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LMH6504宽带,低功耗,可变增益放大器
2004年6月
LMH6504
宽带,低功耗,可变增益放大器
概述
该LMH
6504是宽带直流耦合电压的转换
受控增益级后跟一个高速电流反馈
运算放大器可直接驱动低阻抗负载。收益
调整范围为80分贝到10兆赫,通过改变
增益控制输入电压,V
G
.
最大增益由外部元件设置,并且增益
可以减小一路切断。功率消耗是
110毫瓦的150 MHz的速度和增益控制频带 -
宽度为150兆赫(BW) 。输出称为DC偏移电压是
小于55毫伏,在整个增益控制电压范围。
设备到设备的增益匹配距离
±
0.42分贝在马克西 -
妈妈增益。此外,增益经过测试,保证在
范围广。输出电流反馈运算放大器允许
高频大信号(转换率
& GT ;
1500 V / μs)内,并
还可以驱动一个负载电流(60 mA)的。近乎理想的输入
特性(即低输入偏置电流,低失调,低引脚
3电阻)使该器件可以很容易地配置为
反相放大器以及(参见应用信息节
化的细节) 。
与单电源工作时提供了易用性,
V
G
范围被设定为从0V到+ 2V相对于地面
销势( 4脚) 。 V
G
输入阻抗是高的,以
缓解驱动要求。在单电源供电时,
接地引脚连接到一个"virtual"一半的供应。
LMH6504增益控制是线性的,以dB为的很大一部分
总增益控制范围。这使得该设备适合于
AGC应用。对于线性增益控制的应用程序,请参见
LMH6503的数据表。
最少的外部元件和小组合
外形封装( SO8和MSOP8 )允许LMH6504到
在空间受限的应用中使用。
特点
V
S
=
±
5V ,T
A
= 25 ° C,R
F
= 1千欧,R
G
= 100, R
L
= 100, A
V
= A
VMAX
= 9.7V / V ,典型值,除非指定。
n
-3 dB带宽
150兆赫
n
增益控制体重
150兆赫
& LT ;
10兆赫)
n
调整范围(
80分贝
±
55毫伏
n
输出失调电压
±
0.42分贝
n
增益匹配(限)
n
电源电压范围
7V至12V
n
压摆率(反相)
1500 V / μs的
n
电源电流(无负载)
11毫安
±
60毫安
n
线性输出电流
±
2.2V
n
输出电压摆幅
n
输入噪声电压
4.4纳伏/
n
输入噪声电流
2.6 PA /
n
总谐波失真( 20兆赫,R
L
= 100, V
O
= 2 V
PP
)
45dBc
n
替代CLC5523
应用
n
n
n
n
可变衰减器
AGC
压控滤波器
视频图像处理
典型用途
20084302
A
VMAX
= 9.7 V/V
20084311
增益与V
G
LMH
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS200843
www.national.com
LMH6504
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注4 ) :
人体
机器型号
输入电流
输出电流
电源电压(V
+
- V
)
电压输入/输出引脚
存储温度范围
1000V
100V
结温
焊接方式:
红外线或对流( 20秒)
波峰焊( 10秒)
150C
235C
260C
工作额定值
(注1 )
电源电压(V
+
- V
)
工作温度范围
热阻:
8 -pin SOIC
8引脚MSOP
JC
)
60
65
7V至12V
-40 ° C至+ 85°C
JA
)
165
235
±
10毫安
120毫安(注3 )
12.6V
V
+
+0.8V, V
0.8V
-65_C到150_C
电气特性
(注2 )
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.7 V / V ,R
F
= 1kΩ的,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
BW
GF
参数
-3dB带宽
增益平坦度
条件
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
V
OUT
& LT ;
4 V
PP
, A
VMAX
= 100
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
0.9V
V
G
2V,
±
0.2分贝
(注6 )
典型值
(注6 )
150
58
40
26
9.5
150
53
80
73
2.1
20
4V步骤,非反相
4V步骤,反相
失真&噪声性能
HD2
HD3
THD
恩TOT
I
N
DG
DP
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
总等效输入噪声
输入噪声电流
微分增益
微分相位
f
& GT ;
1 MHz时,R
来源
= 50
f
& GT ;
1兆赫
F = 4.43兆赫,R
L
= 100
2V
PP
, 20兆赫
47
–55
45
4.4
2.6
0.45
0.13
内华达州/
PA /
%
dBc的
800
1500
最大
(注6 )
单位
频域响应
兆赫
兆赫
ATT范围平带(相对于最大增益)
衰减范围(注13 )
BW
控制
CT ( dB)的
GR
增益控制带宽
馈通
增益调整范围
±
0.2分贝平坦度,女
& LT ;
30兆赫
±
0.1 dB平坦度,女
& LT ;
30兆赫
V
G
= 1V (注12 )
V
G
= 0V , 30兆赫
(输入/输出)
f
& LT ;
10兆赫
f
& LT ;
30兆赫
dB
兆赫
dB
dB
时间域响应
t
r
, t
f
OS %
SR
上升和下降时间
压摆率(注5 )
0.5V步骤
ns
%
V / μs的
www.national.com
2
LMH6504
电气特性
(注2 )
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.7 V / V ,R
F
= 1kΩ的,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
增益精度
(参见应用笔记)
增益匹配
(参见应用笔记
增益乘数
(参见应用笔记)
输入电压范围
R
G
开放
R
G
= 100
R
G
当前
偏置电流
偏置电流漂移
输入阻抗
输入电容
V
G
偏置电流
V
G
偏置漂移
V
G
输入阻抗
V
G
输入电容
输出电压范围
3脚
引脚2 (注7 )
引脚2 (注8)
销2
销2
引脚1 ,V
G
= 2V (注7 )
引脚1 (注8)
销1
销1
R
L
= 100
R
L
=打开
输出阻抗
输出电流
输出失调电压
+电源抑制比
(注9 )
- 电源抑制比
(注9 )
电源电流
DC
V
OUT
=
±
4V从滑轨
0V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
空载
–65
–65
8.5
6.5
条件
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
0.920
0.916
(注6 )
典型值
(注6 )
0
最大
(注6 )
单位
符号
GACCU
摹比赛
K
V
IN
NL
V
IN
L
I
RG_MAX
DC &其他性能
±
0.33
0.965
±
0.45
±
3.9
±
0.42
+2.8/4.2
1.01
1.02
dB
dB
V/V
±
0.48
±
0.40
±
4.8
±
4.0
±
3.2
±
0.68
±
6.8
1.4
–190
7
2.8
0.9
10
25
2.8
3.5
3.7
V
mA
I
BIAS
TC我
BIAS
R
IN
C
IN
I
VG
TC我
VG
R
C
VG
VG
A
PA / ℃,
M
pF
A
PA / ℃,
M
pF
V
V
OUT
L
V
OUT
NL
R
OUT
I
OUT
V
O
OFFSET
±
2.0
±
1.7
±
2.2
±
3.1
0.12
mA
±
60
±
40
±
80
±
10
–76
–88
11
15
16
±
55
±
70
mV
dB
+ PSRR
-PSRR
I
S
dB
mA
3
www.national.com
LMH6504
电气特性
(注2 )
(续)
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为了保证规格,请参阅电气特性。
注2 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注3 :
最大输出电流(I
OUT
)是由指定的设备的功耗限制或价值,以较低者为准确定。
注4 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号, 0Ω串联200 pF的
注5 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。粗体数字指的是在整个温度范围的限制。
注7 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注8 :
漂移除以在极端温度参数分布的变化由总温度变化来确定。
注9 :
+ PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
+
| / A
V
] , -PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
| / A
V
]与0.1V的输入电压。
V
OUT
是在输出电压的变化与偏置移
减去。
注10 :
增益/相位归一化在25℃下的低频率值。
注11 :
增益/相位归各设定较低的频率值。
注12 :
增益控制频率响应示意图:
20084316
注13 :
平带衰减(相对于最大增益)范围定义:指定为衰减范围从最大允许的增益平坦度规定
(任
±
0.2分贝或
±
0.1分贝) ,相对于A
VMAX
获得。例如,适用于f
& LT ;
30兆赫,这里是平带衰减范围:
±
0.2分贝19.7 dB下降到-6.3分贝= 26 dB范围
±
0.1分贝19.7 dB下降到10.2分贝= 9.5 dB范围
接线图
8引脚SOIC
20084301
顶视图
订购信息
8引脚SOIC
产品型号
LMH6504MA
LMH6504MAX
8引脚MSOP
LMH6504MM
LMH6504MMX
A93A
包装标志
LMH6504MA
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
NSC图纸
M08A
www.national.com
4
LMH6504
典型性能特性
除非另有规定: V
S
=
±
5V ,T
A
= 25C,
V
G
= V
GMAX
, R
F
= 1千欧,R
G
= 100, V
IN
= 0.1V ,输入端接50Ω 。
L
= 100Ω ,典型值。
频率响应过温
频率响应为各种V
G
20084303
20084304
频率响应(A
VMAX
= 2)
反相频率响应
20084346
20084344
频率响应为各种V
G
(A
VMAX
= 100)
(大信号)
频率响应为各种幅度
20084345
20084364
5
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LMH6504宽带,低功耗,可变增益放大器
2004年6月
LMH6504
宽带,低功耗,可变增益放大器
概述
该LMH
6504是宽带直流耦合电压的转换
受控增益级后跟一个高速电流反馈
运算放大器可直接驱动低阻抗负载。收益
调整范围为80分贝到10兆赫,通过改变
增益控制输入电压,V
G
.
最大增益由外部元件设置,并且增益
可以减小一路切断。功率消耗是
110毫瓦的150 MHz的速度和增益控制频带 -
宽度为150兆赫(BW) 。输出称为DC偏移电压是
小于55毫伏,在整个增益控制电压范围。
设备到设备的增益匹配距离
±
0.42分贝在马克西 -
妈妈增益。此外,增益经过测试,保证在
范围广。输出电流反馈运算放大器允许
高频大信号(转换率
& GT ;
1500 V / μs)内,并
还可以驱动一个负载电流(60 mA)的。近乎理想的输入
特性(即低输入偏置电流,低失调,低引脚
3电阻)使该器件可以很容易地配置为
反相放大器以及(参见应用信息节
化的细节) 。
与单电源工作时提供了易用性,
V
G
范围被设定为从0V到+ 2V相对于地面
销势( 4脚) 。 V
G
输入阻抗是高的,以
缓解驱动要求。在单电源供电时,
接地引脚连接到一个"virtual"一半的供应。
LMH6504增益控制是线性的,以dB为的很大一部分
总增益控制范围。这使得该设备适合于
AGC应用。对于线性增益控制的应用程序,请参见
LMH6503的数据表。
最少的外部元件和小组合
外形封装( SO8和MSOP8 )允许LMH6504到
在空间受限的应用中使用。
特点
V
S
=
±
5V ,T
A
= 25 ° C,R
F
= 1千欧,R
G
= 100, R
L
= 100, A
V
= A
VMAX
= 9.7V / V ,典型值,除非指定。
n
-3 dB带宽
150兆赫
n
增益控制体重
150兆赫
& LT ;
10兆赫)
n
调整范围(
80分贝
±
55毫伏
n
输出失调电压
±
0.42分贝
n
增益匹配(限)
n
电源电压范围
7V至12V
n
压摆率(反相)
1500 V / μs的
n
电源电流(无负载)
11毫安
±
60毫安
n
线性输出电流
±
2.2V
n
输出电压摆幅
n
输入噪声电压
4.4纳伏/
n
输入噪声电流
2.6 PA /
n
总谐波失真( 20兆赫,R
L
= 100, V
O
= 2 V
PP
)
45dBc
n
替代CLC5523
应用
n
n
n
n
可变衰减器
AGC
压控滤波器
视频图像处理
典型用途
20084302
A
VMAX
= 9.7 V/V
20084311
增益与V
G
LMH
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS200843
www.national.com
LMH6504
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差(注4 ) :
人体
机器型号
输入电流
输出电流
电源电压(V
+
- V
)
电压输入/输出引脚
存储温度范围
1000V
100V
结温
焊接方式:
红外线或对流( 20秒)
波峰焊( 10秒)
150C
235C
260C
工作额定值
(注1 )
电源电压(V
+
- V
)
工作温度范围
热阻:
8 -pin SOIC
8引脚MSOP
JC
)
60
65
7V至12V
-40 ° C至+ 85°C
JA
)
165
235
±
10毫安
120毫安(注3 )
12.6V
V
+
+0.8V, V
0.8V
-65_C到150_C
电气特性
(注2 )
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.7 V / V ,R
F
= 1kΩ的,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
BW
GF
参数
-3dB带宽
增益平坦度
条件
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
V
OUT
& LT ;
4 V
PP
, A
VMAX
= 100
V
OUT
& LT ;
1 V
PP
0.9V
V
G
2V,
±
0.2分贝
(注6 )
典型值
(注6 )
150
58
40
26
9.5
150
53
80
73
2.1
20
4V步骤,非反相
4V步骤,反相
失真&噪声性能
HD2
HD3
THD
恩TOT
I
N
DG
DP
2
nd
谐波失真
3
rd
谐波失真
总谐波失真
总等效输入噪声
输入噪声电流
微分增益
微分相位
f
& GT ;
1 MHz时,R
来源
= 50
f
& GT ;
1兆赫
F = 4.43兆赫,R
L
= 100
2V
PP
, 20兆赫
47
–55
45
4.4
2.6
0.45
0.13
内华达州/
PA /
%
dBc的
800
1500
最大
(注6 )
单位
频域响应
兆赫
兆赫
ATT范围平带(相对于最大增益)
衰减范围(注13 )
BW
控制
CT ( dB)的
GR
增益控制带宽
馈通
增益调整范围
±
0.2分贝平坦度,女
& LT ;
30兆赫
±
0.1 dB平坦度,女
& LT ;
30兆赫
V
G
= 1V (注12 )
V
G
= 0V , 30兆赫
(输入/输出)
f
& LT ;
10兆赫
f
& LT ;
30兆赫
dB
兆赫
dB
dB
时间域响应
t
r
, t
f
OS %
SR
上升和下降时间
压摆率(注5 )
0.5V步骤
ns
%
V / μs的
www.national.com
2
LMH6504
电气特性
(注2 )
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
S
=
±
5V ,A
VMAX
= 9.7 V / V ,R
F
= 1kΩ的,R
G
= 100, V
IN
=
±
0.1V ,R
L
= 100, V
G
= +2V.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
增益精度
(参见应用笔记)
增益匹配
(参见应用笔记
增益乘数
(参见应用笔记)
输入电压范围
R
G
开放
R
G
= 100
R
G
当前
偏置电流
偏置电流漂移
输入阻抗
输入电容
V
G
偏置电流
V
G
偏置漂移
V
G
输入阻抗
V
G
输入电容
输出电压范围
3脚
引脚2 (注7 )
引脚2 (注8)
销2
销2
引脚1 ,V
G
= 2V (注7 )
引脚1 (注8)
销1
销1
R
L
= 100
R
L
=打开
输出阻抗
输出电流
输出失调电压
+电源抑制比
(注9 )
- 电源抑制比
(注9 )
电源电流
DC
V
OUT
=
±
4V从滑轨
0V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
折合到输入端, 1V的变化,
V
G
= 2.2V
空载
–65
–65
8.5
6.5
条件
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
V
G
= 2.0V
0.8V
& LT ;
V
G
& LT ;
2V
0.920
0.916
(注6 )
典型值
(注6 )
0
最大
(注6 )
单位
符号
GACCU
摹比赛
K
V
IN
NL
V
IN
L
I
RG_MAX
DC &其他性能
±
0.33
0.965
±
0.45
±
3.9
±
0.42
+2.8/4.2
1.01
1.02
dB
dB
V/V
±
0.48
±
0.40
±
4.8
±
4.0
±
3.2
±
0.68
±
6.8
1.4
–190
7
2.8
0.9
10
25
2.8
3.5
3.7
V
mA
I
BIAS
TC我
BIAS
R
IN
C
IN
I
VG
TC我
VG
R
C
VG
VG
A
PA / ℃,
M
pF
A
PA / ℃,
M
pF
V
V
OUT
L
V
OUT
NL
R
OUT
I
OUT
V
O
OFFSET
±
2.0
±
1.7
±
2.2
±
3.1
0.12
mA
±
60
±
40
±
80
±
10
–76
–88
11
15
16
±
55
±
70
mV
dB
+ PSRR
-PSRR
I
S
dB
mA
3
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LMH6504
电气特性
(注2 )
(续)
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。为了保证规格,请参阅电气特性。
注2 :
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常有限的自热
的装置,例如那件T
J
= T
A
。的参数性能没有保证标明的表内自动加热,其中T的条件下,
J
& GT ;
T
A
.
注3 :
最大输出电流(I
OUT
)是由指定的设备的功耗限制或价值,以较低者为准确定。
注4 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。机器型号, 0Ω串联200 pF的
注5 :
摆率的上升和下降的转换率的平均水平。
注6 :
典型值代表最可能的参数指标。粗体数字指的是在整个温度范围的限制。
注7 :
正电流对应的电流流动到装置中。
注8 :
漂移除以在极端温度参数分布的变化由总温度变化来确定。
注9 :
+ PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
+
| / A
V
] , -PSRR定义: [ | ΔV
OUT
/V
| / A
V
]与0.1V的输入电压。
V
OUT
是在输出电压的变化与偏置移
减去。
注10 :
增益/相位归一化在25℃下的低频率值。
注11 :
增益/相位归各设定较低的频率值。
注12 :
增益控制频率响应示意图:
20084316
注13 :
平带衰减(相对于最大增益)范围定义:指定为衰减范围从最大允许的增益平坦度规定
(任
±
0.2分贝或
±
0.1分贝) ,相对于A
VMAX
获得。例如,适用于f
& LT ;
30兆赫,这里是平带衰减范围:
±
0.2分贝19.7 dB下降到-6.3分贝= 26 dB范围
±
0.1分贝19.7 dB下降到10.2分贝= 9.5 dB范围
接线图
8引脚SOIC
20084301
顶视图
订购信息
8引脚SOIC
产品型号
LMH6504MA
LMH6504MAX
8引脚MSOP
LMH6504MM
LMH6504MMX
A93A
包装标志
LMH6504MA
传输介质
95单位/铁
2.5K单位磁带和卷轴
K为单位编带和卷轴
3.5K单位磁带和卷轴
MUA08A
NSC图纸
M08A
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4
LMH6504
典型性能特性
除非另有规定: V
S
=
±
5V ,T
A
= 25C,
V
G
= V
GMAX
, R
F
= 1千欧,R
G
= 100, V
IN
= 0.1V ,输入端接50Ω 。
L
= 100Ω ,典型值。
频率响应过温
频率响应为各种V
G
20084303
20084304
频率响应(A
VMAX
= 2)
反相频率响应
20084346
20084344
频率响应为各种V
G
(A
VMAX
= 100)
(大信号)
频率响应为各种幅度
20084345
20084364
5
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NSC
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