LMV232双通道集成均方功率检测器用于CDMA & WCDMA
2005年2月
LMV232
双通道集成的均方功率检测器
对于CDMA & WCDMA
概述
该LMV232双RF检测器被设计用于RF发射
功率测量手机。这种双重意思
方形IC特别适用于精确的功率测量
表现出高的峰均功率比的射频信号的精神疾病
在3G和UMTS / CDMA应用中使用。该LMV232
节省了校准步骤和系统认证和高度
准确的。该电路从2.5单电源供电
到3.3V 。
该LMV232包含一个均方检测器具有两个
依次选择RF输入。 RF输入功率范围
该装置的使用进行了优化以20dB的
定向耦合器中,而不需要额外的外部
组件。 FB之间的一个外部RC组合
和OUT提供了一个外部配置增益和低频
该装置的滤波器的带宽。
该设备有两个数字接口。关断功能
可将设备设置为在低功耗关断模式。在
案例SD = HIGH时,设备处于停机,如果SD =低的
设备被激活。带选择功能控制SE-
经文有源RF输入信道的。如果BS = HIGH ,
RF
IN
图1是活动的。如果BS =低, RF
IN
图2是活动的。
双均方根检波器提供8焊球
微型SMD 1.5× 1.5 ×0.6 mm封装。这种微型SMD
封装具有最小的占位面积和高度。
特点
n
n
n
n
n
n
n
& GT ;
20分贝平方律检测范围
2依次选择RF输入
低功耗关断模式
外部配置增益和低频滤波器的带宽。
内部50Ω RF端接阻抗
20分贝方向耦合器的优化使用
无铅8焊球micro SMD封装, 1.5× 1.5× 0.6
mm
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
3G移动通信
UMTS
WCDMA
CDMA2000
TD-SCDMA的
射频控制
无线局域网
PC卡和GPS模块
典型用途
20127801
2005美国国家半导体公司
DS201278
www.national.com
LMV232
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
V
DD
- GND
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
存储温度范围
2000V
200V
-65 ℃150 ℃的
3.6V最大
结温(注3 )
安装温度
红外线或对流( 20秒)
150 ℃以下
235C
工作额定值
(注1 )
电源电压
工作温度范围
RF频率范围
2.5V至3.3V
-40 ° C至+ 85°C
50 MHz至2 GHz的
2.7直流和交流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证V
DD
= 2.7V ;牛逼
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。
(注4 )
符号
I
DD
参数
电源电流
条件
主动模式: SD =低,无RF输入
电源存在
关机: SD = 1.8V ,无RF输入
电源存在
V
低
V
高
I
BS
, I
SD
V
OUT
BS和SD逻辑低电平
(注6 )
BS和SD逻辑高电平
(注6 )
目前进入BS和SD引脚
输出电压摆幅
从积极的轨道,采购,
FB = 0V ,我
OUT
= 1毫安
从负轨,下沉,
FB = 2.7V ,我
OUT
= -1毫安
I
OUT
输出短路
采购, FB = 0V ,V
OUT
= 2.6V
下沉, FB = 2.7V ,V
OUT
= 0.1V
V
OUT
V
PED
I
OS
t
ON
t
R
e
n
GBW
SR
R
IN
P
IN
输出电压(立柱)
底座变化过
温度(注10 )
失调电流变化过
温度(注10 )
导通时间(注9 )
上升时间(注7 )
没有RF输入电源存在输出
装载有10 pF的
在无电源的步骤为0 dBm的
应用,输出满载10 pF的
没有RF输入功率
3.7
2.7
3.7
2.7
235
230
20
20
5.1
5.5
254
5.4
1.17
2.0
4.5
400
3.7
1.8
1.0
(注7 )
RF输入频率= 900 MHz的
3.0
50.8
-11
+13
-24
0
6.0
275
280
mA
1.8
5
80
90
60
70
民
典型值
9.8
0.09
最大
11
13
5
30
0.8
单位
mA
A
V
V
A
mV
mV
mV
mV
A
s
s
内华达州/
兆赫
V / μs的
DBM
的dBV
输出参考电压噪声RF输入= 1800兆赫, -10 dBm时,
测量在10 kHz
增益带宽积
压摆率
直流电阻
RF输入功率范围
www.national.com
2
LMV232
2.7直流和交流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证V
DD
(注4 )
符号
K
DET
参数
检测坡
900兆赫
1800兆赫
1900兆赫
2000兆赫
f
低
f
高
A
ISO
LF输入角频率
HF输入角频率
通道隔离度
条件
(续)
= 2.7V ;牛逼
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。
民
典型值
21
10
10
10
60
1.0
58
62
58
55
dB
兆赫
GHz的
μA / MW
最大
单位
检测边坡下部-3 dB点
检测边坡上部-3 dB点
900兆赫
1800兆赫
1900兆赫
2000兆赫
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模特: 1.5千欧串联100 pF的。机器型号, 0Ω串联100 pF的。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
- T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注5 :
功率为dBV = dBm的+ 13时,阻抗为50Ω 。
注6 :
所有的限制是由设计或统计分析保证。
注7 :
典型值代表最可能的参数指标。
注8 :
设备设置在主动模式下,从V 10 kΩ电阻
DD
射频
IN
/E
N
。 RF信号是使用50Ω的射频信号发生器交流耦合到所述RF施加
IN
/E
N
用针100 pF的耦合电容。
注9 :
开启时间是通过连接一个10 kΩ电阻射频测量
IN
/E
N
引脚。要知道,在头版上的实际应用中, RC时间常数
电阻器R2和电容器C的增加了额外的延迟。
注10 :
典型的数字代表的10K单元的3 -Σ值。 -40℃ / 25℃, 25℃ / 85℃之间变化与变异的3 - Sigma值。
3
www.national.com
LMV232
接线图
8焊球micro SMD
20127802
顶视图
引脚说明
针
电源
数字输入
B3
B1
C3
C2
模拟输入
A1
C1
反馈
产量
A2
A3
名字
V
DD
GND
SD
BS
RF
IN
1
RF
IN
2
FB
OUT
正电源电压
电源地
施密特触发关机。该设备是活动的SD =低。用于SD = HIGH时,它是
进入低功耗关断模式。
施密特触发波段选择引脚。当BS = HIGH , RF
IN
1被选择时,当BS =
低, RF
IN
2被选中。
RF输入连接到所述耦合器的输出带有可选的衰减来测量
功率放大器(PA ) /天线的RF功率电平。该设备的两个RF输入是
内部端接一个50Ω的电阻。
连接到反相输出放大器的输入端。使用户可配置增益,
带宽通过外部反馈网络。
扩增fi er输出
描述
订购信息
包
8焊球micro SMD
产品型号
LMV232TL
LMV232TLX
包装标志
A
I 02
传输介质
250台磁带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
NSC图纸
TLA08AAA
注意:
此产品只用无铅凸块提供。
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LMV232双通道集成均方功率检测器用于CDMA & WCDMA
2005年2月
LMV232
双通道集成的均方功率检测器
对于CDMA & WCDMA
概述
该LMV232双RF检测器被设计用于RF发射
功率测量手机。这种双重意思
方形IC特别适用于精确的功率测量
表现出高的峰均功率比的射频信号的精神疾病
在3G和UMTS / CDMA应用中使用。该LMV232
节省了校准步骤和系统认证和高度
准确的。该电路从2.5单电源供电
到3.3V 。
该LMV232包含一个均方检测器具有两个
依次选择RF输入。 RF输入功率范围
该装置的使用进行了优化以20dB的
定向耦合器中,而不需要额外的外部
组件。 FB之间的一个外部RC组合
和OUT提供了一个外部配置增益和低频
该装置的滤波器的带宽。
该设备有两个数字接口。关断功能
可将设备设置为在低功耗关断模式。在
案例SD = HIGH时,设备处于停机,如果SD =低的
设备被激活。带选择功能控制SE-
经文有源RF输入信道的。如果BS = HIGH ,
RF
IN
图1是活动的。如果BS =低, RF
IN
图2是活动的。
双均方根检波器提供8焊球
微型SMD 1.5× 1.5 ×0.6 mm封装。这种微型SMD
封装具有最小的占位面积和高度。
特点
n
n
n
n
n
n
n
& GT ;
20分贝平方律检测范围
2依次选择RF输入
低功耗关断模式
外部配置增益和低频滤波器的带宽。
内部50Ω RF端接阻抗
20分贝方向耦合器的优化使用
无铅8焊球micro SMD封装, 1.5× 1.5× 0.6
mm
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
3G移动通信
UMTS
WCDMA
CDMA2000
TD-SCDMA的
射频控制
无线局域网
PC卡和GPS模块
典型用途
20127801
2005美国国家半导体公司
DS201278
www.national.com
LMV232
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
V
DD
- GND
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
存储温度范围
2000V
200V
-65 ℃150 ℃的
3.6V最大
结温(注3 )
安装温度
红外线或对流( 20秒)
150 ℃以下
235C
工作额定值
(注1 )
电源电压
工作温度范围
RF频率范围
2.5V至3.3V
-40 ° C至+ 85°C
50 MHz至2 GHz的
2.7直流和交流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证V
DD
= 2.7V ;牛逼
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。
(注4 )
符号
I
DD
参数
电源电流
条件
主动模式: SD =低,无RF输入
电源存在
关机: SD = 1.8V ,无RF输入
电源存在
V
低
V
高
I
BS
, I
SD
V
OUT
BS和SD逻辑低电平
(注6 )
BS和SD逻辑高电平
(注6 )
目前进入BS和SD引脚
输出电压摆幅
从积极的轨道,采购,
FB = 0V ,我
OUT
= 1毫安
从负轨,下沉,
FB = 2.7V ,我
OUT
= -1毫安
I
OUT
输出短路
采购, FB = 0V ,V
OUT
= 2.6V
下沉, FB = 2.7V ,V
OUT
= 0.1V
V
OUT
V
PED
I
OS
t
ON
t
R
e
n
GBW
SR
R
IN
P
IN
输出电压(立柱)
底座变化过
温度(注10 )
失调电流变化过
温度(注10 )
导通时间(注9 )
上升时间(注7 )
没有RF输入电源存在输出
装载有10 pF的
在无电源的步骤为0 dBm的
应用,输出满载10 pF的
没有RF输入功率
3.7
2.7
3.7
2.7
235
230
20
20
5.1
5.5
254
5.4
1.17
2.0
4.5
400
3.7
1.8
1.0
(注7 )
RF输入频率= 900 MHz的
3.0
50.8
-11
+13
-24
0
6.0
275
280
mA
1.8
5
80
90
60
70
民
典型值
9.8
0.09
最大
11
13
5
30
0.8
单位
mA
A
V
V
A
mV
mV
mV
mV
A
s
s
内华达州/
兆赫
V / μs的
DBM
的dBV
输出参考电压噪声RF输入= 1800兆赫, -10 dBm时,
测量在10 kHz
增益带宽积
压摆率
直流电阻
RF输入功率范围
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2
LMV232
2.7直流和交流电气特性
除非另有说明,所有参数都保证V
DD
(注4 )
符号
K
DET
参数
检测坡
900兆赫
1800兆赫
1900兆赫
2000兆赫
f
低
f
高
A
ISO
LF输入角频率
HF输入角频率
通道隔离度
条件
(续)
= 2.7V ;牛逼
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。
民
典型值
21
10
10
10
60
1.0
58
62
58
55
dB
兆赫
GHz的
μA / MW
最大
单位
检测边坡下部-3 dB点
检测边坡上部-3 dB点
900兆赫
1800兆赫
1900兆赫
2000兆赫
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模特: 1.5千欧串联100 pF的。机器型号, 0Ω串联100 pF的。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
- T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注5 :
功率为dBV = dBm的+ 13时,阻抗为50Ω 。
注6 :
所有的限制是由设计或统计分析保证。
注7 :
典型值代表最可能的参数指标。
注8 :
设备设置在主动模式下,从V 10 kΩ电阻
DD
射频
IN
/E
N
。 RF信号是使用50Ω的射频信号发生器交流耦合到所述RF施加
IN
/E
N
用针100 pF的耦合电容。
注9 :
开启时间是通过连接一个10 kΩ电阻射频测量
IN
/E
N
引脚。要知道,在头版上的实际应用中, RC时间常数
电阻器R2和电容器C的增加了额外的延迟。
注10 :
典型的数字代表的10K单元的3 -Σ值。 -40℃ / 25℃, 25℃ / 85℃之间变化与变异的3 - Sigma值。
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www.national.com
LMV232
接线图
8焊球micro SMD
20127802
顶视图
引脚说明
针
电源
数字输入
B3
B1
C3
C2
模拟输入
A1
C1
反馈
产量
A2
A3
名字
V
DD
GND
SD
BS
RF
IN
1
RF
IN
2
FB
OUT
正电源电压
电源地
施密特触发关机。该设备是活动的SD =低。用于SD = HIGH时,它是
进入低功耗关断模式。
施密特触发波段选择引脚。当BS = HIGH , RF
IN
1被选择时,当BS =
低, RF
IN
2被选中。
RF输入连接到所述耦合器的输出带有可选的衰减来测量
功率放大器(PA ) /天线的RF功率电平。该设备的两个RF输入是
内部端接一个50Ω的电阻。
连接到反相输出放大器的输入端。使用户可配置增益,
带宽通过外部反馈网络。
扩增fi er输出
描述
订购信息
包
8焊球micro SMD
产品型号
LMV232TL
LMV232TLX
包装标志
A
I 02
传输介质
250台磁带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
NSC图纸
TLA08AAA
注意:
此产品只用无铅凸块提供。
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