LMP7300微功率高精度比较器和精密基准，带有可调
迟滞
2008年10月31日
LMP7300
微精密比较器和精密
参考带可调迟滞
概述
该LMP7300是一个组合的比较器和参考
有理想的规格精度阈值检测。该
精密2.048V基准带有0.25 ％的最大一
错误。比较器的功能微（ 35 μW ） ，低摘
定电压（0.75最大毫伏） ，并独立可调POS-
可持续的竞争和负滞后。
滞环控制的比较完成
通过两个外部引脚。该HYSTP引脚设置正
滞后和HYSTN引脚设置负滞后。
比较器的设计隔离V
IN
源阻抗
和可编程迟滞元件。这种隔离
防止任何不期望的相互作用使IC main-
覃平检测过程中精确的阈值电压。
低偏置电压的组合，外部滞后
控制和精密电压基准提供了一个易于
使用微功率高精度阈值检测器。
该LMP7300集电极开路输出，非常适合混合
电压的系统设计。输出电压上轨道是非
用V约束
CC
并且可以高于V拉
CC
到马克西
妈妈为12V 。该LMP7300是LMP中的一员
高精度放大器系列。
特点
（对于V
S
= 5V ，典型的，除非另有说明）
13 μA
■
电源电流
4 μs
■
传播延迟
输入失调电压
0.3毫伏
■
百分贝
■
CMRR
百分贝
■
PSRR
■
积极和消极滞环控制
1毫伏/ MV
■
可调节迟滞
参考电压
2.048V
■
0.25%
■
基准电压准确度
1毫安
■
基准电压源的电流
2.7V至12V
■
宽电源电压范围
■
工作温度范围：室温-40 ° C至125°C
应用
■
■
■
■
精密检测阈值
电池监控
电池管理系统
过零检测器
典型用途
微精密电池低电压检测3
电池放电电压
20175642
20175646
LMP
是美国国家半导体公司的注册商标。
2008美国国家半导体公司
201756
www.national.com
LMP7300
符号
HC
LIN
I
HYS
tPD的
参考
V
O
参数
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
条件
0 < REF- V
+ HYS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏< REF- V
+ HYS
TP ，N < 100毫伏
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
1.000
0.950
1.2
最大
（注6 ）
单位
mV / V的
3
4
15
6.8
2.053
80
0.5
55
nA
μs
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
T
J
= 25°C
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
-40 ° C至+ 125°C
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
2.043
11
3.5
2.048
14
0.2
80
100
参考电压
线路调整
负载调整率
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
TCV
REF /°C的
V
N
温度COEF网络cient
输出噪声电压
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC的）
感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备，例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热，其中T的条件下，
J
＆ GT ;
T
A
.
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注6 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注7 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注8 ：
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
订购信息
包
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMP7300MA
LMP7300MAX
LMP7300MM
LMP7300MMX
包装标志
LMP7300MA
C31A
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
M08A
MUA08A
www.national.com
4
LMP7300
接线图
8引脚MSOP / SOIC
20175606
顶视图
引脚说明
针
名字
+ IN
非反相
比较器输入
描述
的+ IN具有负轨至上述的共模电压范围从1V，并包括
积极的轨道。内部ESD二极管，从连接+ IN引脚的轨道，保护输入
舞台免受过电压。如果输入电压超过导轨，所述二极管导通和钳
输入到一个安全水平。
该-IN具有负轨至上述的共模电压范围从1V，并包括
积极的轨道。内部ESD二极管，从-IN引脚到轨连接，保护
输入级过电压。如果输入电压超过导轨，所述二极管导通和
钳位输入到一个安全水平。
该管脚可被连接到一个负的直流电压源，用于需要双重应用
供应量。如果连接到负电源去耦该引脚与0.1 μF陶瓷电容
地面上。内部参考输出电压参考该引脚。 GND是芯片
基板的连接。
输出是一个集电极开路。它可以通过使用上拉电阻的驱动电压的负载，或者它可以
通过下沉的最大输出电流驱动电流负载。该引脚也可以采取一个
最大的+ 12V电压相对于接地引脚，而不管电源电压。
该引脚设置下跳转电压V
IL
。共模范围是从1V以上的
负电压轨至V
CC
。输入信号必须低于V
IL
对于比较从切换
前高后低的状态。
该引脚设置上跳转电压V
IH
。共模范围是从1V以上的
负电压轨至V
CC
。输入信号必须超越V
IH
对于比较从切换
从低到高的状态。
这是一个2.048V带隙精密基准输出引脚。
In
比较器的反相
输入
GND
地
OUT
比较器输出
HYSTN负滞后引脚
HYSTP正向回销
REF
V
+
参考电压
输出引脚
正电源端的电源电压范围为2.7V至12V 。去耦该引脚与0.1
μF
陶瓷电容器
地面上。
5
www.national.com
LMP7300微功率高精度比较器和精密基准，带有可调
迟滞
2007年9月
LMP7300
微精密比较器和精密
参考带可调迟滞
概述
该LMP7300是一个组合的比较器和参考
有理想的规格精度阈值检测。该
精密2.048V基准带有0.25 ％的最大一
错误。比较器的功能micopower （ 35 μW ） ，低失调
电压（ 0.75毫伏max）和独立可调的正
和负滞后。
滞环控制的比较完成
通过两个外部引脚。该HYSTP引脚设置正
滞后和HYSTN引脚设置负滞后。
比较器的设计隔离V
IN
源阻抗
和可编程迟滞元件。这种隔离
防止任何不期望的相互作用使IC main-
覃平检测过程中精确的阈值电压。
低偏置电压的组合，外部滞后
控制和精密电压基准提供了一个易于
使用微功率高精度阈值检测器。
该LMP7300集电极开路输出，非常适合混合
电压的系统设计。输出电压上轨道是非
用V约束
CC
并且可以高于V拉
CC
到马克西
妈妈为12V 。该LMP7300是LMP中的一员
高精度放大器系列。
特点
（对于V
S
= 5V ，典型的，除非另有说明）
13 μA
■
电源电流
4 μs
■
传播延迟
输入失调电压
0.3毫伏
■
百分贝
■
CMRR
百分贝
■
PSRR
■
积极和消极滞环控制
1毫伏/ MV
■
可调节迟滞
参考电压
2.048V
■
0.25%
■
基准电压准确度
1毫安
■
基准电压源的电流
2.7V至12V
■
宽电源电压范围
■
工作温度范围：室温-40 ° C至125°C
应用
■
■
■
■
精密检测阈值
电池监控
电池管理系统
过零检测器
典型用途
微精密电池低电压检测3
电池放电电压
20175642
20175646
LMP
是美国国家半导体公司的注册商标。
2007美国国家半导体公司
201756
www.national.com
LMP7300
符号
HC
LIN
I
HYS
tPD的
参考
V
O
参数
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
条件
0 < REF- V
+ HYS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏< REF- V
+ HYS
TP ，N < 100毫伏
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
1.000
0.950
1.2
最大
（注6 ）
单位
mV / V的
3
4
15
6.8
2.053
80
0.5
55
nA
μs
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
T
J
= 25°C
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
-40 ° C至+ 125°C
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
2.043
11
3.5
2.048
14
0.2
80
100
参考电压
线路调整
负载调整率
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
TCV
REF /°C的
V
N
温度COEF网络cient
输出噪声电压
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。 JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。 JEDEC的）
感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
)/ θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注4 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备，例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热，其中T的条件下，
J
＆ GT ;
T
A
.
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可以随时间变化和意愿
还取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注6 ：
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用相关的统计质量保证
控制（ SQC ）方法。
注7 ：
正电流对应的电流流动到装置中。
注8 ：
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
订购信息
包
8引脚SOIC
8引脚MSOP
产品型号
LMP7300MA
LMP7300MAX
LMP7300MM
LMP7300MMX
包装标志
LMP7300MA
C31A
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
NSC图纸
M08A
MUA08A
www.national.com
4
LMP7300
接线图
8引脚MSOP / SOIC
20175606
顶视图
引脚说明
针
名字
+ IN
非反相
比较器输入
描述
的+ IN具有负轨至上述的共模电压范围从1V，并包括
积极的轨道。内部ESD二极管，从连接+ IN引脚的轨道，保护输入
舞台免受过电压。如果输入电压超过导轨，所述二极管导通和钳
输入到一个安全水平。
该-IN具有负轨至上述的共模电压范围从1V，并包括
积极的轨道。内部ESD二极管，从-IN引脚到轨连接，保护
输入级过电压。如果输入电压超过导轨，所述二极管导通和
钳位输入到一个安全水平。
该管脚可被连接到一个负的直流电压源，用于需要双重应用
供应量。如果连接到负电源去耦该引脚与0.1 μF陶瓷电容
地面上。内部参考输出电压参考该引脚。 GND是芯片
基板的连接。
输出是一个集电极开路。它可以通过使用上拉电阻的驱动电压的负载，或者它可以
通过下沉的最大输出电流驱动电流负载。该引脚也可以采取一个
最大的+ 12V电压相对于接地引脚，而不管电源电压。
该引脚设置下跳转电压V
IL
。共模范围是从1V以上的
负电压轨至V
CC
。输入信号必须低于V
IL
对于比较从切换
前高后低的状态。
该引脚设置上跳转电压V
IH
。共模范围是从1V以上的
负电压轨至V
CC
。输入信号必须超越V
IH
对于比较从切换
从低到高的状态。
这是一个2.048V带隙精密基准输出引脚。
In
比较器的反相
输入
GND
地
OUT
比较器输出
HYSTN负滞后引脚
HYSTP正向回销
REF
V
+
参考电压
输出引脚
正电源端的电源电压范围为2.7V至12V 。去耦该引脚与0.1
μF
陶瓷电容器
地面上。
5
www.national.com
LMP7300
www.ti.com
SNOSAT7F - 2007年8月 - 修订2013年3月
微精密比较器和精密基准带可调迟滞
检查样品：
LMP7300
1
特点
（对于V
S
= 5V ，典型的，除非另有说明）
电源电流13
μA
传播延迟4
μs
输入失调电压0.3 mV的
CMRR 100分贝
PSRR 100分贝
积极和消极滞环控制
可调节的滞后1毫伏/ MV
参考电压2.048V
基准电压准确度0.25 ％
基准电压源电流1 mA
宽电源电压范围为2.7V至12V
工作温度范围环境
40°C
至125℃
描述
该LMP7300是一个组合的比较器和
有理想的规格为基准的精度
阈值检测。精密的2.048V参考
配备了0.25 ％，最大误差。比较
特色微（ 35 μW ） ，低失调电压
（0.75毫伏max）和独立可调的正
和负滞后。
滞环控制的比较完成
通过两个外部引脚。该HYSTP引脚设置
正滞后和HYSTN引脚设置
负滞后。比较器的设计隔离
在V
IN
源阻抗和所述可编程
滞后组件。这种隔离可以防止任何
不希望的相互作用使IC维持
电平检测期间精确的阈值电压。
低偏置电压的组合，外部
滞环控制和精密基准电压源
提供了一个易于使用的微功率高精度
阈值检测器。
该LMP7300集电极开路输出，非常适合
混合电压系统的设计。输出电压
上轨道由V不受约束
CC
和可拉
上述V
CC
到最大为12V 。该LMP7300是
在LMP高精度放大器系列的成员。
2
应用
精密检测阈值
电池监控
电池管理系统
过零检测器
典型用途
微精密电池低电压检测3
电池放电电压
V
BATT
= （ TRIP @ .9V ×3 CELL）
0.1
PF
R
1
318.4 k:
1%
R
2
1 M:
1%
+
30
25
20
15
10
-40°
C
5
0
0
125°
C
20
40
V = 12V
R
5
调整
对于LED
亮度
LED
OUT
V
REF
+
INP
客栈
HYSTP
HYSTN
V
+
-
传播延迟（ PS ）
C
L
= 10 pF的
GND
25°
C
85°
C
R
3
9.86 k:
1%
R
4
1 M:
1%
60
80
100
过驱动电压（毫伏）
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMP7300
SNOSAT7F - 2007年8月 - 修订2013年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
ESD容差
(3)
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
存储温度范围
结温
(4)
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度。 （10秒）的
(1)
(2)
(3)
(4)
人体模型
机器型号
2000V
200V
±V
S
13.6V
V
+
+ 0.3V, V
0.3V
65°C
至+ 150°C
+150°C
235°C
260°C
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
环境，请参阅电气特性表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
人体模型，适用的性病。 MIL -STD- 883 ，方法3015.7 。机器型号，适用的性病。的JESD22 - A115 -A （ ESD MM性病。
JEDEC ）感生电荷设备模型，适用的性病。 JESD22 - C101 -C （ JEDEC的ESD FICDM STD ）。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
工作额定值
(1)
温度范围
(2)
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
封装热阻（ θ
JA
(2)
40°C
至125℃
2.7V至12V
)
8引脚SOIC
8针VSSOP
166°C/W
235°C/W
(1)
(2)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
环境，请参阅电气特性表。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
2
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产品文件夹链接：
LMP7300
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
LMP7300
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SNOSAT7F - 2007年8月 - 修订2013年3月
2.7V电气特性
(1)
除非另有规定，确保了对于T的所有限制
A
= 25 ° C，V
+
= 2.7V, V
= 0V和V
CM
= V
+
/2, R
上拉
= 100 kΩ的，C
负载
= 10 pF的。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
S
参数
电源电流
条件
R
上拉
=打开
民
(2)
典型值
(3)
9
最大
(2)
12
17
±0.75
±2
±1.0
±2.2
3
4
0.5
单位
μA
比较
V
CM
= V
+
/ 2 SOIC
V
OS
输入失调电压
V
CM
= V
+
/ 2 VSSOP
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
OL
I
泄漏
HC
LIN
I
HYS
T
PD
参考
V
O
参考电压
线路调整
负载调整率
TCV
REF /°C的
V
N
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
温度COEF网络cient
输出噪声电压
SOIC
VSSOP
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
40°C
至125℃
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
80
100
2.043
2.043
2.048
2.048
14
0.2
2.053
2.056
80
0.5
55
V
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
输入失调漂移平均
输入偏置电流
(5)
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输出低电压
输出漏电流
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
1V < V
CM
＆ LT ; 2.7V
V = 2.7V至12V
I
负载
= 10毫安
比较器输出为高电平状态
0 <参考-H
YS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏<参考-H
YS
TP ，N < 100毫伏
+
±0.07
±0.07
1.8
1.2
0.15
80
80
100
100
0.25
1
1.000
0.950
1.2
12
4.5
mV
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
SEE
(4)
|V
ID
| < 2.5V
0.4
0.5
V
pA
mV / V的
3
4
17
7.6
nA
μs
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有确保的说明书中指示的电
内部自热式中T的条件下表
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
正电流对应的电流流动到装置中。
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5V电气特性
(1)
除非另有规定，确保了对于T的所有限制
A
= 25 ° C，V
+
= 5V, V
= 0V和V
CM
= V
+
/2, R
上拉
= 100 kΩ的，C
负载
=
10 pF的。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
S
参数
电源电流
条件
R
上拉
=打开
民
(2)
典型值
(3)
10
最大
(2)
13
18
±0.75
±2
±1.0
±2.2
3
4
0.5
单位
μA
比较
V
CM
= V
+
/2
V
OS
输入失调电压
V
CM
= V
+
/2
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
OL
I
泄漏
HC
LIN
I
HYS
tPD的
参考
V
O
参考电压
线路调整
负载调整率
TCV
REF /°C的
V
N
温度COEF网络cient
输出噪声电压
SOIC
VSSOP
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
40°C
至125℃
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
80
100
2.043
2.043
2.048
2.048
14
0.2
2.053
2.056
80
0.5
55
V
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
输入失调漂移平均
输入偏置电流
(5)
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输出电压低
输出漏电流
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
1
≤
V
CM
≤
5V
V = 2.7V至12V
I
负载
= 10毫安
比较器输出为高电平状态
0 < REF- V
HYS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏< REF- V
HYS
TP ，N < 100毫伏
+
SOIC
VSSOP
±0.07
±0.07
1.8
1.2
0.15
80
80
100
100
0.25
1
1.000
0.950
1.2
12
4
mV
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
SEE
(4)
|V
ID
| < 2.5V
0.4
V
pA
mV / V的
3
4
15
7
nA
μs
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有确保的说明书中指示的电
内部自热式中T的条件下表
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
正电流对应的电流流动到装置中。
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SNOSAT7F - 2007年8月 - 修订2013年3月
12V电气特性
(1)
除非另有规定，确保了对于T的所有限制
A
= 25 ° C，V
+
= 12V, V
= 0V和V
CM
= V
+
/2, R
上拉
= 100 kΩ的，C
负载
= 10 pF的。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
S
参数
电源电流
条件
R
上拉
=打开
民
(2)
典型值
(3)
11
最大
(2)
14
20
±0.75
±2
±1.0
±2.2
3
4
0.5
单位
A
比较
V
CM
= V
+
/ 2 SOIC
V
OS
输入失调电压
V
CM
= V
+
/ 2 VSSOP
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
OL
I
泄漏
HC
LIN
I
HYS
tPD的
参考
V
O
参考电压
线路调整
负载调整率
TCV
REF /°C的
V
N
温度COEF网络cient
输出噪声电压
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
SOIC
VSSOP
2.043
2.043
2.048
2.048
14
0.2
80
100
2.053
2.056
80
0.5
55
V
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
输入失调漂移平均
输入偏置电流
(5)
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输出电压低
输出漏电流
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
1V
≤
V
CM
≤
12V
V = 2.7V至12V
I
负载
= 10毫安
比较器输出为高电平状态
0 < REF- V
+ HYS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏< REF- V
+ HYS
TP ，N < 100毫伏
+
±0.08
±0.08
1.8
1.2
0.15
80
80
100
100
0.25
1
1.000
0.950
1.2
11
3.5
mV
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
SEE
(4)
|V
ID
| > 2.5V
0.4
V
pA
mV / V的
3
4
15
6.8
nA
μs
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
40°C
至+ 125°C
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有确保的说明书中指示的电
内部自热式中T的条件下表
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
正电流对应的电流流动到装置中。
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
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