LMV115的GSM基带30MHz的振荡器的2.8V缓冲
2003年12月
LMV115
GSM基带的30MHz 2.8V振荡器缓冲器
概述
该LMV115是专门设计的微型30MHz的一个缓冲区
从基带芯片迈兹的杂散信号的影响
到振荡器。该缓冲区也最大限度地减少影响
可变负载电阻和电容的振荡器和
提高了驱动能力。
该LMV115的输入在内部偏置有两个相等的
电阻连接到电源轨。这使得AC耦合
上的输入。
该LMV115提供关断功能，以优化电流
消费。这个关断功能，也可以用于
控制外部振荡器的供电电压。 DE-的
副处于关断模式时，关断引脚所配置
连接至V
DD
.
该LMV115进来SC70-6封装。这种节省空间
积减少了部件，提高了时钟信号和
可以方便的放置在最佳的外形。
特点
（典型2.8V供电;的值，除非另有规定）
n
低电源电流： 0.3毫安
n
2.5V至3.3V电源
n
AC耦合可能无需外部偏置电阻。
n
包括关断功能的外部振荡器
n
SC70-6封装引脚2.1 x2毫米
n
工作温度范围为-40 ° C至85°C
应用
n
手机
n
GSM模块
n
振荡器模块
原理图
20075129
2003美国国家半导体公司
DS200751
www.national.com
LMV115
2.8V电气特性
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 2.8V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，关闭= 0.0V ，且R
L
=
为50kΩ到V
+
/2, C
L
= 5pF的到V
+
/ 2和C
耦合
= 1nF.Boldface限制适用于极端温度。
参数
输入阻抗
输出摆幅正
输出摆幅负
条件
F = 25MHz的;关闭= 2.8V
F = 25MHz的;关闭= 0V
R
L
= 50kΩ的到V
+
/2
R
L
= 50kΩ的到V
+
/2
无负载; V
OUT
= V
+
1.1V
（源）
无负载; V
OUT
= V
+ 1.1V
（塌陷）
90
35
100
50
90
35
100
50
1.90
1.65
民
（注9 ）
典型值
（注8）
2.38
2.47
2.16
1.05
206
A
205
186
A
191
21
40
45
1.35
1.30
V
最大
（注9 ）
单位
k
符号
Z
IN
V
O
I
O
线性输出电流
I
SC
输出短路电流
（注5 ）
无负载;采购到V
+
/2
无负载;从V下沉
+
/2
R
ON
开关在ON位置
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
人体模型（ HBM ）为1.5kΩ的串联100pF的。
注3 ：
机器型号， 0Ω串联200pF的。
注4 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150℃，最大允许结温
注5 ：
无限长;短路试验是一时的考验。请参阅下一个音符。
注6 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
-T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注7 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置，例如那件T
J
= T
A
。没有保证的性能参数内部自加热，其中的条件下，电气表所示
T
J
＆ GT ;
T
A
。见有关此装置的温度降额信息的应用程序部分。
注8 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注9 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注10 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注11 ：
压摆率是正的和负的压摆率的平均值。
注12 ：
平均温度系数是通过分割在极端温度中的一个参数的变化的总的温度变化来确定。
3
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LMV115的GSM基带30MHz的振荡器的2.8V缓冲
2003年12月
LMV115
GSM基带的30MHz 2.8V振荡器缓冲器
概述
该LMV115是专门设计的微型30MHz的一个缓冲区
从基带芯片迈兹的杂散信号的影响
到振荡器。该缓冲区也最大限度地减少影响
可变负载电阻和电容的振荡器和
提高了驱动能力。
该LMV115的输入在内部偏置有两个相等的
电阻连接到电源轨。这使得AC耦合
上的输入。
该LMV115提供关断功能，以优化电流
消费。这个关断功能，也可以用于
控制外部振荡器的供电电压。 DE-的
副处于关断模式时，关断引脚所配置
连接至V
DD
.
该LMV115进来SC70-6封装。这种节省空间
积减少了部件，提高了时钟信号和
可以方便的放置在最佳的外形。
特点
（典型2.8V供电;的值，除非另有规定）
n
低电源电流： 0.3毫安
n
2.5V至3.3V电源
n
AC耦合可能无需外部偏置电阻。
n
包括关断功能的外部振荡器
n
SC70-6封装引脚2.1 x2毫米
n
工作温度范围为-40 ° C至85°C
应用
n
手机
n
GSM模块
n
振荡器模块
原理图
20075129
2003美国国家半导体公司
DS200751
www.national.com
LMV115
2.8V电气特性
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 2.8V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，关闭= 0.0V ，且R
L
=
为50kΩ到V
+
/2, C
L
= 5pF的到V
+
/ 2和C
耦合
= 1nF.Boldface限制适用于极端温度。
参数
输入阻抗
输出摆幅正
输出摆幅负
条件
F = 25MHz的;关闭= 2.8V
F = 25MHz的;关闭= 0V
R
L
= 50kΩ的到V
+
/2
R
L
= 50kΩ的到V
+
/2
无负载; V
OUT
= V
+
1.1V
（源）
无负载; V
OUT
= V
+ 1.1V
（塌陷）
90
35
100
50
90
35
100
50
1.90
1.65
民
（注9 ）
典型值
（注8）
2.38
2.47
2.16
1.05
206
A
205
186
A
191
21
40
45
1.35
1.30
V
最大
（注9 ）
单位
k
符号
Z
IN
V
O
I
O
线性输出电流
I
SC
输出短路电流
（注5 ）
无负载;采购到V
+
/2
无负载;从V下沉
+
/2
R
ON
开关在ON位置
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
人体模型（ HBM ）为1.5kΩ的串联100pF的。
注3 ：
机器型号， 0Ω串联200pF的。
注4 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150℃，最大允许结温
注5 ：
无限长;短路试验是一时的考验。请参阅下一个音符。
注6 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
-T
A
) /
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注7 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置，例如那件T
J
= T
A
。没有保证的性能参数内部自加热，其中的条件下，电气表所示
T
J
＆ GT ;
T
A
。见有关此装置的温度降额信息的应用程序部分。
注8 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注9 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注10 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注11 ：
压摆率是正的和负的压摆率的平均值。
注12 ：
平均温度系数是通过分割在极端温度中的一个参数的变化的总的温度变化来确定。
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