乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管CON-
两个电阻sisting ;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。
快速公交将其纳入一个消除了这些个别组件
单个装置。使用BRT可降低系统成本和电路板
空间。该设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323封装,是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波焊接或
LMUN5211T1
系列
3
1
2
SC - 70 / SOT- 323
销1
BASE
(输入)
R
1
3脚
集热器
(输出)
R
2
销2
辐射源
(接地)
回流。修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接过程中消除损坏模具的可能性。
提供8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
无铅封装可用
MARKINGDIAGRAM
8X
M
器件标识信息
请参阅第2页上的器件标识表中的特定标识信息
本数据手册。
8X =具体设备守则
X = (参见标记表)
M =日期代码
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 (注1 )
310 (注2 )
1.6 (注1 )
2.5 (注2 )
618 (注1 )
403 (注2 )
280 (注1 )
332 (注2 )
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
LMUN5211T1系列-1/10
乐山无线电公司, LTD 。
LMUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注4 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的LMUN5230T1 / LMUN5231T1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的LMUN5215T1 / LMUN5216T1 /
LMUN5232T1/LMUN5233T1/LMUN5234T1
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5213T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
V
CE ( SAT )
V
OL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ,R
L
= 1.0 k)
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
LMUN5211T1系列 - 3月10日
乐山无线电公司, LTD 。
LMUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(注5 ) (续)
输出电压(关) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5230T1
LMUN5215T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5216T1
LMUN5233T1
输入电阻
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
LMUN5211T1/LMUN5212T1/LMUN5213T1/
LMUN5236T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1/LMUN5216T1
LMUN5230T1/LMUN5231T1/LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5237T1
V
OH
4.9
–
–
VDC
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻慧慧
R
1
/R
2
5.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
–50
R
θJA
= 403 ° C / W
0
50
100
T
A
,环境温度( ° C)
150
图1.降额曲线
LMUN5211T1系列 - 4月10日
乐山无线电公司, LTD 。
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统(偏置电阻
晶体管),包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管CON-
两个电阻sisting ;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。
快速公交将其纳入一个消除了这些个别组件
单个装置。使用BRT可降低系统成本和电路板
空间。该设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323封装,是
专为低功率表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波焊接或
LMUN5211T1
系列
3
1
2
SC - 70 / SOT- 323
销1
BASE
(输入)
R
1
3脚
集热器
(输出)
R
2
销2
辐射源
(接地)
回流。修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接过程中消除损坏模具的可能性。
提供8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
无铅封装可用
MARKINGDIAGRAM
8X
M
器件标识信息
请参阅第2页上的器件标识表中的特定标识信息
本数据手册。
8X =具体设备守则
X = (参见标记表)
M =日期代码
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 (注1 )
310 (注2 )
1.6 (注1 )
2.5 (注2 )
618 (注1 )
403 (注2 )
280 (注1 )
332 (注2 )
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
LMUN5211T1系列-1/10
乐山无线电公司, LTD 。
LMUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
50
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
–
–
NADC
NADC
MADC
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
VDC
VDC
基本特征
(注4 )
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
VDC
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的LMUN5230T1 / LMUN5231T1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的LMUN5215T1 / LMUN5216T1 /
LMUN5232T1/LMUN5233T1/LMUN5234T1
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5213T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
V
CE ( SAT )
V
OL
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ,R
L
= 1.0 k)
4.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
LMUN5211T1系列 - 3月10日
乐山无线电公司, LTD 。
LMUN5211T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(注5 ) (续)
输出电压(关) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5230T1
LMUN5215T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ,R
L
= 1.0 k)
LMUN5216T1
LMUN5233T1
输入电阻
LMUN5211T1
LMUN5212T1
LMUN5213T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1
LMUN5216T1
LMUN5230T1
LMUN5231T1
LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5236T1
LMUN5237T1
LMUN5211T1/LMUN5212T1/LMUN5213T1/
LMUN5236T1
LMUN5214T1
LMUN5215T1/LMUN5216T1
LMUN5230T1/LMUN5231T1/LMUN5232T1
LMUN5233T1
LMUN5234T1
LMUN5235T1
LMUN5237T1
V
OH
4.9
–
–
VDC
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
电阻慧慧
R
1
/R
2
5.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 %
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
–50
R
θJA
= 403 ° C / W
0
50
100
T
A
,环境温度( ° C)
150
图1.降额曲线
LMUN5211T1系列 - 4月10日