LMU112

设备公司

12× 12位并行乘法器

LMU112

设备公司

12× 12位并行乘法器

描述

该

LMU112

是一个高速，低

功耗12位并行乘法器建

采用先进的CMOS技术。

该LMU112是引脚和功能

与飞兆半导体的MPY112K兼容。

A和B的输入操作数是

装载到它们各自的寄存器

在单独的上升沿

时钟输入（ CLK A和CLK B） 。

二进制补码或无符号

震级操作数都是accommo-

通过操作控制位日（ TC ）

其沿着与乙加载

操作数。操作数指定

是在2的补码格式

当TC置位和无符号

当TC被拉高幅度。

是不允许的混合模式操作。

为二的补码的操作数，则

17最显著位在输出端

异步乘法器阵列

移1位位置的左边。

这样做是为了丢弃冗余

符号位的副本，这是在

最显著位的位置，并

由1位扩展位的精度。

那么结果被截断为16

的MSB和加载到输出

在CLK B的上升沿，寄存器

输出寄存器的内容

通过三态缓冲器提供

通过断言OE 。当OE是DE-

置，所述输出（r

23-8

）是在

高阻抗状态。

特点

u

u

u

u

25 ns的最坏情况乘法时间

低功耗CMOS技术

替换仙童MPY112K

二进制补码或无符号

操作数

u

三态输出

u

封装类型：

48引脚PDIP

52引脚PLCC ， J形引线

LMU112 B

LOCK

D

IAGRAM

A

11-0

12

CLK一

CLK B

一注册

TC

B

11-0

12

B注册

24

格式调整

16

结果寄存器

OE

16

R

23-8

乘

1

08/16/2000–LDS.112-K

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F

IGURE

1

A

.

I

NPUT

F

ORMATS

A

IN

小数补码（ TC = 1 ）

11 10 9

–2

0

2

–1

2

–2

（登录）

B

IN

2 1 0

2

–9

2

–10

2

–11

11 10 9

–2

0

2

–1

2

–2

（登录）

2 1 0

2

–9

2

–10

2

–11

整数补码（ TC = 1 ）

11 10 9

–2

11

2

10

2

9

（登录）

2 1 0

2

2

2

1

2

0

11 10 9

–2

11

2

10

2

9

（登录）

2 1 0

2

2

2

1

2

0

无符号小数（ TC = 0 ）

11 10 9

2

–1

2

–2

2

–3

2 1 0

2

–10

2

–11

2

–12

11 10 9

2

–1

2

–2

2

–3

2 1 0

2

–10

2

–11

2

–12

无符号整型（ TC = 0 ）

11 10 9

2

11

2

10

2

9

2 1 0

2

2

2

1

2

0

11 10 9

2

11

2

10

2

9

2 1 0

2

2

2

1

2

0

F

IGURE

1

B

.

O

安输出

F

ORMATS

MSP

小数补码

23 22 21

–2

0

2

–1

2

–2

（登录）

LSP

14 13 12

2

–9

2

–10

2

–11

整数补码

11 10 9 8

2

–12

2

–13

2

–14

2

–15

23 22 21

–2

22

2

21

2

20

（登录）

14 13 12

2

13

2

12

2

11

无符号小数

11 10 9 8

2

10

2

9

2

8

2

7

23 22 21

2

–1

2

–2

2

–3

14 13 12

2

–10

2

–11

2

–12

无符号整数

11 10 9 8

2

–13

2

–14

2

–15

2

–16

23 22 21

2

23

2

22

2

21

14 13 12

2

14

2

13

2

12

11 10 9 8

2

11

2

10

2

9

2

8

乘

2

08/16/2000–LDS.112-K

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M

AXIMUM

R

ATINGS

以上这些有用的生命可能受到损害（注1 ， 2 ， 3 ， 8 ）

储存温度........................................................................................................... -65 ° C至+ 150°C

工作环境温度............................................... ............................................ -55 ° C至+ 125°C

V

CC

电源电压相对于地............................................ ................................ -0.5 V至7.0 V

输入信号相对于地............................................ ............................................ -3.0 V至+7.0 V

信号应用于高阻抗输出............................................ ................................... -3.0 V至7.0 V

输出电流转换成低输出............................................................................................................. 25毫安

闭锁电流............................................................................................................................... > 400毫安

O

操作摄像机

C

ONDITIONS

为了满足规定的电气和开关特性

模式

积极运作，商业

积极运作，军事

温度范围

（环境）

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

供应

电压

4.75 V

≤

V

CC

≤

5.25 V

4.50 V

≤

V

CC

≤

5.50 V

E

LECTRICAL

C

极特

在工作条件（注4 ）

符号

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC1

I

CC2

参数

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入电流

输出漏电流

V

CC

目前，动态

V

CC

目前，静态

（注3）

测试条件

V

CC

=最小值，

I

OH

= -2.0毫安

V

CC

=最小值，

I

OL

= 8.0毫安

民

2.4

典型值

最大

单位

V

0.5

2.0

0.0

V

CC

0.8

±20

±20

10

20

1.0

V

V

V

A

A

mA

mA

地

≤

V

IN

≤

V

CC

（注12 ）

地

≤

V

OUT

≤

V

CC

（注12 ）

（注5,6）

（注7 ）

乘

3

08/16/2000–LDS.112-K

432109876543210987654321

432109876543210987654321

432109876543210987654321

432109876543210987654321

*D

ISCONTINUED

S

撒尿

G

RADE

符号

符号

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

2121098765432109876543210987654321

民

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

210987654321

民

设备公司

S

魔力

W

AVEFORMS

M

ILITARY

O

操作摄像机

R

ANGE

（ -55 ° C至+ 125°C ）

笔记9,10 （纳秒）

C

OMMERCIAL

O

操作摄像机

R

ANGE

（ 0 ° C至+ 70 ° C）

笔记9,10 （纳秒）

开关特性

t

DIS

t

ENA

t

D

t

H

t

S

t

PW

t

MC

t

DIS

t

ENA

t

D

t

H

t

S

t

PW

t

MC

输入

CLK B

CLK一

R

23-8

OE

参数

参数

三态输出禁用延迟

（注11 ）

三态输出使能延迟

（注11 ）

输出延迟

输入寄存器保持时间

输入寄存器建立时间

时钟脉冲宽度

时钟乘法时间

三态输出禁用延迟

（注11 ）

三态输出使能延迟

（注11 ）

输出延迟

输入寄存器保持时间

输入寄存器建立时间

时钟脉冲宽度

时钟乘法时间

t

S

t

H

t

DIS

高阻抗

t

MC

4

t

PW

t

ENA

12× 12位并行乘法器

15

20

15

15

3

3

60*

65*

t

PW

最大

最大

25

25

25

60

30

30

30

65

t

D

民

LMU112–

50

民

15

20

15

15

3

3

LMU112–

55*

最大

最大

30

30

30

25

25

25

55

50

乘

LMU112

民

民

08/16/2000–LDS.112-K

12

10

12

10

3

1

30*

25

最大

最大

25

25

25

20

20

20

30

25

LMU112

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12× 12位并行乘法器

笔记

9. AC规格与测试

输入转换时间小于3纳秒，

1.5 V的输出参考电平（除

t

DIS

名义上试验） ，并输入电平

0 3.0 V.输出负载可以是一个

电阻分压器，其中提供了用于

特定网络版

I

OH

和

I

OL

在输出端

电压

V

OH

分，

V

OL

最大

2.分别由该光谱描述的产品。可替换地，一个二极管

ification包括与上，下电流的内部电路DE-桥

签署保护芯片免受damag-

来源

I

OH

和

I

OL

分别为，

荷兰国际集团衬底注入电流，以及交流和1.5伏的平衡电压可以是

静电荷cumulations 。尽管如此使用。寄生电容是30 pF的

以下，常规预防措施，应最小，且可分布。

在储存过程中可以观察到，处理，

和使用这些电路，以该设备具有高速输出钙

避免接触到的大的瞬时电流过大的电pable

应力值。

脉冲和快速的开启/关闭时间。

其结果是，必须注意，在行使

3.本设备提供此设备的测试硬夹紧。以下

瞬时冲和过冲。建议在 - 措施：

把地面以下或以上的水平

V

CC

将被钳位开始在-0.6 V和一个。一个0.1 μF陶瓷电容应

V

CC

+ 0.6 V.该器件可承受的安装

V

CC

和地面

不确定的操作与输入的导线尽量靠近被测设备

范围为-0.5 V至7.0 V.设备操作（DUT）成为可能。类似的电容

化也不会受到不利的影响，应如何 - 设备之间安装

V

CC

以往，输入电流水平将是很好的，共同的测试仪，和设备

地面人员和测试人员共同的。

超过100毫安。

4.实际的测试条件可能与B各不相同。地面和

V

CC

供应面

这些指定的，但操作瓜尔必须直接带到DUT

规定及担。

插座或接触的手指。

5.供应电流给定应用程序下进行。输入电压应调整

化，可以准确地近似为：补偿感性地和

V

CC

噪音维持所需的DUT输入

NCV

2

F

相对于DUT的接地引脚的电平。

4

哪里

10.每一参数被示为MIN-

imum或最大值。重新输入

quirements从指定点

视外部系统驱动的

该芯片。设置时间，例如，是

指定为最小，因为克斯特

6.测试所有的输出变化的EV-最终系统必须提供至少是

红霉素周期和无负载时，在5MHz的时钟太多的时间，以满足最坏情况下的再

各地quirements 。从响应

率。

内部电路，从指定

7.测试用内视设备的点0.1 V所有输入。产量

V

CC

或地面，无负载。

延迟，例如，被指定为一个

8.这些参数都保证最高的，因为最坏的情况下运行

任何设备总是在提供数据

但不是100 ％测试。

那段时间。

n =在器件输出总数

每个输出C =容性负载

V =电源电压

F =时钟频率

1.最大额定值表示压力

规格而已。功能能操作

这些产品中的超越值ATION

那些在工作条件说明

系统蒸发散表是不是暗示。接触

绝对最大额定值条件为前

往往周期会影响其可靠性。

11.对于

t

ENA

试验中，过渡是

测量到1.5V的交叉点

有数据负载。对于

t

DIS

测试，

过渡被测量到的

从测量的± 200mV的电平

稳态输出电压与

± 10毫安负荷。平衡电压

年龄，V

TH

被设定在3.5 V对于Z-到0

和0至-Z的测试，并设置为0V的制备Z-

对1和1对-Z的测试。

12.这些参数仅在测试

高温极端，这是

最坏的情况下泄漏电流。

F

IGURE

A.

安输出

L

OADING

C

IRCUIT

DUT

S1

I

OL

C

L

I

OH

V

TH

F

IGURE

B 。吨

HRESHOLD

L

EVELS

t

ENA

OE

Z

0

1.5 V

1.5 V

1.5 V

t

DIS

3.5V Vth的

V

OL

*

0.2 V

0

1

Z

Z

1.5 V

V

OH

*

0.2 V

Z

1

0V Vth的

V

OL

*测量V

OL

与我

OH

= -10mA我

OL

= 10毫安

V

OH

*测量V

OH

与我

OH

= -10mA我

OL

= 10毫安

乘

5

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