【乐山无线电公司， LTD 。双偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络快速公交系统（偏】,IC型号LMUN5111DW1T1,LMUN5111DW1T1 PDF资料,LMUN5111DW1T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

双偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些

数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。

BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

该LMUN5111DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该

非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

。简化电路设计

。板级空间缩小

。减少了元件数量

。提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

LMUN5111DW1T1

系列

6

5

4

1

2

3

SC-88/SOT-363

6

5

4

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

符号价值

单位

集电极 - 基极电压

V

CBO

–50

VDC

集电极 - 发射极电压

V

首席执行官

–50

VDC

集电极电流

I

C

-100 MADC

热特性

特征

（一路口加热）

符号

最大

单位

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

P

D

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

mW

毫瓦/°C的

° C / W

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

标记图

6

5

4

XX

1

2

3

R

θJA

XX =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

LMUN5111DW–1/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

器件标识和电阻值

设备

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1 （注3 ）

LMUN5116DW1T1 （注3 ）

LMUN5130DW1T1 （注3 ）

LMUN5131DW1T1 （注3 ）

LMUN5132DW1T1 （注3 ）

LMUN5133DW1T1 （注3 ）

LMUN5134DW1T1 （注3 ）

LMUN5135DW1T1 （注3 ）

LMUN5136DW1T1 （注3 ）

LMUN5137DW1T1 （注3 ）

包

SOT–363

记号

0A

0B

0C

0D

0E

0F

0G

0H

0J

0K

0L

0M

0N

0P

R

1

(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R

2

(K)

10

22

47

–

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= -50 V，I

E

= 0)

I

CBO

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= -50 V，I

B

= 0)

I

首席执行官

I

EBO

发射基截止电流

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= –10

A,

I

E

= 0)

V

（ BR ） CBO

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

C

= -2.0毫安，我

B

=0) V

（ BR ） CEO

基本特征

（注4 ）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= -10mA ，我

E

= -0.3毫安）

(I

C

= -10mA ，我

B

= -5mA ）

(I

C

= -10mA ，我

B

= -1mA ）

V

CE （ SAT ）

民

–

–50

–

典型值

–

最大

单位

(V

EB

= -6.0 V，I

C

= 0)

–100

NADC

–500

NADC

-0.5 MADC

–0.2

–0.1

–0.2

–0.9

–1.9

–4.3

–2.3

–1.5

–0.18

–0.13

–0.2

–0.05

–0.13

–

VDC

–

VDC

–0.25

VDC

LMUN5130DW1T1/LMUN5131DW1T1

LMUN5115DW1T1/LMUN5116DW1T1

LMUN5132DW1T1/LMUN5133DW1T1/LMUN5134DW1T1

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

LMUN5111DW–2/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

5.)

直流电流增益

(V

CE

= -10 V，I

C

= -5.0毫安）

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -3.5 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5113DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -5.5 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5136DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -4.0 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5137DW1T1

V

OH

输出电压（关）（V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.05 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5130DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.25 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5133DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OL

–

–4.9

–

–0.2

–

符号

h

FE

（续）

民

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

典型值

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

130

140

最大

–

VDC

单位

系列

VDC

LMUN5111DW–3/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

5.)

输入电阻

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

LMUN5111DW1T1/LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1/LMUN5136DW1T1

LMUN5114DW1T1/LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1/LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1/LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5137DW1T1

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

R

1

/R

2

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

符号

（续）

民

典型值

最大

系列

单位

k

电阻率

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

–50

0

50

100

150

T

A

，环境温度（ ° C）

图1.降额曲线

LMUN5111DW–4/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性 - LMUN5111DW1T1

V

CE （ SAT ）

最大集电极电压（伏）

系列

1

h

FE

，直流电流增益（标准化）

1000

0.1

100

0.01

0

20

40

50

10

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

100

图3.直流电流增益

I

C

，集电极电流（毫安）

OB电容（pF ）

10

3

1

2

0.1

1

0.01

0

10

20

30

40

50

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

R

，反向偏置电压（伏）

V

in

，输入电压（伏）

图4.输出电容

100

图5.输出电流与输入电压

V在，输入电压（伏）

10

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.输入电压与输出电流

LMUN5111DW–5/12

乐山无线电公司， LTD 。

双偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体偏向单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。这些

数字晶体管被设计为替代单一的设备及其外部电阻偏置网络。

BRT的通过将它们集成到单个设备中消除了这些单独的部件。在

该LMUN5111DW1T1系列， 2 BRT设备被容纳在SOT -363封装该

非常适合于低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

。简化电路设计

。板级空间缩小

。减少了元件数量

。提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

LMUN5111DW1T1

系列

6

5

4

1

2

3

SC-88/SOT-363

6

5

4

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

等级

符号价值

单位

集电极 - 基极电压

V

CBO

–50

VDC

集电极 - 发射极电压

V

首席执行官

–50

VDC

集电极电流

I

C

-100 MADC

热特性

特征

（一路口加热）

符号

最大

单位

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

特征

（两个路口加热）

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度

1. FR-4 @最低垫

P

D

187 （注1 ）

256 （注2 ）

1.5 （注1 ）

2.0 （注2 ）

670 （注1 ）

490 （注2 ）

mW

毫瓦/°C的

° C / W

Q

2

R

2

R

1

2

R

1

R

2

Q

1

3

标记图

6

5

4

XX

1

2

3

R

θJA

XX =器件标识

=

（见第2页）

符号

P

D

最大

250 （注1 ）

385 （注2 ）

2.0 （注1 ）

3.0 （注2 ）

493 （注1 ）

325 （注2 ）

188 （注1 ）

208 （注2 ）

-55到+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

器件标识

信息

查看具体信息标记

该设备的第2页上的标记表

此数据表。

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

LMUN5111DW–1/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

器件标识和电阻值

设备

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1 （注3 ）

LMUN5116DW1T1 （注3 ）

LMUN5130DW1T1 （注3 ）

LMUN5131DW1T1 （注3 ）

LMUN5132DW1T1 （注3 ）

LMUN5133DW1T1 （注3 ）

LMUN5134DW1T1 （注3 ）

LMUN5135DW1T1 （注3 ）

LMUN5136DW1T1 （注3 ）

LMUN5137DW1T1 （注3 ）

包

SOT–363

记号

0A

0B

0C

0D

0E

0F

0G

0H

0J

0K

0L

0M

0N

0P

R

1

(K)

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R

2

(K)

10

22

47

–

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

)

特征

符号

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= -50 V，I

E

= 0)

I

CBO

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= -50 V，I

B

= 0)

I

首席执行官

I

EBO

发射基截止电流

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= –10

A,

I

E

= 0)

V

（ BR ） CBO

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

C

= -2.0毫安，我

B

=0) V

（ BR ） CEO

基本特征

（注4 ）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= -10mA ，我

E

= -0.3毫安）

(I

C

= -10mA ，我

B

= -5mA ）

(I

C

= -10mA ，我

B

= -1mA ）

V

CE （ SAT ）

民

–

–50

–

典型值

–

最大

单位

(V

EB

= -6.0 V，I

C

= 0)

–100

NADC

–500

NADC

-0.5 MADC

–0.2

–0.1

–0.2

–0.9

–1.9

–4.3

–2.3

–1.5

–0.18

–0.13

–0.2

–0.05

–0.13

–

VDC

–

VDC

–0.25

VDC

LMUN5130DW1T1/LMUN5131DW1T1

LMUN5115DW1T1/LMUN5116DW1T1

LMUN5132DW1T1/LMUN5133DW1T1/LMUN5134DW1T1

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

LMUN5111DW–2/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

5.)

直流电流增益

(V

CE

= -10 V，I

C

= -5.0毫安）

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -3.5 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5113DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -5.5 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5136DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -4.0 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5137DW1T1

V

OH

输出电压（关）（V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.05 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5130DW1T1

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -0.25 V ，R

L

= 1.0千欧） LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5133DW1T1

输出电压（上）

(V

CC

= –5.0 V, V

B

= -2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

V

OL

–

–4.9

–

–0.2

–

符号

h

FE

（续）

民

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

典型值

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

130

140

最大

–

VDC

单位

系列

VDC

LMUN5111DW–3/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,)

特征

基本特征（注

5.)

输入电阻

LMUN5111DW1T1

LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1

LMUN5114DW1T1

LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1

LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1

LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5136DW1T1

LMUN5137DW1T1

LMUN5111DW1T1/LMUN5112DW1T1

LMUN5113DW1T1/LMUN5136DW1T1

LMUN5114DW1T1/LMUN5115DW1T1

LMUN5116DW1T1/LMUN5130DW1T1

LMUN5131DW1T1/LMUN5132DW1T1

LMUN5133DW1T1

LMUN5134DW1T1

LMUN5135DW1T1

LMUN5137DW1T1

R

1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

R

1

/R

2

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

符号

（续）

民

典型值

最大

系列

单位

k

电阻率

5.脉冲测试：脉冲宽度< 300毫秒，占空比< 2.0 ％

300

P

D

，功耗（毫瓦）

250

200

150

100

50

0

–50

0

50

100

150

T

A

，环境温度（ ° C）

图1.降额曲线

LMUN5111DW–4/12

乐山无线电公司， LTD 。

LMUN5111DW1T1

电气特性 - LMUN5111DW1T1

V

CE （ SAT ）

最大集电极电压（伏）

系列

1

h

FE

，直流电流增益（标准化）

1000

0.1

100

0.01

0

20

40

50

10

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

4

100

图3.直流电流增益

I

C

，集电极电流（毫安）

OB电容（pF ）

10

3

1

2

0.1

1

0.01

0

10

20

30

40

50

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

R

，反向偏置电压（伏）

V

in

，输入电压（伏）

图4.输出电容

100

图5.输出电流与输入电压

V在，输入电压（伏）

10

1

0.1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图6.输入电压与输出电流

LMUN5111DW–5/12