R
L
=为2kΩ至2.5V
100
V
+
-40
120
R
L
= 10kΩ至2.5V
V
+
-10
65
I
O
输出短路电流
采购,V
O
= 0V
下沉,V
O
= 5V
60
160
130
210
410
I
S
电源电流
LMV321
LMV358
这两款放大器
LMV324
所有四个放大器
3
www.national.com
LMV321 / LMV358 / LMV324单/双/四核
5V AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
增益带宽积
Φ
m
G
m
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
F = 1kHz时
F = 1kHz时
参数
(注9 )
C
L
= 200pF的
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 2.0V, V
O
= V
+
/ 2和R
典型值
(注6 )
1
1
60
10
39
0.21
极限
(注7 )
L
& GT ;
1M.
单位
V / μs的
兆赫
dB
条件
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模型, 1.5kΩ的串联100pF的。机器型号, 0Ω串联200pF的。
注3 :
输出短路到V
+
会产生不利影响可靠性。
注4 :
输出短路到V
-
会产生不利影响可靠性。
注5 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。
注7 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注8 :
R
L
连接到V
-
。输出电压为0.5V
V
O
4.5V.
注9 :
接成电压跟随器具有3V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注10 :
所有的数字是典型的,并且可以直接应用在静止空气中焊接到印刷电路板的包。
www.national.com
4
LMV321 / LMV358 / LMV324单/双/四核
典型性能特性
T
A
= 25C.
电源电流与电源电压( LMV321 )
除非另有规定ED ,V
S
= + 5V单电源,
输入电流与温度
10006073
100060A9
采购电流和输出电压
采购电流和输出电压
10006069
10006068
下沉电流和输出电压
下沉电流和输出电压
10006070
10006071
5
www.national.com
LMV321/LMV358/LMV324
通用型,低电压,轨到轨
输出运算放大器
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
(当V = 5V和V = 0V典型除非另有说明)
保证2.7V和5V表现
交越失真消除
工作温度范围( -40 ° C至+ 85°C )
增益带宽积
1兆赫
低电源电流
- LMV321
110 μA典型值
- LMV358
190 μA典型值
- LMV324
340 μA典型值
轨到轨输出摆幅@ 10千欧
+
- V -10毫伏
-
- V 10毫伏
+
输入共模电压范围( -0.2到V -0.8V )
在标准CMOS工艺制造
SOT353 , SOT25 , MSOP -8L , SOP- 8L和TSSOP- 14L :
可在“绿色”模塑料(无溴,锑)
无铅完成/符合RoHS (注4 )
+
-
概述
该LMV321 / LMV358 / LMV324是低电压( 2.7V至5.5V )
单,
操作
放大器器。
LMV321 / LMV358 / LMV324的设计,有效降低成本
并在低电压电平的空间。这些设备具有
轨到轨输出摆幅和共模输入功能
电压范围包括地面。它们也可以实现高效率的
速度 - 功率比,采用1 MHz的带宽和1 V /μs压摆
率在低电源电流。减少噪声干扰,
增大信号完整性可以通过放置在设备来实现
合到信号源。
该LMV321采用5引脚
SOT353 / SOT25封装,降低对PC板空间
和便携式电子设备。
该LMV324处于可用
TSSOP - 14L封装。该LMV358是在MSOP -8L可
和SOP- 8L封装。
应用
主动滤池
通用低电压应用
通用便携式设备
订购信息
LMV3 XX XX摹 - X
W: SOT25
SE : SOT353
TS : TSSOP- 14L
S: SOP8L
M8 : MSOP -8L
产品型号
21 :单(注1 )
24 :四(注2 )
58 :双(注3 )
绿色
G:绿
填料
7/13 : &带卷
设备
LMV321WG-7
LMV321SEG-7
LMV324TSG-13
LMV358SG-13
LMV358M8G-13
注意事项:
CODE
W
SE
TS
S
M8
包装
(注5 )
SOT25
SOT353
TSSOP-14L
SOP-8L
MSOP-8L
7 “ / 13”磁带和卷轴
QUANTITY
型号后缀
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
2500 /磁带&卷轴
-13
2500 /磁带&卷轴
-13
2500 /磁带&卷轴
-13
1. LMV321仅适用于SOT25和SOT353 。
2. LMV324仅适用于采用TSSOP - 14L 。
3. LMV358仅适用于SOP- 8L和MSOP -8L 。
4.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站:
http://www.diodes.com/products/lead_free.html
5.
如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
LMV321 / LMV358 / LMV324第1版
1 16
www.diodes.com
2009年6月
Diodes公司
LMV321/LMV358/LMV324
通用型,低电压,轨到轨
输出运算放大器
引脚分配
(1)
SOT25 / SOT353
(2)
SOP- 8L / MSOP -8L
(顶视图)
IN
+
V
-
(顶视图)
5
V
+
1
+
OUT
A
IN
A-
A+
2
3
-
1
2
3
4
A
-
+
B
+
-
8
7
6
5
V
+
OUT
B
IN
B-
IN
B+
IN
-
4
OUT
IN
SOT25 / SOT353
V
-
SOP- 8L / MSOP -8L
(3)
TSSOP-14L
( TOP VIEW )
OUT
A
IN
A-
IN
A+
V
IN
B+
IN
B -
OUT
B
+
1
2
3
4
5
6
7
A
-
+
+
D
14
-
OUT
D
IN
D -
IN
D+
V
-
IN
C-
OUT
C
13
12
11
9
8
10
IN
C+
-
B
+
+
-
C
TSSOP-14L
LMV321 / LMV358 / LMV324第1版
2 16
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2009年6月
Diodes公司
LMV321/LMV358/LMV324
通用型,低电压,轨到轨
输出运算放大器
绝对最大额定值
符号
ESD HBM
(注6 )
描述
人体模型ESD
保护
LMV321
LMV358
LMV324
LMV321
LMV358
LMV324
等级
4.0
4.0
4.5
350
350
250
●电源电压
5.5
(注7 )
(注8)
-65到150
150
单位
KV
ESD MM
机器模型ESD保护
差分输入电压
电源电压
输出短路到V
+
输出短路到V
-
储存温度
最高结温
V
V
V
V -V
+
-
T
ST
T
J
°C
°C
工作额定值
符号
V -V
T
A
注意事项:
+
-
(注6 )
描述
电源电压
工作环境温度范围
等级
2.75.5
-40至+85
单位
V
°C
6.绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该条件
设备旨在是功能性的,但具体的性能不被保证。为保证规范和测试条件,请参阅
电气特性。
LMV321 / LMV358 / LMV324第1版
3 16
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2009年6月
Diodes公司
LMV321/LMV358/LMV324
通用型,低电压,轨到轨
输出运算放大器
电气特性
2.7V DC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
A
= 25 ° C,V = 2.7V ,V = 0V ,V
CM
= 1.0V, V
O
= V / 2和R
L
> 1 MΩ 。
+
-
+
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CMR
V
O
参数
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
电源抑制
输入共模
电压范围
输出摆幅
测试条件
(注10 )
典型值。
(注9 )
1.7
5
10
5
最大
(注10 )
7
单位
mV
μV/°C
50
nA
nA
dB
dB
0V
V
CM
1.7V
2.7V
V
+
5V
V
O
= 1V
对于CMRR
50dB
R
L
= 10 k
TO 1.35V
LMV321
单个放大器
LMV358
这两款放大器
LMV324
所有四个放大器
50
50
0
V
+
- 100
63
60
-0.2
1.9
+
V - 20
20
110
190
340
1.7
100
140
340
680
V
mV
A
A
A
I
S
电源电流
2.7V AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
A
= 25 ° C,V = 2.7V ,V = 0V ,V
CM
= 1.0V, V
O
= V / 2和R
L
> 1 MΩ 。
+
-
+
符号
增益带宽积
Φm
Gm
e
n
参数
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压
噪音
测试条件
C
L
= 200 pF的
(注10 )
典型值。
(注9 )
1
60
10
23
最大
(注10 )
单位
兆赫
dB
nV
F > 50千赫
H
Z
LMV321 / LMV358 / LMV324第1版
4 16
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2009年6月
Diodes公司
LMV321/LMV358/LMV324
通用型,低电压,轨到轨
输出运算放大器
电气特性
5V DC电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
A
= 25 ° C,V = 5V ,V = 0V ,V
CM
= 2.0V, V
O
= V / 2和
R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
+
-
+
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
CMR
A
V
参数
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制
电源抑制
输入共模
电压范围
测试条件
(注10 )
典型值。
(注9 )
1.7
5
15
5
最大
(注10 )
7
9
单位
mV
μV/°C
250
500
50
150
nA
nA
dB
dB
0V
V
CM
4.0V
2.7V
V
+
5V
V
O
= 1V, V
CM
= 1V
对于CMRR
50dB
50
50
0
15
10
+
V - 300
V
+
- 400
V
+
- 100
V
+
- 200
65
60
-0.2
4.2
100
V
+
- 50
50
V
+
- 10
10
180
280
300
400
4.0
V
V / MV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
大信号电压增益
L
= 2 kΩ的(注11 )
R
L
= 2 k
到2.5V
V
O
输出摆幅
R
L
= 10 k
到2.5V
输出短路
当前
采购,V
O
= 0V
下沉,V
O
= 5V
LMV321
单个放大器
LMV358
这两款放大器
LMV324
所有四个放大器
SOT353 (注12 )
SOT25 (注12 )
TSSOP-14L
(注12 )
MSOP -8L (注12 )
SOP- 8L (注12 )
I
O
5
10
60
90
110
190
340
330
250
100
203
150
140
340
600
680
1100
A
A
A
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
I
S
电源电流
θ
JA
热阻
结到环境
LMV321 / LMV358 / LMV324第1版
5 16
www.diodes.com
2009年6月
Diodes公司
LMV321 , LMV358 , LMV324
低成本,低功耗,输入/输出轨至轨
运算放大器
特点
经营范围从V
CC
= 2.7 V至6 V
轨至轨输入和输出
扩展V
ICM
(V
DD
- 0.2 V到V
CC
+ 0.2 V)
低电源电流( 145 μA )
增益带宽积( 1兆赫)
ESD容差( 2 KV)
闭锁抗扰度
可用在微封装SOT23-5
产量
VDD
非反相输入端
LMV321ILT
(SOT23-5)
非反相输入1
VDD
2
5
VCC
+
_
4
产量
同相输入3
LMV321RILT
(SOT23-5)
1
2
3
4
反相输入
5
VCC
应用
两节电池供电系统
电池供电的电子设备
无绳电话
个人医疗(血糖仪)
笔记本电脑
掌上电脑
LMV358ID/IDT-LMV358IPT
( SO - 8 , TSSOP - 8 )
输出1
反相输入1
非反相输入1
VDD
1
2
3
4
_
+
_
+
8
7
6
5
VCC
输出2
反相输入2
非反相输入2
描述
该LMV321 / 324分之358系列(单,双和
四)答案,需要低成本,中普通
用运算放大器。它们采用
电压低至2.7 V ,并设有两个输入
输出轨至轨, 145 μA消费
电流和1 MHz的增益带宽积
(英镑) 。
如此低的功耗和足够的
英镑对于许多应用,这些运算放大器是
非常非常适合于提供任何种类的电池的
和便携式设备中的应用。
该LMV321被容纳在节省空间的5引脚
SOT23-5封装,从而简化了电路板设计
(整体尺寸2.8毫米X 2.9毫米) 。该
SOT23-5有两个钉扎配置,
回答所有的应用需求。
LMV324ID/IDT-LMV324IPT
( SO - 14和TSSOP -14 )
输出1
反相输入1
非反相输入1
VCC
非反相输入2
反相输入2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
+
_
+
_
_
+
_
+
14输出4
13反相输入4
12非反相输入4
11 VDD
10非反相输入3
9
8
同相输入3
输出3
2010年1月
文档ID 11887牧师4
1/16
www.st.com
16
绝对最大额定值和运行条件
LMV321 , LMV358 , LMV324
1
绝对最大额定值和运行条件
表1中。
符号
V
CC
V
id
V
in
T
OPER
T
英镑
T
j
电源电压
(1)
差分输入电压
(2)
输入电压
工作自由空气的温度范围
储存温度
最高结温
热阻结到环境
(3)
SOT23-5
SO-8
SO-14
TSSOP8
TSSOP14
热阻结到外壳
(3)
SOT23-5
SO-8
SO-14
TSSOP8
TSSOP14
HBM :人体模型
(4)
ESD
MM :机器型号
(5)
CDM :带电器件模型
(6)
焊接温度(焊接, 10秒)
输出短路持续时间
绝对最大额定值
参数
价值
7
±1
V
DD
-0.3到V
CC
+0.3
-40+ 125
-65到+150
150
250
125
103
120
100
81
40
31
37
32
2
200
1.5
250
见注
(7)
单位
V
V
V
°C
°C
°C
R
thJA
° C / W
R
thJC
° C / W
kV
V
kV
°C
1.所有电压值,除了差分电压是相对于网络终端。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。如果
V
id
> ± 1V,最大输入电流不能超过±1毫安。在这种情况下, (Ⅴ
id
> ± 1V) ,一个输入序列
电阻必须添加,以限制输入电流。
3.短路,可能导致过度加热。破坏性消耗可导致并发短
所有放大器电路。所有数值都是典型。
4.人体模型:一个100pF的电容器被充电至指定的电压时,则通过一排
1.5 k
Ω
两个销装置之间的电阻。这是所有情侣的连接引脚进行组合
而另一管脚浮动。
5.机器型号: A 200 pF的电容充电至额定电压,然后直接排放之间
两个引脚器件无需外部串联电阻(内部电阻< 5
Ω
) 。这是所有情侣做的
连接引脚的组合,而其他引脚悬空。
6.带电器件模型:所有引脚和封装都一起加入到指定的电压,然后
直接排放到地面只通过一个销。这样做是为了所有的引脚。
没有清洁发展机制的SOT23-5L封装指定的值。该值给出了这么和TSSOP封装。
从输出到V 7的短路
CC
可能导致过度加热。最大输出电流是
大约48毫安,独立Ⅴ的大小的
CC
。破坏性消耗可导致
在所有的放大器同时短路。
2/16
文档ID 11887牧师4
LMV321 , LMV358 , LMV324
表2中。
符号
V
CC
V
ICM
V
ICM
T
OPER
电源电压
绝对最大额定值和运行条件
工作条件
参数
共模输入电压范围
(1)
共模输入电压范围
(2)
工作自由空气的温度范围
价值
2.7 6
V
DD
-0.2到V
CC
+ 0.2
V
DD
到V
CC
-40+ 125
单位
V
V
V
°C
1.在25 ° C, 2.7
V
CC
6 V, V
ICM
延伸到V
DD
- 0.2 V, V
CC
+ 0.2 V.
2.在整个温度范围内,既Rails可以达到当V
CC
不超过5.5 V.
文档ID 11887牧师4
3/16
电气特性
LMV321 , LMV358 , LMV324
2
表3中。
符号
V
io
ΔV
io
I
io
I
ib
CMR
SVR
A
vd
电气特性
V
CC
= +2.7 V, V
DD
= 0 V ,C
L
和R
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25°C
(除非另有规定编)
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
共模抑制比
电源电压抑制比
大信号电压增益
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
(1)
T
T
AMB
T
最大
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
(1)
T
T
AMB
T
最大
0
V
ICM
V
CC
V
ICM
= V
CC
/2
V
OUT
= 0.5 V至2.2 V
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
V
id
= 100 mV的
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
V
id
= -100 mV的
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
输出源电流
V
id
- 100毫伏,V
O
= V
DD
输出灌电流
V
id
= -100 mV时, V
O
= V
CC
V
OUT
= V
CC
/2
A
VCL
= 1,无负载
T
T
AMB
T
最大
,
R
L
= 10 kΩ的
L
= 100 pF的,
F = 100千赫
,
R
L
= 600
Ω
C
L
= 100 pF的,
A
V
= 1
,
R
L
= 600
Ω
C
L
= 100 pF的
5
5
55
70
80
70
条件
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
T
T
AMB
T
最大
分钟。
典型值。
0.1
2
1
10
85
80
100
88
9
25
50
85
马克斯。
3
6
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
dB
V
OH
高电平输出电压
2.6
2.55
2.65
2.6
V
V
OL
低电平输出电压
15
50
46
46
145
90
100
mV
I
o
输出电流
mA
I
CC
电源电流(每个放大器)
200
230
A
英镑
SR
φm
en
THD
增益带宽积
压摆率
相位裕度
输入电压噪声
总谐波失真
1
0.35
44
40
0.01
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
%
1.最高值包括工业性试验不可避免的误差。
4/16
文档ID 11887牧师4
LMV321 , LMV358 , LMV324
表4 。
符号
V
io
ΔV
io
I
io
I
ib
CMR
SVR
A
vd
电气特性
V
CC
= +5 V, V
DD
= 0 V ,C
L
和R
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25°C
(除非另有规定编)
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
共模抑制比
电源电压抑制比
大信号电压增益
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
(1)
T
T
AMB
T
最大
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
(1)
T
T
AMB
T
最大
0
V
ICM
V
CC
V
ICM
= V
CC
/2
V
OUT
= 0.5 V至4.5 V
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
V
id
= 100 mV的
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
V
id
= -100 mV的
T
T
AMB
T
最大
R
L
= 10 kΩ
R
L
= 2 kΩ
输出源电流
V
id
- 100毫伏,V
O
= V
DD
输出灌电流
V
id
= -100 mV时, V
O
= V
CC
V
OUT
= V
CC
/2
A
VCL
= 1,无负载
T
T
AMB
T
最大
,
R
L
= 10 kΩ的
L
= 100 pF的,
F = 100千赫
,
R
L
= 600
Ω
C
L
= 100 pF的,
A
V
= 1
,
R
L
= 600
Ω
C
L
= 100 pF的
7
7
65
70
85
77
条件
V
ICM
= V
OUT
= V
CC
/2
T
T
AMB
T
最大
分钟。
典型值。
0.1
2
1
16
95
90
97
93
9
25
63
95
马克斯。
3
6
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
dB
V
OH
高电平输出电压
4.85
4.8
4.95
4.91
V
V
OL
低电平输出电压
40
80
48
48
162
180
200
mV
I
o
输出电流
mA
I
CC
英镑
SR
φm
en
THD
电源电流(每个放大器)
220
250
A
增益带宽积
压摆率
相位裕度
输入电压噪声
总谐波失真
1.3
0.45
48
40
0.01
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
%
1.最高值包括工业性试验不可避免的误差。
文档ID 11887牧师4
5/16
www.ti.com
LMV321单,双LMV358
LMV324四路, LMV324S QUAD具有关断功能
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263T - 1999年8月 - 修订2007年9月
1
特点
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125 ° C操作
低功耗关断模式( LMV324S )
无交越失真
低电源电流
- LMV321 。 。 。 130
μA
典型值
- LMV358 。 。 。 210
μA
典型值
- LMV324 。 。 。 410
μA
典型值
- LMV324S 。 。 。 410
μA
典型值
轨到轨输出摆幅
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
LMV324 。 。 。 D( SOIC )或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV324S 。 。 。 D( SOIC )或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
描述/
订购信息
该LMV321 , LMV358 , LMV324和/ LMV324S是
单路,双路和四路低电压( 2.7 V至5.5 V )
运算放大器具有轨到轨输出摆幅。
该LMV324S ,这是标准的变
LMV324 ,包括节能关机功能
降低电源电流最大为5
μA
每信道时并不需要的放大器。
通道1和2一起被置于关断,因为
在通道3和4关断时,输出
积极拉低。
该LMV321 , LMV358 , LMV324和LMV324S是
对于应用程序的最具成本效益的解决方案
其中,低电压运行,省空间,低
都需要成本。这些放大器的设计
专门用于低电压(2.7伏至5伏)操作,
其性能指标达到或超过
从5 V电源供电的LM358 LM324和设备
到LMV3xx设备30五,附加功能
是一个共模输入电压范围
包括地面, 1 -MHz的单位增益带宽,并
1 -V / μs压摆率。
该LMV321是在超小型DCK提供
(SC- 70 )封装,它是大约二分之一的
在DBV ( SOT -23 )封装的尺寸。这个包
节省空间的印刷电路板,使
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源,以减少噪声干扰,提高
信号完整性。
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
2IN+
2IN–
2OUT
1/2 SHDN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
3/4 SHDN
LMV358 。 。 。 D( SOIC ) , DDU ( VSSOP )
DGK ( MSOP ) ,或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV ( SOT- 23)或DCK ( SC- 70 )封装
( TOP VIEW )
1IN+
GND
1IN–
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ,德州仪器
LMV321单,双LMV358
LMV324四路, LMV324S QUAD具有关断功能
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263T - 1999年8月 - 修订2007年9月
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订购信息
(1)
T
A
(2)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
SOIC - D
TSSOP - PW
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
SOIC - D
TSSOP - PW
(1)
(2)
(3)
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购型号
LMV321IDCKR
LMV321IDCKT
LMV321IDBVR
LMV321IDBVT
LMV358IDGKR
LMV358IDGKT
LMV358ID
LMV358IDR
LMV358IPW
LMV358IPWR
LMV358IDDUR
LMV324ID
LMV324IDR
LMV324SID
LMV324SIDR
LMV324IPWR
LMV324SIPWR
LMV358QDGKR
LMV358QDGKT
LMV358QD
LMV358QDR
LMV358QPW
LMV358QPWR
LMV358QDDUR
LMV324QD
LMV324QDR
LMV324QPW
LMV324QPWR
R3_
RC1_
R5_
预览
MV358I
MV358I
RA5_
LMV324I
LMV324SI
MV324I
MV324SI
RH “
MV358Q
MV358Q
RAH_
LMV324Q
MV324Q
TOP- SIDE
记号
(3)
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DDU / DGK :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
2
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符号(每个放大器)
OUT
+
IN +
IN-
LMV324的简化原理图
V
CC
V
BIAS1
+
V
BIAS2
V
CC
+
V
CC
V
CC
V
BIAS3
产量
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
版权所有1999-2007 ,德州仪器
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3
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LMV324四路, LMV324S QUAD具有关断功能
低电压轨到轨输出运算放大器
SLOS263T - 1999年8月 - 修订2007年9月
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
最大
5.5
±5.5
单位
V
V
V
差分输入电压
(3)
输入电压范围(或输入)
输出短路(一个放大器)的持续时间与地
(4)
在或低于T
A
= 25°C,
V
CC
5.5 V
8引脚
DBV包装
14针
16针
5针
5针
8引脚
8引脚
8引脚
PW包
14针
16针
DCK包装
DDU包
DGK包装
–0.2
5.5
无限
97
86
73
206
252
待定
172
149
113
108
150
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
° C / W
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
°C
°C
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值(除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
)是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
(最大) ,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
(2)
电源电压(单电源供电)
放大器导通的电压电平( LMV324S )
(2)
放大器的关断电压电平( LMV324S )
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
我的温度
Q温度
–40
–40
2.7
1.7
3.5
0.7
1.5
85
125
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号
SCBA004.
V
IH
不应该被允许超过V
CC
.
4
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电气特性
V
CC+
= 2.7 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V
IO
α
VIO
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
V
O
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压
范围
输出摆幅
V
CM
= 0 1.7 V
V
CC
= 2.7 V至5 V ,V
O
= 1 V
CMRR
50分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
LMV321I
I
CC
B
1
Φ
m
G
m
V
n
I
n
(1)
电源电流
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 1千赫
F = 1千赫
LMV358I (两个放大器)
LMV324I / LMV324SI (所有四个放大器)
C
L
= 200 pF的
高层
低层
50
50
0
V
CC
– 100
测试条件
典型值
(1)
1.7
5
11
5
63
60
–0.2
1.9
V
CC
– 10
60
80
140
260
1
60
10
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
μA
1.7
250
50
最大
7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
mV
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置,并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
关闭特性( LMV324S )
V
CC+
= 2.7 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
I
CC ( SHDN )
t
(上)
t
(关闭)
(1)
在关断模式下电源电流
(每通道)
放大器开启时间
功放关断时间
测试条件
SHDN
0.6 V
A
V
= 1, R
L
=打开(在50 %点测)
A
V
= 1, R
L
=打开(在50 %点测)
2
40
典型值
(1)
最大
5
单位
μA
μs
ns
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置,并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
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1
特点
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125 ° C操作
低功耗关断模式( LMV324S )
无交越失真
低电源电流
- LMV321 。 。 。 130
μA
典型值
- LMV358 。 。 。 210
μA
典型值
- LMV324 。 。 。 410
μA
典型值
- LMV324S 。 。 。 410
μA
典型值
轨到轨输出摆幅
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型( A114 -A )
- 1000 -V带电器件模型( C101 )
LMV324 。 。 。 D( SOIC )或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
LMV324S 。 。 。 D( SOIC )或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
描述/
订购信息
该LMV321 , LMV358 , LMV324和/ LMV324S是
单路,双路和四路低电压( 2.7 V至5.5 V )
运算放大器具有轨到轨输出摆幅。
该LMV324S ,这是标准的变
LMV324 ,包括节能关机功能
降低电源电流最大为5
μA
每信道时并不需要的放大器。
通道1和2一起被置于关断,因为
在通道3和4关断时,输出
积极拉低。
该LMV321 , LMV358 , LMV324和LMV324S是
对于应用程序的最具成本效益的解决方案
其中,低电压运行,省空间,低
都需要成本。这些放大器的设计
专门用于低电压(2.7伏至5伏)操作,
其性能指标达到或超过
从5 V电源供电的LM358 LM324和设备
到LMV3xx设备30五,附加功能
是一个共模输入电压范围
包括地面, 1 -MHz的单位增益带宽,并
1 -V / μs压摆率。
该LMV321是在超小型DCK提供
(SC- 70 )封装,它是大约二分之一的
在DBV ( SOT -23 )封装的尺寸。这个包
节省空间的印刷电路板,使
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源,以减少噪声干扰,提高
信号完整性。
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
2IN+
2IN–
2OUT
1/2 SHDN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN–
4IN+
GND
3IN+
3IN–
3OUT
3/4 SHDN
LMV358 。 。 。 D( SOIC ) , DDU ( VSSOP )
DGK ( MSOP ) ,或PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
LMV321 。 。 。 DBV ( SOT- 23)或DCK ( SC- 70 )封装
( TOP VIEW )
1IN+
GND
1IN–
1
2
3
5
V
CC+
OUT
4
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
(1)
T
A
(2)
SC- 70 - DCK
单身
SOT -23 - DBV
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
SOIC - D
TSSOP - PW
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
TSSOP - PW
VSSOP - DDU
SOIC - D
TSSOP - PW
(1)
(2)
(3)
2500卷
50管
2500卷
2000年卷
2000年卷
2500卷
250的卷轴
75管
2500卷
150管
2000年卷
3000卷
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购型号
LMV321IDCKR
LMV321IDCKT
LMV321IDBVR
LMV321IDBVT
LMV358IDGKR
LMV358IDGKT
LMV358ID
LMV358IDR
LMV358IPW
LMV358IPWR
LMV358IDDUR
LMV324ID
LMV324IDR
LMV324SID
LMV324SIDR
LMV324IPWR
LMV324SIPWR
LMV358QDGKR
LMV358QDGKT
LMV358QD
LMV358QDR
LMV358QPW
LMV358QPWR
LMV358QDDUR
LMV324QD
LMV324QDR
LMV324QPW
LMV324QPWR
R3_
RC1_
R5_
预览
MV358I
MV358I
RA5_
LMV324I
LMV324SI
MV324I
MV324SI
RH “
MV358Q
MV358Q
RAH_
LMV324Q
MV324Q
TOP- SIDE
记号
(3)
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
DBV / DCK / DDU / DGK :实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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符号(每个放大器)
OUT
+
IN +
IN-
LMV324的简化原理图
V
CC
V
BIAS1
+
V
BIAS2
V
CC
+
V
CC
V
CC
V
BIAS3
产量
+
IN-
IN +
V
BIAS4
+
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
CC
V
ID
V
I
电源电压
(2)
最大
5.5
±5.5
单位
V
V
V
差分输入电压
(3)
输入电压范围(或输入)
输出短路(一个放大器)的持续时间与地
(4)
在或低于T
A
= 25°C,
V
CC
5.5 V
8引脚
DBV包装
14针
16针
5针
5针
8引脚
8引脚
8引脚
PW包
14针
16针
DCK包装
DDU包
DGK包装
–0.2
5.5
无限
97
86
73
206
252
待定
172
149
113
108
150
θ
JA
封装的热阻抗
(5) (6)
° C / W
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
工作结温
存储温度范围
–65
°C
°C
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值(除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
)是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
从输出到V短路
CC
可能导致过度加热并最终破坏。
最大功耗为T的函数
J
(最大) ,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
(最大值) - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
(1)
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
(1)
(2)
电源电压(单电源供电)
放大器导通的电压电平( LMV324S )
(2)
放大器的关断电压电平( LMV324S )
工作自由空气的温度
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 5 V
我的温度
Q温度
–40
–40
2.7
1.7
3.5
0.7
1.5
85
125
最大
5.5
单位
V
V
V
°C
该设备的所有未使用的控制输入必须在V举行
CC
或GND,以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告,
慢或浮动CMOS输入的影响,
文献编号
SCBA004.
V
IH
不应该被允许超过V
CC
.
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电气特性
V
CC+
= 2.7 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V
IO
α
VIO
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
V
O
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模输入电压
范围
输出摆幅
V
CM
= 0 1.7 V
V
CC
= 2.7 V至5 V ,V
O
= 1 V
CMRR
50分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
LMV321I
I
CC
B
1
Φ
m
G
m
V
n
I
n
(1)
电源电流
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 1千赫
F = 1千赫
LMV358I (两个放大器)
LMV324I / LMV324SI (所有四个放大器)
C
L
= 200 pF的
高层
低层
50
50
0
V
CC
– 100
测试条件
典型值
(1)
1.7
5
11
5
63
60
–0.2
1.9
V
CC
– 10
60
80
140
260
1
60
10
46
0.17
180
170
340
680
兆赫
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
μA
1.7
250
50
最大
7
单位
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
mV
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置,并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
关闭特性( LMV324S )
V
CC+
= 2.7 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
I
CC ( SHDN )
t
(上)
t
(关闭)
(1)
在关断模式下电源电流
(每通道)
放大器开启时间
功放关断时间
测试条件
SHDN
0.6 V
A
V
= 1, R
L
=打开(在50 %点测)
A
V
= 1, R
L
=打开(在50 %点测)
2
40
典型值
(1)
最大
5
单位
μA
μs
ns
典型值代表在表征的时间所确定的可能的参数的标称值。典型值取决于
应用程序和配置,并且可以随时间变化。典型值不能保证在生产材料。
版权所有1999-2007 ,德州仪器
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LMV321 , LMV358 , LMV324
单,双,四通道
低电压,轨至轨
运算放大器
该LMV321 , LMV358 , LMV324和CMOS都是单通道,双通道和
四通道低电压运算放大器具有轨到轨输出
摆动。这些放大器是为应用提供具有成本效益的解决方案
其中,低功耗和节省空间的封装是至关重要的。
提供了用于从电源的操作说明书中的表
电压在2.7 V和5 V轨至轨运算提供了改进的
信号 - 噪声性能与。超低静态电流使该
系列放大器理想用于便携式的,电池供电设备。该
共模输入范围包括地使设备有效
低边电流分流器测量。超小型封装
允许放置在PCB接近信号源上
从而降低了噪声。
特点
http://onsemi.com
1
5
1
TSOP5
CASE 483
SC70
CASE 419A
Micro8]
CASE 846A
8
1
SOIC8
CASE 751
1
UDFN8
CASE 517AJ
8
1
2.7 V至5.0 V单双面电源工作
LMV321单可提供超小型5引脚SC70封装
无输出交越失真
工业级温度范围:
40°C
至+ 85°C
轨到轨输出
低静态电流: LMV358双
220
毫安,
最高每通道
无输出相位反转的输入过驱动
这些无铅器件
1
SOIC14
CASE 751A
1
TSSOP14
CASE 948G
典型应用
笔记本电脑和掌上电脑的
电池供电的便携式仪器
主动滤池
120
100
80
共模抑制比(分贝)
增益(dB )
60
40
20
0
20
10
过度
40°C
至+ 85°C
相同的增益
$1.8
分贝(典型值)
100
1k
10k
100k
频率(Hz)
1M
10M
40
30
1
60
50
80
70
订购和标识信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
V
S
= 5 V
0
1
2
3
4
输入共模电压( V)
5
图1.开环频率响应
(R
L
= 2千瓦,T
A
= 255℃ ,V
S
= 5 V)
图2. CMRR与输入共模
电压
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启8
1
出版订单号:
LMV321/D
LMV321 , LMV358 , LMV324
标记DIAGRAMS
SC70
5
AAC MG
G
1
AAC
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
3AC =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
3ACAYWG
G
1
V358
=具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
UDFN8
AC M
G
AC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
TSOP5
8
V358
AYWG
G
Micro8
SOIC8
8
V358
ALYWX
G
V358
A
L
Y
W
G
14
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
SOIC14
TSSOP14
14
LMV
324
ALYW
LMV324
AWLYWWG
1
LMV324 =具体设备守则
A
=大会地点
WL
=晶圆地段
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
1
LMV324 =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
引脚连接
SC705/TSOP5
1
+ IN
2
V
3
In
+
5
V
+
在A-
4
IN A +
产量
V
4
2
3
B
+
OUT A
UDFN8/Micro8/SOIC8
1
A
+
8 V+
7 OUT B
6在B超
5 IN B +
OUT A
在A-
IN A +
V+
在B +
在B超
OUT B
1
2
3
4
5
SOIC14
A
+
D
+
14输出D
13 D-
12 IN D +
11 V
10 C +
9
8
在C-
输出C
OUT A
在A-
IN A +
V+
在B +
在B超
OUT B
1
2
3
4
5
TSSOP14
A
+
D
+
14输出D
13 D-
12 IN D +
11 V
10 C +
9
8
在C-
输出C
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
7
B
C
7
B
( TOP VIEW )
( TOP VIEW )
http://onsemi.com
2
+
C
+
+
+
6
6
LMV321 , LMV358 , LMV324
最大额定值
符号
V
S
V
IDR
V
ICR
t
So
T
J
q
JA
等级
电源电压(工作电压范围V
S
= 2.7 V至5.5 V )
输入差分电压
输入共模电压范围
最大输入电流
输出短路(注1 )
最高结温(工作范围
40°C
至85 ℃)下
热阻:
SC70
Micro8
TSOP5
UDFN8 ( 1.2毫米×1.8毫米× 0.5mm)的
SOIC8
SOIC14
TSSOP14
T
英镑
V
ESD
储存温度
安装温度(红外线或对流
20
秒)
ESD容差
LMV321
机器型号
人体模型
LMV358/324
机器型号
人体模式
280
238
333
350
212
156
190
65
150
235
°C
°C
V
100
1000
100
2000
价值
5.5
$供应
电压
0.5
向(V +) + 0.5
10
连续
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会
影响器件的可靠性。
1.连续短路操作对地在升高的环境温度可以导致超过允许的最大结
温度为150℃ 。输出电流超过45毫安超过长期可能产生不利影响的可靠性。短路输出端在V +
或V-会产生不利影响可靠性。
http://onsemi.com
3
LMV321 , LMV358 , LMV324
R
L
= 1兆瓦,V
= 0 V, V
O
= V+/2)
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压范围
输出摆幅
2.7 V直流电气特性
(除特别注明外,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 2.7 V,
符号
V
IO
ICV
OS
I
B
I
IO
CMRR
PSRR
V
CM
V
OH
V
OL
电源电流
LMV321
LMV358 (两个放大器)
LMV324 ( 4放大器)
I
CC
条件
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
0 V
v
V
CM
v
1.7 V
2.7 V
v
V+
v
5 V,
V
O
= 1 V
对于CMRR
w
50分贝
R
L
= 10千瓦至1.35 V
R
L
= 10千瓦至1.35 V(注2 )
50
50
0至1.7
V
CC
100
典型值
1.7
5
<1
<1
63
60
0.2
1.9
V
CC
10
60
80
140
260
180
185
340
680
最大
9
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
dB
dB
V
mV
mV
mA
R
L
= 1兆瓦,V
= 0 V, V
O
= V+/2)
参数
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
2.7 V AC电气特性
(除特别注明外,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 2.7 V,
符号
增益带宽积
Q
m
G
m
e
n
F = 50千赫
条件
C
L
= 200 pF的
典型值
1
60
10
50
最大
单位
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
2.保证设计和/或特性。
http://onsemi.com
4
LMV321 , LMV358 , LMV324
5.0 V直流电气特性
(除特别注明外,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 5.0 V,
R
L
= 1兆瓦,V
= 0 V, V
O
= V+/2)
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移平均
输入偏置电流(注3 )
输入失调电流(注3 )
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压范围
大信号电压增益(注3 )
符号
V
IO
T
C
V
IO
I
B
T
A
=
40°C
至+ 85°C
I
IO
CMRR
PSRR
V
CM
A
V
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
输出短路电流
电源电流
I
O
I
CC
T
A
=
40°C
至+ 85°C
0 V
v
V
CM
v
4 V
2.7 V
v
V+
v
5 V,
V
O
= 1 V, V
CM
= 1 V
对于CMRR
w
50分贝
R
L
= 2千瓦
T
A
=
40°C
至+ 85°C
输出摆幅
R
L
= 2千瓦至2.5 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 2千瓦至2.5V (注3)
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 10千瓦至2.5V (注3)
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 10千瓦至2.5 V
T
A
=
40°C
至+ 85°C
来源= V
O
= 0V (注3)
下沉= V
O
= 5V (注3)
LMV321
T
A
=
40°C
至+ 85°C
LMV358这两款放大器
T
A
=
40°C
至+ 85°C
LMV324所有四个放大器
T
A
=
40°C
至+ 85°C
R
L
= 1兆瓦,V
= 0 V, V
O
= V+/2)
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入参考电压噪声
10
10
V
CC
100
V
CC
200
65
60
160
130
210
410
250
350
440
615
830
1160
180
280
50
50
0-4
15
10
V
CC
300
V
CC
400
V
CC
40
120
300
400
V
mV
V
mV
mA
mA
<1
65
60
0.2
4.2
100
nA
dB
dB
V
V / MV
条件
T
A
=
40°C
至+ 85°C
T
A
=
40°C
至+ 85°C
典型值
1.7
5
<1
最大
9
单位
mV
毫伏/°C的
nA
5.0 V AC电气特性
(除特别注明外,所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C,V
+
= 5.0 V,
符号
S
R
增益带宽积
Q
m
G
m
e
n
F = 50千赫
C
L
= 200 pF的
条件
典型值
1
1
60
10
50
最大
单位
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
3.保证设计和/或特性。
http://onsemi.com
5
www.fairchildsemi.com
LMV321 , LMV358 , LMV324
通用,低电压,轨至轨输出放大器
在+ 2.7V特点
每通道80μA电源电流
1.2MHz的增益带宽积
输出电压范围: 0.01V到2.69V
输入电压范围: -0.25V至+ 1.5V
1.5V / μs压摆率
LMV321直接取代其他行业标准LMV321
放大器;在SC70-5和SOT23-5封装
LMV358直接取代其他行业标准LMV358
放大器;采用MSOP - 8和SOIC - 8封装
LMV324直接取代其他行业标准LMV324
放大器;采用TSSOP -14和SOIC -14封装
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该LMV321 (单) , LMV358 (双) ,和LMV324 (四)
只是消耗成本低,电压反馈型放大器
80μA每个放大器的电源电流。该LMV3XX家庭
被设计为工作于2.7V ( ± 1.35V )至5.5V ( ± 2.75V )
耗材。共模电压范围内的下方延伸的
负电压轨和输出提供轨至轨性能。
该LMV3XX系列的设计采用CMOS工艺和
提供的带宽和压摆率1.5V / μs的的1.2MHz的在
2.7V的低电源电压。低功率的组合,
轨至轨性能,低电压操作,以及微小的封装
年龄选项使LMV3XX家庭非常适合用于
个人电子设备,如蜂窝电话,
寻呼机, PDA和其它电池供电的应用。
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
应用
低成本通用应用
手机
个人数据助理
A / D缓冲区
DSP接口
智能卡读卡器
便携式测试仪器
无钥匙进入
红外接收器的遥控器
电话系统
音频应用
数码相机
硬盘驱动器
MP3播放器
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
+
-
10k
10k
R
s
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
典型用途
+V
s
6.8F
+
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
LMV3XX
REV 。 2004年四月1A
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
引脚分配
LMV321
SOT23-5
SC70-5
+ IN
-V
s
-IN
1
+
5
+V
s
+ IN
-V
s
1
+
5
+V
s
2
3
2
3
4
OUT
-IN
4
OUT
LMV358
SOIC-8
MSOP-8
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
Out1
-In1
+In1
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
-
+
+V
s
Out2
-In2
+In2
6
5
6
5
LMV324
TSSOP-14
SOIC-14
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
Out1
-In1
+In1
+V
s
+In2
-In2
Out2
1
2
3
4
+
+
-
+
-
+
14 OUT4
13 -IN4
12 + IN4
11 -V
s
10 + IN3
9
8
-In3
Out3
5
6
7
5
6
7
2
-
-
-
-
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
绝对最大额定值
参数
电源电压
最高结温
存储温度范围
焊接温度10秒
输入电压范围
分钟。
0
-65
-Vs -0.5
马克斯。
+6
+175
+150
+260
+ VS +0.5
单位
V
°C
°C
°C
V
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源工作范围
分钟。
-40
2.5
马克斯。
+125
5.5
单位
°C
V
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 2.7V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制比
1
输出特性
输出电压摆幅
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.2
52
17
1.5
36
91
80
1.7
8
<1
<1
65
80
-0.25
1.5
70
0.01
2.69
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
A
V
V
dB
V
V
V
o
= 1V
pp
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
120
LO
HI
0
50
1.3
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
0.1
2.6
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
REV 。 2004年四月1A
3
数据表
LMV321/LMV358/LMV324
电气规格
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
参数
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
压摆率
输入电压噪声
相声: LMV358
LMV324
直流性能
输入失调电压
1
平均漂移
输入偏置电流
2
输入失调电流
2
电源抑制比
1
开环增益
1
电源电流(每通道)
1
输入特性
输入共模电压范围
1
共模抑制
输出特性
输出电压摆幅
1
R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2; LO / HI
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2; LO
1
R
L
= 10kΩ至V
s
/ 2;您好
1
采购; V
o
= 0V
下沉; V
o
= 5V
条件
C
L
= 50pF的,R
L
=为2kΩ到V
s
/2
分钟。
典型值。
1.4
73
12
1.5
33
91
80
1
6
<1
<1
65
70
100
-0.4
3.8
75
0.036至4.95
0.013
4.98
+34
-23
7
马克斯。
单位
兆赫
dB
V / μs的
纳伏/赫兹÷
dB
dB
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
A
V
V
dB
V
V
V
mA
mA
>50kHz
100kHz
100kHz
DC
50
50
150
LO
HI
0
50
3.6
0.1
5
10
4.9
短路输出电流
1
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数决定。
注意事项:
在+ 25°C 1.保证通过测试或统计分析。
2 + IN和-IN的大门, CMOS晶体管<1nA的典型输入偏置电流。 CMOS泄漏太小,实际测量。
封装热阻
5引脚SC70
5引脚SOT23
8引脚SOIC
8引脚MSOP
14引脚TSSOP
14引脚SOIC
θ
JA
331.4°C/W
256°C/W
152°C/W
206°C/W
100°C/W
88°C/W
4
REV 。 2004年四月1A
LMV321/LMV358/LMV324
数据表
典型工作特性
(T
c
= 25 ° C,V
s
= + 5V ,G = 2 ,R
L
= 10kΩ至V
s
/2, R
f
= 10kΩ的,V
O( DC )
= V
cc
/ 2;除非另有说明)
非反相频率。响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=2
G=1
反相频率响应V
s
= +5V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -2
G = -1
G = 10
G = -10
G = -5
G=5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
非反相频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G=1
G=2
频率(MHz)
反转频率。响应V
s
= +2.7V
归一化幅度( 1分贝/ DIV )
G = -1
G = -2
G = -10
G = 10
G=5
G = -5
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
频率响应对丙
L
C
L
= 200pF的
R
s
= 0
C
L
= 200pF的
R
s
= 225
C
L
= 100pF的
R
s
= 0
C
L
= 20pF的
R
s
= 0
C
L
= 10pF的
R
s
= 0
C
L
=为2pF
R
s
= 0
C
L
2k
频率(MHz)
频率响应与
L
幅度( 1分贝/ DIV )
幅度( 1分贝/ DIV )
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
R
L
= 1k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
+
-
10k
10k
R
s
R
L
= 2k
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
频率(MHz)
小信号脉冲响应
0.25
0.2
2.5
2
频率(MHz)
大信号脉冲响应
输出(V )
输出(V )
0.15
0.1
0.05
0
1.5
0.1
0.5
0
-0.5
-0.05
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
时间(μs )
时间(μs )
REV 。 2004年四月1A
5
数据表
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
轨到轨放大器器
特点
130电源电流
1MHz的增益带宽
输入电压范围5V电源:
-0.2V至4.2V
输出电压范围5V电源:
0.065V至4.99V
>1V / s的压摆率
无交越失真
完全特定网络版在2.7V和5V电源
LMV321 :无铅TSOT- 5
应用
便携式/电池供电的应用
移动通信,蜂窝电话,
寻呼机
ADC缓冲器
主动滤池
便携式测试仪器
信号调理
医疗设备
便携式医疗仪器
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
概述
该LMV321是一款单通道,低成本,电压反馈放大器呃。该
电源电流LMV321仅消耗130 A和设计操作
从2.7V至5.5V电源电压范围( ± 1.35 ± 2.75 ) 。输入电压
范围扩展为200mV负电压轨,并为800mV以下的正下方
轨。
该LMV321制造在一个CMOS工艺。它提供1MHz的增益带宽
产品和>1V / s的压摆率。低功耗的结合,低价供应
工作电压和轨至轨性能使LMV321适用
对于电池供电的系统。该LMV321打包在节省空间
TSOT -5封装。 TSOT -5封装的管脚与SOT23-5兼容
封装。
典型性能示例
VOUT与Vcm的



9
6
9



压摆率与电源电压
2XWSXW 9ROWDJH ? 9
















6OHZ 5DWH ? 9 ? V












) DOOLQJ ( GJH
5LVLQJ ( GJH
REV 1
$
9

5
/
N
s
s




9
&0
9

6XSSO \\ 9ROWDJH ? 9

订购信息
产品型号
LMV321IST5X*
TSOT-5
无铅
是的
符合RoHS
是的
工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C
包装方式
REEL
所有部件潮湿敏感度等级MSL - 1 。
*超前信息,请联系CADEKA可用性。
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数据表
LMV321引脚CON组fi guration
LMV321引脚分配
1
PIN号
引脚名称
+ IN
-V
S
-IN
OUT
+V
S
描述
积极投入
负电源
负输入端
产量
正电源
1
+ IN
-V
S
-IN
1
2
3
+
5
+V
S
2
3
4
-
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
4
OUT
5
注意事项:
1.Pin兼容SOT23-5 。
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2
数据表
绝对最大额定值
该设备的安全性不能保证当它被上面的“绝对最大额定值”操作。该装置
不应该被这些“绝对”的限制操作。坚持“推荐工作条件”进行适当的DE-
功能。中包含的电气特性表和典型性能曲线信息重新佛罗里达州的ECT
工作条件表示对表格和图形。
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
参数
电源电压
输入电压范围
连续输出电流
-V
S
-0.4V
最大
7
+V
S
单位
V
V
输出进行保护,防止瞬间短路
可靠性信息
参数
结温
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
封装热阻
5引脚TSOT
注意事项:
封装热阻(
JA
) , JDEC标准,多层测试板,静止空气。
-65
典型值
最大
150
150
260
单位
°C
°C
°C
° C / W
221
ESD保护
产品
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
TSOT-5
2kV
2kV
推荐工作条件
参数
工作温度范围
电源电压范围
-40
2.7
典型值
最大
+85
5.5
单位
°C
V
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3
数据表
在+ 2.7V电气特性
T
A
= 25 ° C,V
S
= + 2.7V ,R
f
= R
g
= 10 K,R
L
= 10K到V
S
/ 2 ,G = 2 ;除非另有说明。
符号
V
IO
dV
IO
I
b
I
OS
CMRR
PSRR
CMIR
V
OUT
I
S
增益带宽积
Φ
m
G
m
e
n
参数
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
共模输入范围
输出电压摆幅
电源电流
条件
典型值
1.7
5
<1
<1
最大
7
单位
mV
直流性能
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
μV/°C
250
50
nA
nA
dB
dB
V
1.7
180
170
V
mV
mV
A
0V ≤ V
CM
≤ 1.7V
2.7V ≤ V
+
≤ 5V, V
O
=1V, V
CM
=1V
对于V
CM
≤ 50分贝
R
L
= 10K到V
S
/ 2
50
50
0
V
+
-100
63
60
-0.2
1.9
V
+
-10
60
110
AC性能
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入电压噪声
F = 1kHz时
C
L
= 200 pF的
1
60
10
46
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
注意事项:
MIN MAX特定网络阳离子被测试,设计或特性保证
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4
数据表
在+ 5V电气特性
T
A
= 25 ° C,V
S
= + 5V ,R
f
= R
g
= 10K ,R
L
= 10k
温度过高或过低。
符号
V
IO
dV
IO
I
b
I
OS
CMRR
PSRR
CMIR
A
OL
V
OUT
到V
S
/ 2 ,G = 2 ;除非另有说明。
粗体
限制适用于
条件
典型值
1.7
5
<1
<1
0V ≤ V
CM
≤ 4V
2.7V ≤ V
+
≤ 5V, V
O
=1V, V
CM
=1V
对于V
CM
≤ 50分贝
R
L
= 2k
R
L
= 2K到V
S
/ 2
50
50
0
15
10
65
60
-0.2
4.2
4
100
V
+
-40
120
R
L
= 10K到V
S
/ 2
V
+
-100
V
+
-200
V
+
-10
65
180
280
300
400
250
500
50
150
参数
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
共模输入范围
开环增益
输出电压摆幅
最大
7
9
单位
直流性能
LMV321
通用,轨到轨输出放大器器
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
V
V
V / MV
mV
mV
mV
mV
mA
mA
V
+
-300
V
+
-400
I
SC
I
S
短路输出电流
电源电流
采购V
O
=0V
下沉V
O
=5V
5
10
60
160
130
250
350
A
AC性能
SR
增益带宽积
Φ
m
G
m
e
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
输入电压噪声
F = 1kHz时
C
L
= 200 pF的
>1
1
60
10
39
V / μs的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
REV 1
注意事项:
MIN MAX特定网络阳离子被测试,设计或特性保证
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LMV321
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
LMV321
TI/德州仪器
24+
8409
SOT23-5
全新正品现货可开票
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
LMV321
TI(德州仪器)
22+
33803
原装原厂公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LMV321
HLF/洪利发
21+
16800
SOP
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82799659/83220081/83223317
联系人:李
地址:福田区南光捷佳1727
LMV321
Gcore(扬州国芯)
25+
26860
SOT-23-5
现货!全新原装,优势价格,代理直出
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电话:18922887426/0755-25165869
联系人:曾先生/刘小姐
地址:深圳福田区中航路华乐大厦625室
LMV321
TI
24+
12318
S0T23-5
★原装现货,特价热卖!
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
LMV321
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SOT-23-5L
全系列封装原装正品★运放
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
LMV321
TI
2800
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
LMV321
TI
23+
10000
SOT23-5
原装正品,价优
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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TI
24+
38520
SOT23-5
一级代理/放心购买
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
LMV321
TI/德州仪器
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9675
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