【乐山无线电公司， LTD 。双偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络快速公交】,IC型号LMUN5316DW1T1G,LMUN5316DW1T1G PDF资料,LMUN5316DW1T1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

双偏置电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个单片偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字转录

电阻取值被设计成代替单个设备及其外部电阻偏置网络。快速公交

通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

LMUN5311DW1T1系列，两个互补的BRT装置被收容在SOT -363包

这是理想的低功率表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

简化电路设计

- 减少电路板空间

减少元件数量

无铅封装可用

1

2

3

LMUN5311DW1T1

系列

6

5

4

SOT-363/SC-88

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

6

5

4

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

符号价值

50

V

CBO

50

V

首席执行官

100

I

C

单位

VDC

MADC

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

标记图

6

5

4

XX

1

2

3

R

θJA

670 （注1 ）

490 （注2 ）

XX =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

LMUN5311DW–1/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

订购，运输，设备标识和电阻值

设备

LMUN5311DW1T1

LMUN5311DW1T1G

LMUN5312DW1T1

LMUN5312DW1T1G

LMUN5313DW1T1

LMUN5313DW1T1G

LMUN5314DW1T1

LMUN5314DW1T1G

LMUN5315DW1T1

LMUN5315DW1T1G

LMUN5316DW1T1

LMUN5316DW1T1G

LMUN5330DW1T1

LMUN5330DW1T1G

LMUN5331DW1T1

LMUN5331DW1T1G

LMUN5332DW1T1

LMUN5332DW1T1G

LMUN5333DW1T1

LMUN5333DW1T1G

LMUN5334DW1T1

LMUN5334DW1T1G

LMUN5335DW1T1

LMUN5335DW1T1G

包

SOT-363

记号

11

11(Pb-Free)

12

12(Pb-Free)

13

13(Pb-Free)

14

14(Pb-Free)

15

15(Pb-Free)

16

16(Pb-Free)

30

30(Pb-Free)

31

31(Pb-Free)

32

32(Pb-Free)

33

33(Pb-Free)

34

34(Pb-Free)

35

35(Pb-Free)

R1(K)

10

22

47

10

4.7

1

2.2

4.7

22

2.2

1

2.2

4.7

47

R2(K)

10

22

47

航运

3000/Tape&Reel

LMUN5311DW-2/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（ PNP ）略）（续）

特征

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

0.25

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的LMUN5330DW1T1 / LMUN5331DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的LMUN5315DW1T1 / LMUN5316DW1T1

LMUN5332DW1T1/LMUN5333DW1T1/LMUN5334DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

LMUN5313DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

LMUN5330DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

VDC

输入电阻

k

W

电阻率LMUN5311DW1T1 / LMUN5312DW1T1 / LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1/LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1/LMUN5331DW1T1/LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

R1/R2

LMUN5311DW-3/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

所有LMUN5311DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 490 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

LMUN5311DW-4/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性 - LMUN5311DW1T1 NPN晶体管

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

VCE （SAT），集电极电压（伏）

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

LMUN5311DW-5/29

乐山无线电公司， LTD 。

双偏置电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个单片偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字转录

电阻取值被设计成代替单个设备及其外部电阻偏置网络。快速公交

通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

LMUN5311DW1T1系列，两个互补的BRT装置被收容在SOT -363包

这是理想的低功率表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

简化电路设计

- 减少电路板空间

减少元件数量

无铅封装可用

1

2

3

LMUN5311DW1T1

系列

6

5

4

SOT-363/SC-88

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

6

5

4

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

热特性

特征

（一路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

符号价值

50

V

CBO

50

V

首席执行官

100

I

C

单位

VDC

MADC

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

符号

P

D

最大

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

标记图

6

5

4

XX

1

2

3

R

θJA

670 （注1 ）

490 （注2 ）

XX =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

LMUN5311DW–1/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

订购，运输，设备标识和电阻值

设备

LMUN5311DW1T1

LMUN5311DW1T1G

LMUN5312DW1T1

LMUN5312DW1T1G

LMUN5313DW1T1

LMUN5313DW1T1G

LMUN5314DW1T1

LMUN5314DW1T1G

LMUN5315DW1T1

LMUN5315DW1T1G

LMUN5316DW1T1

LMUN5316DW1T1G

LMUN5330DW1T1

LMUN5330DW1T1G

LMUN5331DW1T1

LMUN5331DW1T1G

LMUN5332DW1T1

LMUN5332DW1T1G

LMUN5333DW1T1

LMUN5333DW1T1G

LMUN5334DW1T1

LMUN5334DW1T1G

LMUN5335DW1T1

LMUN5335DW1T1G

包

SOT-363

记号

11

11(Pb-Free)

12

12(Pb-Free)

13

13(Pb-Free)

14

14(Pb-Free)

15

15(Pb-Free)

16

16(Pb-Free)

30

30(Pb-Free)

31

31(Pb-Free)

32

32(Pb-Free)

33

33(Pb-Free)

34

34(Pb-Free)

35

35(Pb-Free)

R1(K)

10

22

47

10

4.7

1

2.2

4.7

22

2.2

1

2.2

4.7

47

R2(K)

10

22

47

航运

3000/Tape&Reel

LMUN5311DW-2/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（ PNP ）略）（续）

特征

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

350

5.0

15

30

200

150

140

0.25

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的LMUN5330DW1T1 / LMUN5331DW1T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的LMUN5315DW1T1 / LMUN5316DW1T1

LMUN5332DW1T1/LMUN5333DW1T1/LMUN5334DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

LMUN5313DW1T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

LMUN5330DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

4.9

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

VDC

输入电阻

k

W

电阻率LMUN5311DW1T1 / LMUN5312DW1T1 / LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1/LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1/LMUN5331DW1T1/LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

R1/R2

LMUN5311DW-3/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

LMUN5311DW1T1

LMUN5312DW1T1

LMUN5313DW1T1

LMUN5314DW1T1

LMUN5315DW1T1

LMUN5316DW1T1

LMUN5330DW1T1

LMUN5331DW1T1

LMUN5332DW1T1

LMUN5333DW1T1

LMUN5334DW1T1

LMUN5335DW1T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）（我

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

所有LMUN5311DW1T1系列设备

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 490 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

LMUN5311DW-4/29

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5311DW1T1系列

电气特性 - LMUN5311DW1T1 NPN晶体管

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

25°C

0.1

75°C

1000

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

VCE （SAT），集电极电压（伏）

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

LMUN5311DW-5/29