乐山无线电公司， LTD 。
双偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些
数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。
BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在
该LMUN5111DW1T1G系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该
非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。
。简化电路设计
。板级空间缩小
。减少了元件数量
。提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
1
2
3
LMUN5111DW1T1G
系列
6
5
4
SC-88/SOT-363
。我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
订购信息
设备
LMUN51XXDW1T1G
LMUN51XXDW1T3G
包
SC-88
SC-88
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
6
5
4
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
等级
符号价值
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
–50
VDC
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
–50
VDC
集电极电流
I
C
-100 MADC
热特性
特征
（一路口加热）
符号
最大
单位
器件总功耗
P
D
187 （注1 ）
mW
256 （注2 ）
T
A
= 25°C
1.5 （注1 ）
毫瓦/°C的
减免上述25℃
2.0 （注2 ）
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
热电阻 -
结到铅
结存储
温度
1. FR-4 @最低垫
R
θJA
670 （注1 ）
490 （注2 ）
° C / W
Q
1
3
标记图
6
5
4
XX
1
2
3
XX =器件标识
=
（见第2页）
器件标识
信息
查看具体信息标记
该设备的第2页上的标记表
此数据表。
符号
P
D
最大
250 （注1 ）
385 （注2 ）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2 ）
493 （注1 ）
325 （注2 ）
188 （注1 ）
208 （注2 ）
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
1/12
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5111DW1T1G
器件标识和电阻值
设备
包
LMUN5111DW1T1G
LMUN5112DW1T1G
LMUN5113DW1T1G
LMUN5114DW1T1G
LMUN5115DW1T1G （注3 ）
LMUN5116DW1T1G （注3 ）
LMUN5130DW1T1G （注3 ）
LMUN5131DW1T1G （注3 ）
LMUN5132DW1T1G （注3 ）
LMUN5133DW1T1G （注3 ）
LMUN5134DW1T1G （注3 ）
LMUN5135DW1T1G （注3 ）
LMUN5136DW1T1G （注3 ）
LMUN5137DW1T1G （注3 ）
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
SOT–363
记号
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
R
1
(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R
2
(K)
10
22
47
47
–
–
1.0
2.2
4.7
47
47
47
100
22
系列
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
)
特征
符号
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -50 V，I
E
= 0)
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= -50 V，I
B
= 0)
I
首席执行官
I
EBO
发射基截止电流
LMUN5111DW1T1G
(V
EB
= -6.0 V，I
C
= 0)
LMUN5112DW1T1G
LMUN5113DW1T1G
LMUN5114DW1T1G
LMUN5115DW1T1G
LMUN5116DW1T1G
LMUN5130DW1T1G
LMUN5131DW1T1G
LMUN5132DW1T1G
LMUN5133DW1T1G
LMUN5134DW1T1G
LMUN5135DW1T1G
LMUN5136DW1T1G
LMUN5137DW1T1G
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= –10
A,
I
E
= 0)
V
（ BR ） CBO
集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。 （我
C
= -2.0毫安，我
B
=0) V
（ BR ） CEO
基本特征
（注4 ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
E
= -0.3毫安）
(I
C
= -10mA ，我
B
= -5mA ）
(I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA ）
V
CE （ SAT ）
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–50
–50
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
单位
–100
NADC
–500
NADC
-0.5 MADC
–0.2
–0.1
–0.2
–0.9
–1.9
–4.3
–2.3
–1.5
–0.18
–0.13
–0.2
–0.05
–0.13
–
VDC
–
VDC
–0.25
VDC
LMUN5130DW1T1G/LMUN5131DW1T1G
LMUN5115DW1T1/LMUN5116DW1T1G
LMUN5132DW1T1G/LMUN5133DW1T1G/LMUN5134DW1T1G
3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
2/12
乐山无线电公司， LTD 。
LMUN5111DW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
， ）（续）
特征
符号
民
典型值
基本特征（注
5.)
输入电阻
LMUN5111DW1T1G
LMUN5112DW1T1G
LMUN5113DW1T1G
LMUN5114DW1T1G
LMUN5115DW1T1G
LMUN5116DW1T1G
LMUN5130DW1T1G
LMUN5131DW1T1G
LMUN5132DW1T1G
LMUN5133DW1T1G
LMUN5134DW1T1G
LMUN5135DW1T1G
LMUN5136DW1T1G
LMUN5137DW1T1G
电阻率LMUN5111DW1T1G / LMUN5112DW1T1G
1
/R
2
LMUN5113DW1T1G/LMUN5136DW1T1G
LMUN5114DW1T1G/LMUN5115DW1T1G
LMUN5116DW1T1G/LMUN5130DW1T1G
LMUN5131DW1T1G/LMUN5132DW1T1G
LMUN5133DW1T1G
LMUN5134DW1T1G
LMUN5135DW1T1G
LMUN5137DW1T1G
5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
70
32.9
0.8
0.17
–
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
1.0
0.21
–
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
1.2
0.25
–
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
k
最大
单位
系列
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
–50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图1.降额曲线
4/12
QQ：2881677436 复制
