乐山无线电公司， LTD 。
双偏置ResistorTransistors
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些
数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。
BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
该LMUN5211DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
简化电路设计
- 减少电路板空间
减少元件数量
无铅封装可用
LMUN5211DW1T1
系列
6
5
4
1
2
3
SC-88/SOT-363
6
5
4
最大额定值
等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
符号价值
V
CBO
V
首席执行官
I
C
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
符号
P
D
符号
P
D
Q
1
3
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
6
5
4
7X
1
2
3
R
θJA
670 （注1 ）
490 （注2 ）
7X =器件标识
=
（见第2页）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
LMUN5211DW–1/10
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5211DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,)
特征
符号
基本特征（注
5.)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LMUN5211DW1T1
LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5236DW1T1
LMUN5237DW1T1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3 mA）的V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安） LMUN5230DW1T1 / LMUN5231DW1T1
(I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安） LMUN5215DW1T1 / LMUN5216DW1T1
LMUN5232DW1T1/LMUN5233DW1T1/LMUN5234DW1T1
V
OL
输出电压（上）
LMUN5211DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5212DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5237DW1T1
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5230DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5233DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
系列
（续）
民
典型值
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
–
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
单位
h
FE
VDC
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
LMUN5235DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5236DW1T1
V
OH
4.9
VDC
LMUN5211DW–4/10
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5211DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
， ）（续）
特征
符号
民
典型值
基本特征（注
6.)
输入电阻
LMUN5211DW1T1
LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5236DW1T1
电阻率
LMUN5237DW1T1
LMUN5211DW1T1/LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1/LMUN5236DW1T1
LMUN5214DW1T1/LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1/LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1/LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5237DW1T1
6.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
R
1
/R
2
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
系列
最大
单位
k
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
833°C
0
–50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
LMUN5211DW–5/10
乐山无线电公司， LTD 。
双偏置ResistorTransistors
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些
数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。
BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
该LMUN5211DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
简化电路设计
- 减少电路板空间
减少元件数量
无铅封装可用
LMUN5211DW1T1
系列
6
5
4
1
2
3
SC-88/SOT-363
6
5
4
最大额定值
等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
符号价值
V
CBO
V
首席执行官
I
C
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
符号
P
D
符号
P
D
Q
1
3
最大
187 （注1 ）
256 （注2 ）
1.5 （注1 ）
2.0 （注2 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
6
5
4
7X
1
2
3
R
θJA
670 （注1 ）
490 （注2 ）
7X =器件标识
=
（见第2页）
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
LMUN5211DW–1/10
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5211DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,)
特征
符号
基本特征（注
5.)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
LMUN5211DW1T1
LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5236DW1T1
LMUN5237DW1T1
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3 mA）的V
CE （ SAT ）
(I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安） LMUN5230DW1T1 / LMUN5231DW1T1
(I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安） LMUN5215DW1T1 / LMUN5216DW1T1
LMUN5232DW1T1/LMUN5233DW1T1/LMUN5234DW1T1
V
OL
输出电压（上）
LMUN5211DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5212DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5237DW1T1
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0 k)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.05 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5230DW1T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0 k)
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5233DW1T1
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
系列
（续）
民
典型值
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
80
80
–
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
150
140
–
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.25
单位
h
FE
VDC
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
–
VDC
LMUN5235DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5236DW1T1
V
OH
4.9
VDC
LMUN5211DW–4/10
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5211DW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
， ）（续）
特征
符号
民
典型值
基本特征（注
6.)
输入电阻
LMUN5211DW1T1
LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1
LMUN5214DW1T1
LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1
LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1
LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5236DW1T1
电阻率
LMUN5237DW1T1
LMUN5211DW1T1/LMUN5212DW1T1
LMUN5213DW1T1/LMUN5236DW1T1
LMUN5214DW1T1/LMUN5215DW1T1
LMUN5216DW1T1/LMUN5230DW1T1
LMUN5231DW1T1/LMUN5232DW1T1
LMUN5233DW1T1
LMUN5234DW1T1
LMUN5235DW1T1
LMUN5237DW1T1
6.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
R
1
/R
2
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
系列
最大
单位
k
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
833°C
0
–50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
LMUN5211DW–5/10
QQ：2880707522 复制
