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LMH6559高速,闭环缓冲
2006年7月
LMH6559
高速,闭环缓冲
概述
该LMH6559是设计一种高速,闭环缓冲器
对于要求很高的频的处理应用
昆西信号。同时提供了一个小信号带宽
1750MHz至和4580V的超高转换率/ μs内
LMH6559消耗的静态电流仅为10毫安。总
谐波失真为100Ω的负载在20MHz是为-52dBc 。
该LMH6559在内部配置之一的环路增益。
输入电阻为200kΩ的输出电阻为1.2Ω ,但。
这些特性使LMH6559为一个理想的选择
的高频信号上的印刷电路的分布
板。 0.06 %的差分增益和相位规格
和0.02分别为3.58MHz的使LMH6559好
适合于视频信号的缓冲。
该设备制作在全国的高速VIP10
采用美国国家半导体的经过验证的高性能电路工艺
架构。
特点
n
n
n
n
n
n
n
闭环缓冲
1750MHz至小信号带宽
4580V / μs的转换速率
0.06 % / 0.02差分增益/相位
为-52dBc THD在20MHz
单电源供电( 3V分钟)
75毫安输出电流
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
视频转换和路由
测试点的驱动程序
高频有源滤波器
宽带DC钳位缓冲器
高速峰值检测器电路
传输系统
电信
测试设备和仪器
典型示意图
20064133
2006美国国家半导体公司
DS200641
www.national.com
LMH6559
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注2 )
人体模型
机器型号
输出短路持续时间
电源电压(V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
焊接信息
红外线或对流(20秒)。
235C
2000V
200V
(注3 ) (注4 )
13V
V
+
+0.8V, V
0.8V
波峰焊( 10秒)
存储温度范围
结温
260C
-65 ° C至+ 150°C
+150C
工作额定值
(注1 )
电源电压(V
+
- V
)
温度范围(注5,6)
封装热阻(注5,6)
8引脚SOIC
5引脚SOT23
172C/W
235C/W
3 - 10V
-40 ° C至+ 85°C
±
5V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= +5V, V
= 5V, V
O
= V
CM
= 0V和R
L
= 100Ω至0V 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
FPBW
DG
DP
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
全功率带宽( -3dB )
微分增益
微分相位
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
= 2V
PP
(+10dBm)
R
L
= 150Ω至0V ,
F = 3.58 MHz的
R
L
= 150Ω至0V ,
F = 3.58 MHz的
3.3V步骤( 20-80 % )
3.3V步骤
1V步骤
(注10 )
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
f
& GT ;
100kHz时, BW = 5MHz时,
V
O
= 350mVrms
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω至0V
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ至0V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
(注11 )
(注9 )
(注11 )
10
14
.97
.99
(注8)
典型值
(注7 )
1750
200
1050
0.06
0.02
最大
(注8)
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
频域响应
时间域响应
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
CP
SNR
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
1dB压缩点
信噪比
0.4
0.5
9
4
4580
58
53
52
5.7
+23
89
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
DBM
dB
失真和噪声性能
静电, DC性能
A
CL
小信号电压增益
.996
.998
3
23
3
3.6
20
25
V/V
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
www.national.com
2
LMH6559
±
5V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= +5V, V
= 5V, V
O
= V
CM
= 0V和R
L
= 100Ω至0V 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
输出电阻
电源抑制比
电源电流
条件
R
L
= 100Ω至0V , F = 100kHz的
R
L
= 100Ω至0V , F = 10MHz时
V
S
=
±
5V到V
S
=
±
5.25V
空载
48
44
(注8)
典型值
(注7 )
1.2
1.3
63
10
14
17
最大
(注8)
单位
dB
mA
符号
R
OUT
PSRR
I
S
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω至0V
R
L
=为2kΩ至0V
输出摆幅负
R
L
= 100Ω至0V
R
L
=为2kΩ至0V
I
SC
I
O
输出短路电流
线性输出电流
采购: V
IN
= +V
S
, V
O
= 0V
下沉: V
IN
= V
S
, V
O
= 0V
采购: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注9 )
下沉: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注9 )
50
43
50
43
3.20
3.18
3.55
3.54
200
1.7
3.45
3.65
3.45
3.65
83
83
74
74
mA
3.20
3.18
3.55
3.54
V
k
pF
V
mA
5V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
FPBW
DG
DP
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
全功率带宽( -3dB )
微分增益
微分相位
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
= 2V
PP
(+10dBm)
R
L
= 150Ω至V
+
/2,
F = 3.58 MHz的
R
L
= 150Ω至V
+
/2,
F = 3.58 MHz的
2.3V
PP
步骤( 20-80 % )
2.3V步骤
1V步骤
(注10 )
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
F = 1MHz的
3
(注8)
典型值
(注7 )
745
90
485
0.29
0.06
最大
(注8)
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
频域响应
时间域响应
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
0.6
0.9
9.6
3
2070
53
56
52
4.0
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
www.national.com
失真和噪声性能
LMH6559
5V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
1dB压缩点
信噪比
F = 10MHz时
f
& GT ;
100kHz时, BW = 5MHz时,
V
O
= 350mVrms
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω到V
+
/2
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
.97
.99
条件
(注8)
典型值
(注7 )
+7
92
最大
(注8)
单位
DBM
dB
符号
CP
SNR
静电, DC性能
A
CL
小信号电压增益
.996
.998
1.52
(注11 )
(注9 )
(注11 )
R
L
= 100Ω到V
+
/ 2 , F = 100kHz的
R
L
= 100Ω ,以V / 2 , F = 10MHz时
PSRR
I
S
电源抑制比
电源电流
V
S
= + 5V至V
S
= +5.5V,
V
IN
= V
S
/2
空载
48
44
+
V/V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
R
OUT
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
输出电阻
12
16
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
23
5
8
2.7
1.6
1.4
1.6
68
4.7
7
8.5
dB
mA
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω ,以V / 2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
输出摆幅负
R
L
= 100Ω到V
+
/2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
I
SC
I
O
输出短路电流
线性输出电流
采购: V
IN
= +V
S
, V
O
= V
+
/2
下沉: V
IN
= V
S
, V
O
= V
+
/2
采购: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注9 )
下沉: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注9 )
50
43
30
23
+
22
2.0
3.80
3.75
3.94
3.92
3.88
3.98
1.12
1.03
57
26
64
42
1.20
1.25
1.06
1.09
k
pF
V
V
mA
mA
3V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
(注8)
典型值
(注7 )
315
44
最大
(注8)
单位
兆赫
兆赫
频域响应
www.national.com
4
LMH6559
3V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
全功率带宽( -3dB )
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
1dB压缩点
信噪比
1V步骤
0.5V步骤
(注10 )
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
, F = 20MHz的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
f
& GT ;
100kHz时, BW = 5MHz时,
V
O
= 350mVrms
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω到V
+
/2
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
.97
.99
条件
V
O
= 1V
PP
(+4.5dBm)
1.0V步骤( 20-80 % )
(注8)
典型值
(注7 )
265
0.8
1.2
10
0
770
74
57
56
3.9
+4
92
最大
(注8)
单位
兆赫
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
DBM
dB
符号
FPBW
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
CP
SNR
时间域响应
失真和噪声性能
静电, DC性能
A
CL
小信号电压增益
.995
.998
1
(注11 )
(注9 )
(注11 )
R
L
= 100Ω到V
+
/ 2 , F = 100kHz的
R
L
= 100Ω ,以V / 2 , F = 10MHz时
PSRR
I
S
电源抑制比
电源电流
V
S
= + 3V至V
S
= +3.5V,
V
IN
= V
+
/2
空载
48
46
+
V/V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
R
OUT
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
输出电阻
7
9
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
3.5
3
3.5
1.5
0.46
1.8
2.3
68
2.4
3.5
4.5
dB
mA
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω ,以V / 2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
输出摆幅负
R
L
= 100Ω到V
+
/2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
I
SC
输出短路电流
采购: V
IN
= +V
S
, V
O
= V
+
/2
下沉: V
IN
= V
S
, V
O
= V
+
/2
+
23
2.3
2.02
1.95
2.12
2.02
2.07
2.17
.930
.830
32
15
.970
1.050
.880
.980
k
pF
V
V
mA
5
www.national.com
LMH6559高速,闭环缓冲
2003年4月
LMH6559
高速,闭环缓冲
概述
该LMH6559是设计一种高速,闭环缓冲器
对于要求很高的频的处理应用
昆西信号。同时提供了一个小信号带宽
1750MHz至和4580V的超高转换率/ μs内
LMH6559消耗的静态电流仅为10毫安。总
谐波失真为100Ω的负载在20MHz是为-52dBc 。
该LMH6559在内部配置之一的环路增益。
输入电阻为200kΩ的输出电阻为1.2Ω ,但。
这些特性使LMH6559为一个理想的选择
的高频信号上的印刷电路的分布
板。 0.06 %的差分增益和相位规格
和0.02分别为3.58MHz的使LMH6559好
适合于视频信号的缓冲。
该设备制作在全国的高速VIP10
采用美国国家半导体的经过验证的高性能电路工艺
架构。
特点
n
n
n
n
n
n
n
闭环缓冲
1750MHz至小信号带宽
4580V / μs的转换速率
0.06 % / 0.02差分增益/相位
为-52dBc THD在20MHz
单电源供电( 3V分钟)
75毫安输出电流
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
视频转换和路由
测试点的驱动程序
高频有源滤波器
宽带DC钳位缓冲器
高速峰值检测器电路
传输系统
电信
测试设备和仪器
典型示意图
20064133
2003美国国家半导体公司
DS200641
www.national.com
LMH6559
绝对最大额定值
(注1 )
波峰焊( 10秒)
存储温度范围
结温
260C
-65 ° C至+ 150°C
+150C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差
人体模型
机器型号
输出短路持续时间
电源电压(V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
焊接信息
红外线或对流(20秒)。
235C
2000V (注2)
200V (注3)
(注4 ) (注5 )
13V
V
+
+0.8V, V
0.8V
工作额定值
(注1 )
电源电压(V
+
- V
)
工作温度
范围(注6 ) (注7 )
8引脚SOIC
5引脚SOT23
3 - 10V
-40 ° C至+ 85°C
172C/W
235C/W
封装热阻(注6 ) (注7 )
±
5V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= +5V, V
= 5V, V
O
= V
CM
= 0V和R
L
= 100Ω至0V 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
FPBW
DG
DP
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
全功率带宽( -3dB )
微分增益
微分相位
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
= 2V
PP
(+10dBm)
R
L
= 150Ω至0V ;
F = 3.58 MHz的
R
L
= 150Ω至0V ;
F = 3.58 MHz的
3.3V步骤( 20-80 % )
3.3V步骤
1V步骤
(注11 )
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 5MHz的; V
O
= 1V
PP
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω至0V
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ至0V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
(注12 )
(注10 )
(注12 )
10
14
.97
.99
(注9 )
典型值
(注8)
1750
200
1050
0.06
0.02
最大
(注9 )
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
频域响应
时间域响应
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
CP
SNR
A
CL
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
1dB压缩点
信噪比
小信号电压增益
0.4
0.5
9
4
4580
58
53
52
2.8
+23
120
.996
.998
3
23
3
3.6
20
25
V/V
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
DBM
dB
失真和噪声性能
静电, DC性能
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
www.national.com
2
LMH6559
±
5V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= +5V, V
= 5V, V
O
= V
CM
= 0V和R
L
= 100Ω至0V 。
粗体
限制适用于极端温度。
参数
输出电阻
电源抑制比
电源电流
条件
R
L
= 100Ω至0V ; F = 100kHz的
R
L
= 100Ω至0V ; F = 10MHz时
V
S
=
±
5V到V
S
=
±
5.25V
空载
48
44
(注9 )
典型值
(注8)
1.2
1.3
63
10
14
17
最大
(注9 )
单位
dB
mA
符号
R
OUT
PSRR
I
S
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω至0V
R
L
=为2kΩ至0V
输出摆幅负
R
L
= 100Ω至0V
R
L
=为2kΩ至0V
I
SC
I
O
输出短路电流
线性输出电流
采购: V
IN
= +V
S
; V
O
= 0V
下沉: V
IN
= V
S
; V
O
= 0V
采购: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注10 )
下沉: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注10 )
50
43
50
43
3.20
3.18
3.55
3.54
200
1.7
3.45
3.65
3.45
3.65
83
83
74
74
mA
3.20
3.18
3.55
3.54
V
k
pF
V
mA
5V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
FPBW
DG
DP
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
全功率带宽( -3dB )
微分增益
微分相位
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
= 2V
PP
(+10dBm)
R
L
= 150Ω至V
+
/2;
F = 3.58 MHz的
R
L
= 150Ω至V
+
/2;
F = 3.58 MHz的
2.3V
PP
步骤( 20-80 % )
2.3V步骤
1V步骤
(注11 )
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
F = 1MHz的
3
(注9 )
典型值
(注8)
745
90
485
0.29
0.06
最大
(注9 )
单位
兆赫
兆赫
兆赫
%
频域响应
时间域响应
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
0.6
0.9
9.6
3
2070
53
56
52
2
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
www.national.com
失真和噪声性能
LMH6559
5V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
1dB压缩点
信噪比
小信号电压增益
F = 10MHz时
F = 5MHz的; V
O
= 1V
PP
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω到V
+
/2
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
.97
.99
条件
(注9 )
典型值
(注8)
+7
123
.996
.998
1.52
(注12 )
(注10 )
(注12 )
R
L
= 100Ω到V
+
/ 2; F = 100kHz的
R
L
= 100Ω ,以V / 2 ; F = 10MHz时
+
符号
CP
SNR
A
CL
最大
(注9 )
单位
DBM
dB
静电, DC性能
V/V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
R
OUT
PSRR
I
S
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
输出电阻
电源抑制比
电源电流
12
16
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
23
5
8
2.7
1.6
1.4
1.6
48
44
68
4.7
7
8.5
dB
mA
V
S
= + 5V至V
S
= +5.5V;
V
IN
= V
S
/2
空载
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω ,以V / 2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
输出摆幅负
R
L
= 100Ω到V
+
/2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
I
SC
I
O
输出短路电流
线性输出电流
采购: V
IN
= +V
S
; V
O
= V
+
/2
下沉: V
IN
= V
S
; V
O
= V /2
采购: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注10 )
下沉: V
IN
- V
O
= 0.5V
(注10 )
50
43
30
23
+
+
22
2.0
3.80
3.75
3.94
3.92
3.88
3.98
1.12
1.03
57
26
64
42
1.20
1.25
1.06
1.09
k
pF
V
V
mA
mA
3V电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SSBW
GFN
FPBW
参数
小信号带宽
增益平坦度
& LT ;
0.1dB
全功率带宽( -3dB )
条件
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
& LT ;
0.5V
PP
V
O
= 1V
PP
(+4.5dBm)
(注9 )
典型值
(注8)
315
44
265
最大
(注9 )
单位
兆赫
兆赫
兆赫
频域响应
www.national.com
4
LMH6559
3V电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 3V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2和R
L
= 100Ω到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
上升时间
下降时间
建立时间
±
0.1%
压摆率
2
nd
谐波失真
3
rd
符号
t
r
t
f
t
s
OS
SR
HD2
HD3
THD
e
n
CP
SNR
A
CL
条件
1.0V步骤( 20-80 % )
1V步骤
0.5V步骤
(注11 )
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
V
O
= 2V
PP
; F = 20MHz的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 5MHz的; V
O
= 1V
PP
V
O
= 100mV的
PP
R
L
= 100Ω到V
+
/2
V
O
= 100mV的
PP
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
(注9 )
典型值
(注8)
0.8
1.2
10
0
770
74
57
56
2
+4
124
最大
(注9 )
单位
ns
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dBc的
内华达州/
DBM
dB
时间域响应
失真和噪声性能
谐波失真
总谐波失真
输入参考电压噪声
1dB压缩点
信噪比
小信号电压增益
静电, DC性能
.97
.99
.995
.998
1
(注12 )
(注10 )
(注12 )
R
L
= 100Ω到V
+
/ 2; F = 100kHz的
R
L
= 100Ω到V
+
/ 2; F = 10MHz时
PSRR
I
S
电源抑制比
电源电流
V
S
= + 3V至V
S
= +3.5V;
V
IN
= V
+
/2
空载
48
46
3
3.5
3.5
1.5
0.46
1.8
2.3
68
2.4
3.5
4.5
7
9
V/V
V
OS
TC V
OS
I
B
TC我
B
R
OUT
输入失调电压
温度系数输入
失调电压
输入偏置电流
温度系数输入
偏置电流
输出电阻
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
dB
mA
其他性能
R
IN
C
IN
V
O
输入阻抗
输入电容
输出摆幅正
R
L
= 100Ω ,以V / 2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
输出摆幅负
R
L
= 100Ω到V
+
/2
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
I
SC
输出短路电流
采购: V
IN
= +V
S
; V
O
= V
+
/2
下沉: V
IN
= V
S
; V
O
= V
+
/2
+
23
2.3
2.02
1.95
2.12
2.02
2.07
2.17
.930
.830
32
15
.970
1.050
.880
.980
k
pF
V
V
mA
5
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联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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联系人:李先生
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