LMV225 / LMV226 / LMV228射频功率检测器用于CDMA和WCDMA
2005年3月
LMV225/LMV226/LMV228
RF功率检测器用于CDMA和WCDMA
概述
该LMV225 / LMV226 / LMV228为30 dB RF功率探测器
拟用于CDMA和WCDMA应用器。
该装置具有一个RF频率范围从450 MHz至2
千兆赫。它提供了一个准确的温度和电源的COM
这涉及线性RF输入补偿的输出电压
功率，单位为dBm 。该电路由单电源供电
2.7V至5.5V 。该LMV225 / LMV226 / LMV228有英特
磨碎的滤波器为低纹波平均功率检测的CDMA
信号30分贝动态范围。附加的滤波可以
施加一个外部电容器。
该LMV225有一个射频功率检波范围介于-30
dBm至0 dBm的，非常适合在combi-直接使用
国家与电阻式水龙头。该LMV226 / LMV228有一个去
tection范围从-15 dBm至15 dBm的，并且意为
在组合使用带定向耦合器。该LMV226是
配备有缓冲输出，这使得它适合于
GSM，EDGE ，GPRS和TDMA的应用程序。
该装置是有源用于使能= HI，否则它处于低
功耗关断模式。在关断期间的
输出将是低电平。输出电压范围为0.2V至
2V ，并且可以按比例缩小，以满足ADC输入范围重新
quirements 。
该LMV225 / LMV226 / LMV228功率检测器提供
在小1.0毫米×1.0毫米× 0.6毫米的micro SMD封装
年龄。该LMV225和LMV228该还提供了
2.2毫米×2.5毫米× 0.8毫米LLP封装。
特点
n
n
n
n
n
n
30分贝dB线性功率检测范围
输出电压范围为0.2 2V
逻辑低停机
从450 MHz到2000 MHz的多波段操作
精确的温度补偿
包：
- micro SMD封装1.0毫米×1.0毫米× 0.6毫米
- LLP封装2.2毫米×2.5毫米× 0.8毫米（ LMV225
和LMV228 ）
应用
n
n
n
n
CDMA RF功率控制
WCDMA RF功率控制
CDMA2000 RF功率控制
功率放大器模块
典型用途
LMV225
LMV226/LMV228
20076001
20076046
2005美国国家半导体公司
DS200760
www.national.com
LMV225 ， LMV226 ， LMV228
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SNWS013L - 2003年8月 - 修订2013年3月
LMV225 / LMV226 / LMV228射频功率检测器用于CDMA和WCDMA
检查样品：
LMV225 ， LMV226 ， LMV228
1
特点
30分贝dB线性功率检测范围
输出电压范围为0.2 2V
逻辑低停机
多波段操作，从450 MHz到2000
兆赫
精确的温度补偿
包：
- DSBGA薄1.0毫米×1.0毫米× 0.6毫米
- DSBGA超薄1.0毫米×1.0毫米× 0.35
mm
- WSON 2.2毫米×2.5毫米× 0.8毫米
- （ LMV225和LMV228 ）
描述
该LMV225 / LMV226 / LMV228为30 dB RF功率
检测器旨在用于CDMA和WCDMA的
应用程序。该装置具有一个RF频率范围
从450 MHz到2 GHz的。它提供了一个准确的
温度和电源补偿的输出电压
，要以dBm为单位的射频输入功率线性相关。
该电路从2.7V到单电源供电
5.5V 。该LMV225 / LMV226 / LMV228有
对于低纹波平均功率检测集成滤波
的CDMA信号30分贝动态范围。
额外的过滤可以使用单个应用
外部电容。
该LMV225有一个射频功率检波范围
-30 dBm至0 dBm的，非常适合直接使用
in
组合
同
电阻
水龙头。
该
LMV226 / LMV228具有检测范围从-15
dBm至15 dBm的，并且旨在用于
组合，带定向耦合器。该LMV226
配备有一个缓冲的输出，这使得它
适合用于GSM ，EDGE，GPRS和TDMA
应用程序。
该装置是有源用于使能= HI，否则它是在
一种低功耗的停机模式。中
关断的输出将是低电平。输出电压
从0.2V范围至2V ，并且可以按比例缩小到
满足ADC输入范围的要求。
该LMV225 / LMV226 / LMV228的功率检测器
在薄1.0毫米提供×1.0毫米× 0.6毫米
DSBGA封装和超薄1.0毫米X 1.0毫米
X 0.35毫米DSBGA封装。该LMV225和
LMV228还提供了2.2毫米×2.5毫米×
0.8毫米WSON封装。
2
应用
CDMA RF功率控制
WCDMA RF功率控制
CDMA2000 RF功率控制
功率放大器模块
典型用途
RF
天线
PA
R
1
1.8 k:
C
100 pF的
V
DD
RF
天线
PA
50:
V
DD
LMV225
RF
IN
/E
N
C
100 pF的
OUT
R
2
启用
10 k:
GND
RF
IN
/E
N
LMV226/
LMV228
OUT
启用
R
2
10 k:
GND
图1. LMV225
1
图2. LMV226 / LMV228
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
电源电压
V
DD
- GND
ESD容差
(3)
(1) (2)
6.0V最大
2000V
200V
65°C
至150℃
150 ℃以下
235°C
260°C
(4)
人体模型
机器型号
存储温度范围
结温
锡/铅
LEAD -FREE
(1)
(2)
(3)
(4)
安装温度，红外或对流（20秒）的
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但没有指定特定的性能。为规范和测试条件，请参阅
电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模特： 1.5千欧串联100 pF的。机器型号， 0Ω串联100 pF的。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板包
(1)
工作额定值
电源电压
温度范围
RF频率范围
(1)
2.7V至5.5V
40°C
至+ 85°C
450 MHz至2 GHz的
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但没有指定特定的性能。为规范和测试条件，请参阅
电气特性。
2
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2.7直流和交流电气特性
除非另有说明，所有参数都指定到V
DD
= 2.7V ;牛逼
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
DD
参数
电源电流
条件
主动模式： RF
IN
/E
N
= V
DD
（ DC）时，没有RF输入功率
现
LMV225
LMV226
LMV228
关机： RF
IN
/E
N
= GND （ DC）时，没有RF输入
电源存在
V
低
V
高
t
on
E
N
逻辑低输入电平
(2)
(1)
民
典型值
4.8
4.9
4.9
0.44
最大
7
8
6.2
8
6.2
8
4.5
0.8
单位
mA
μA
V
V
E
N
逻辑高输入电平
(2)
1.8
没有RF输入电源存在，
输出满载10 pF的
LMV225
LMV226
LMV228
LMV225
2.1
1.2
1.7
4.5
导通时间
(3)
μs
t
r
上升时间
(4)
在没有电源的步骤
0 dBm的应用，输出
装载有10 pF的
在没有电源的步骤
15 dBm的应用，输出
装载有10 pF的
LMV226
LMV228
1.8
4.8
1
μs
I
EN
P
IN
电流转换成RF
IN
/E
N
针
输入功率范围
(5)
μA
DBM
的dBV
DBM
的dBV
DBM
的dBV
LMV225
30
0
43
13
LMV226
15
15
28
2
LMV228
15
15
28
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有说明表示在电气表
内部自热式中T的条件
J
＆ GT ;吨
A
.
所有的限制是由设计或统计分析指定
开启时间是通过连接一个10 kΩ电阻射频测量
IN
/E
N
引脚。要知道，在头版上的实际应用，
电阻R的RC时间常数
2
和电容器C增加了额外的延迟。
典型值代表最可能的参数指标。
功率为dBV = dBm的+ 13时，阻抗为50Ω 。
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3
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2.7直流和交流电气特性（续）
除非另有说明，所有参数都指定到V
DD
= 2.7V ;牛逼
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。
(1)
符号
参数
对数斜率
(6)
条件
900兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1800兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1900兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
2000兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
民
典型值
44.0
44.5
44.0
48.5
39.4
41.6
41.9
47.4
38.5
41.2
41.6
46.6
38.5
41.0
41.2
45.4
45.5
24.5
27.2
23.7
46.6
25.1
28.2
23.8
46.3
24.9
28.0
23.7
46.7
24.7
28.0
-23.6
214
223
228
最大
单位
毫伏/分贝
对数截距
(6)
900兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1800兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1900兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
DBM
2000兆赫
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
V
OUT
输出电压
没有RF输入电源存在
LMV225
LMV226
LMV228
350
350
350
mA
29
34
k
mV
I
OUT
R
OUT
输出电流源/消耗
输出阻抗
LMV226只有
LMV225 / LMV228而已，没有RF输入功率
现
4.5
5.3
19.8
(6)
4
设备设置在主动模式下，从V 10 kΩ电阻
DD
射频
IN
/E
N
。 RF信号是使用50Ω的射频信号发生器交流电施加
耦合到RF
IN
/E
N
用针100 pF的耦合电容。
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2.7直流和交流电气特性（续）
除非另有说明，所有参数都指定到V
DD
= 2.7V ;牛逼
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。
(1)
符号
e
n
参数
输出参考噪声
条件
RF输入= 1800兆赫，
10
为dBm的LMV225
5 dBm的为LMV226 / LMV228 ，测得
10千赫
900兆赫， RF
IN
= 0 dBm的
提到25℃
900兆赫， RF
IN
= 15 dBm的
提到25℃
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1800兆赫， RF
IN
= 0 dBm的
提到25℃
1800兆赫， RF
IN
= 15 dBm的
提到25℃
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
1900兆赫， RF
IN
= 0 dBm的
提到25℃
1900兆赫， RF
IN
= 15 dBm的
提到25℃
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
2000兆赫， RF
IN
= 0 dBm的
提到25℃
2000兆赫， RF
IN
= 15 dBm的
提到25℃
LMV225
LMV226
LMV228
DSBGA
LMV228 WSON
民
典型值
700
纳伏/赫兹÷
+0.64
1.07
+0.05
0.02
+0.22
0.36
+0.87
0.87
+0.09
0.86
+0.07
0.10
+0.29
0.57
+1.04
1.23
+0
0.69
+0
0.10
+0.23
0.64
+1.05
1.45
+0
0.86
+0
0.29
+0.27
0.65
+1.04
2.02
最大
单位
变化，由于温度
dB
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