LMP2021 / LMP2022零漂移，低噪声， EMI硬化放大器
2009年7月23日
LMP2021/LMP2022
零漂移，低噪声， EMI硬化放大器
概述
该LMP2021 / LMP2022是单和双精度能操作
憩放大器提供极低的输入失调电压，近
零输入失调电压漂移，极低输入电压噪声和
非常高的开环增益。它们是低熔点的一部分
精确
家庭，是理想的仪器和传感器接口。
该LMP2021 / LMP2022只有0.004 μV / ° C输入偏置
电压漂移和0.4输入μV失调电压。这些AT-
悼念在高精度应用提供极高的精度。
专有的连续校正电路保证
令人印象深刻的CMRR和PSRR ，消除了1 / f噪声康波
新界东北，并省去了在许多电路的校准。
只用260纳伏
PP
（ 0.1 Hz至10 Hz ）的输入电压噪声
和没有1 / f噪声分量， LMP2021 / LMP2022是suit-
能够用于低频应用，例如工业精密度
锡安电子秤。 23 pA的品牌的低输入偏置电流
高源阻抗电路这些优秀的选择
如非侵入性的医疗仪器以及测试
和测量设备。极高的开环
160 dB的增益大大降低了高增益AP-增益误差
并发症。随着超精密DC规格和非常低
噪声时， LMP2021 / LMP2022是理想的位置传感器，
桥传感器，压力传感器，医疗设备和
其它高精度应用具有非常低的误差预算。
该LMP2021提供5引脚SOT- 23和8引脚SOIC
包。在LMP2022是采用8引脚MSOP封装提供8引脚
SOIC封装。
特点
（典型值，T
A
= 25 ° C，V
S
= 5V)
0.4 V
■
输入失调电压（典型值）
±5 V
■
输入失调电压（最大）
-0.004 μV/°C
■
输入失调电压漂移（典型值）
± 0.02 μV/°C
■
输入失调电压漂移（最大值）
11内华达州/
√
Hz
■
输入电压噪声，A
V
= 1000
开环增益
160分贝
■
139分贝
■
CMRR
130分贝
■
PSRR
2.2V至5.5V
■
电源电压范围
1.1毫安
■
电源电流（每个放大器）
输入偏置电流
± 25 PA
■
5兆赫
■
GBW
2.6 V / μs的
■
压摆率
-40_C到125_C
■
工作温度范围
■
5引脚SOT-23封装， 8引脚MSOP和8引脚SOIC封装
应用
■
■
■
■
精密仪表放大器
电池供电的仪器
热电偶放大器
桥式放大器
典型用途
桥式放大器
30014972
该LMP2021 / LMP2022支持系统的精度可达24位。
LMP
是美国国家半导体公司的注册商标。
2009美国国家半导体公司
300149
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LMP2021/LMP2022
符号
EMIRR
参数
电磁干扰
抑制比
（注9 ）
IN +
和
IN-
条件
V
RF- PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
)
F = 400 MHz的
V
RF- PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
)
F = 900兆赫
V
RF- PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
)
F = 1800兆赫
V
RF- PEAK
= 100 mV的
P
（ -20的dBV
P
)
F = 2400 MHz的
民
典型值
最大
（注7 ） （注6 ） （注7 ）
58
64
72
82
115
112
110
125
120
123
118
130
单位
dB
PSRR
电源抑制比
2.5V
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0
2.2V
≤
V
+
≤
5.5V, V
CM
= 0
dB
130
160
160
83
120
65
103
135
170
160
204
80
105
125
158
mA
1.25
1.57
mA
V / μs的
兆赫
dB
度
pF
内华达州/
nV
PP
FA /
μs
dB
mV
从
无论是铁路
dB
A
VOL
大信号电压增益
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
OUT
= 0.5V至4.5V
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
V
OUT
= 0.5V至4.5V
V
OUT
输出摆幅高
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
输出摆幅低
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
I
OUT
I
S
SR
GBW
G
M
Φ
M
C
IN
e
n
线性输出电流
电源电流
压摆率（注10 ）
增益带宽积
增益裕度
相位裕度
输入电容
采购，V
OUT
= 4.5V
下沉，V
OUT
= 0.5V
每个放大器
A
V
= +1, C
L
= 20 pF的，R
L
= 10 k
V
O
= 2 V
PP
C
L
= 20 pF的，R
L
= 10 k
C
L
= 20 pF的，R
L
= 10 k
C
L
= 20 pF的，R
L
= 10 k
共模
差模
30
30
50
50
1.1
2.6
5
10
60
12
12
11
15
260
330
350
50
150
输入参考电压噪声密度F = 0.1 kHz或10 kHz时，一
V
= 1000
F = 0.1 kHz或10 kHz时，一
V
= 100
输入参考电压噪声
0.1 Hz至10 Hz噪声
0.01 Hz至10 Hz的噪声
F = 1千赫
到0.1％ ，R
L
= 10 kΩ的，A
V
= 50,
V
OUT
= 2.5 V
PP
步骤，持续时间= 50
μs
LMP2022中，f = 1千赫
i
n
t
r
CT
等效输入噪声电流
输入过载恢复时间
相声
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4
LMP2021/LMP2022
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
表。
注2 ：
每MIL -STD- 883 ，方法3015.7人体模特。机器型号，每JESD22 - A115 -A 。感生电荷设备模型，每JESD22- C101-
C.
注3 ：
封装的功耗应得到遵守。
注4 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
, θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/ θJ
A
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 ：
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的设备，例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热，其中的条件下，
T
J
＆ GT ;吨
A
.
注6 ：
典型值是最标准的参数表征的时间。实际的典型值可以随时间变化，也取决于
上的应用和配置。典型的值不测试，不保证在运生产材料。
注7 ：
所有参数均通过测试，统计分析和设计的保证。
注8 ：
失调电压温度漂移是通过将在V的变化来确定
OS
在极端温度下的总的温度变化。
注9 ：
电磁干扰抑制比定义为EMIRR = 20log （V
R
F-高峰
/ΔV
OS
).
注10 ：
指定的数量是上升和下降的转换率的平均值和测量在90 ％至10％ 。
连接图
5引脚SOT- 23
8引脚SOIC （ LMP2021 ）
8引脚SOIC / MSOP （ LMP2022 ）
30014902
30014953
30014903
顶视图
顶视图
订购信息
包
5引脚SOT- 23
产品型号
LMP2021MF
LMP2021MFE
LMP2021MFX
LMP2021MA
8引脚SOIC
LMP2021MAX
LMP2022MA
LMP2022MAX
LMP2022MM
8引脚MSOP
LMP2022MME
LMP2022MMX
AV5A
LMP2021MA
LMP2022MA
AF5A
包装标志
传输介质
K为单位编带和卷轴
250台磁带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
250台磁带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
M08A
MF05A
NSC图纸
5
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