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LMH2110产品简介
LMH2110
产品简介
2010年1月7日
8 GHz的对数均方根功率检波器与45分贝
动态范围
概述
该LMH2110是45分贝对数均方根功率检测器
特别适合用于模的精确功率测量
ulated RF信号表现出大的峰值 - 平均值比,
信号包络,即大的变化。这样的信号
在W-CDMA和LTE小区电话遇到。有效值
测量拓扑结构本身保证了调制IN-
灵敏的测量。
该装置具有一个RF频率范围从50MHz到8GHz条件。
它提供了一种准确,温度和电源不敏感,
这涉及线性RF输入功率的输出电压
dBm的。该LMH2110出色的一致性,以对数
响应通过使用斜率,使一个简单的集成IN-
tercept只,减少了校准工作显著。 DE-的
副工作在2.7V至5V单电源供电。该
LMH2110有一个射频功率检波范围从-40 dBm至
5 dBm的并且非常适合用于组合与二
rectional耦合器。可选地一个电阻分压器可用于
为好。
该装置是有源为EN =高,否则它处于低
功耗关断模式。为了降低功耗和预
发泄外部滤波电容的放电,输出
( OUT)为关断期间的高阻抗。
该LMH2110功率检测器提供的一个微小的6焊球MI-
croSMD包。
注意:
这个文件是不是一个数据表。欲了解更多IN-
本产品或订购样品形成
请联系您当地的美国国家半导体销售
办公室或访问http://www.national.com/support/dir.html 。
特点
对数的均方根响应
45分贝呈线性dB的功率检测范围
从50MHz至8GHz的多频带操作
对数一致性优于± 0.5分贝
高温度不敏感,± 0.25分贝
调制独立的回应, 0.08分贝
最小的斜率和截距变
关闭系统功能
宽电源电压范围为2.7V至5V
微小的6焊球的microSMD封装
应用
多模,多频段射频功率控制
GSM / EDGE
CDMA/CDMA2000
W-CDMA的
OFDMA
LTE
基础设施的RF功率控制
典型用途
30064804
2010美国国家半导体公司
300648
www.national.com
LMH2110
接线图
6焊球mircoSMD
30064805
顶视图
引脚说明
的microSMD
电源
A1
C1
B2
逻辑输入
C2
名字
V
DD
GND
GND
EN
正电源电压。
电源地。
电源地。可悬空的情况下接地是不可行的。
该设备启用了EN =高,而在关断模式下为EN =低。 EN应
<2.5V对于具有低我
EN
。对于EN >2.5V ,我
EN
略有增加,而设备仍然
功能性。绝对最大额定值为EN = 3.6V 。
RF输入信号检测器,内部端接50Ω 。
接地参考检测器的输出电压。
描述
模拟量输入
产量
B1
A2
RF
IN
OUT
订购信息
产品型号
LMH2110TM
LMH2110TMX
记号
P
传输介质
250台磁带和卷轴
3K单位磁带和卷轴
NSC图纸
状态
6焊球的microSMD
TMD06BBA
发布
www.national.com
2
LMH2110
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
6焊球的microSMD
NS包装数TMD06BBA
X1 = 0.840 ± 0.030毫米, X2 = 1.240 ± 0.030毫米, X3 = 0.600 ± 0.075毫米
3
www.national.com
LMH2110产品简介
笔记
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电压参考
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温度传感器
PLL / VCO
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www.national.com/lvds
www.national.com/power
www.national.com/switchers
www.national.com/ldo
www.national.com/led
www.national.com/vref
www.national.com/powerwise
WEBENCH工具
应用笔记
参考设计
样本
评估板
包装
符合绿色环保
经销商
质量和可靠性
反馈/支持
设计一点通
设计支持
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www.national.com/appnotes
www.national.com/refdesigns
www.national.com/samples
www.national.com/evalboards
www.national.com/packaging
www.national.com/quality/green
www.national.com/contacts
www.national.com/quality
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大学
串行数字接口(SDI ) www.national.com/sdi
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测试及其它质量控制的范围内,国家认为有必要支持中使用
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每个产品的参数并不一定进行。美国国家半导体公司没有责任提供
应用帮助或者购买者产品设计。购房者负责其产品及
应用程序中使用国家组成部分。在使用和分销包含任何产品
国家组成部分,客户应提供充分的设计,测试及操作安全保障。
除非在美国国家半导体的销售条款与该产品的条件,国家不承担任何
承担任何责任,民族不作任何明示或暗示的担保与销售有关的
和/或使用的国家赔偿责任或与适用于某一特定的担保
用途,适销性,或不侵犯任何专利,版权或其它知识产权的功能
对。
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统,而无需事先书面行政总裁及总批准
律师的美国国家半导体公司。
如本文所用:
生命支持设备或系统指:(a )打算通过外科手术移植到体内的设备,或(b )支持或维持生命,
其不履行时,按照标示中提供的使用说明正确使用,可以合理预期
以产生一个显著伤害使用者。关键部件是在生命支持设备或系统,其未履行任何组件
可以合理预期造成的生命支持设备或系统失效,或影响其安全性或有效性。
National Semiconductor和National Semiconductor标志均为注册美国国家半导体公司的注册商标。所有其他
品牌或产品名称可能是商标是其各自所有者的注册商标。
2010美国国家半导体公司
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美国国家半导体公司
美洲技术
支持中心
电子邮件: support@nsc.com
电话:1-800-272-9959
www.national.com
美国国家半导体欧洲
技术支持中心
电子邮件: europe.support@nsc.com
美国国家半导体亚太
亚太技术支持中心
电子邮件: ap.support@nsc.com
美国国家半导体日本
技术支持中心
电子邮件: jpn.feedback@nsc.com
LMH2110评估板
LMH2110评估板
美国国家半导体公司
应用笔记2014年
格里特德Wagt和Jaimy德科宁
2010年5月4日
概述
该评估板旨在帮助的评价
LMH2110 ,这是一个45分贝对数RMS功率检测器
特别适合用于模的精确功率测量
ulated RF信号表现出大的峰值 - 平均值比,
信号包络,即大的变化。这样的信号
在W-CDMA和LTE小区电话遇到。有效值
测量拓扑结构本身保证了调制IN-
灵敏的测量。
该装置具有一个RF频率范围从50MHz到8GHz条件。
它提供了一种准确,温度和电源不敏感,
这涉及线性RF输入功率的输出电压
dBm的。该LMH2110出色的一致性,以对数
响应通过使用斜率,使一个简单的集成IN-
tercept只,减少了校准工作显著。 DE-的
副工作在2.7V至5V单电源供电。该
LMH2110有一个射频功率检波范围从-40 dBm至
5 dBm的并且非常适合用于组合与二
rectional耦合器。可选地一个电阻分压器可用于
为好。
该装置是有源为EN =高,否则它处于低
功耗关断模式。为了降低功耗和预
发泄外部滤波电容的放电,输出
( OUT)为关断期间的高阻抗。
该LMH2110功率检测器提供的一个微小的6焊球MI-
croSMD包。
图1
显示LMH2110评估板。
30109716
图1 LMH2110评估板
基本操作
该电路的单电源形式2.7V至5V工作和
有一个射频功率检波范围从-40 dBm至5 dBm的。
该板由单一LMH2110连同外部
部件焊接在印刷电路板上。外部的支持
帘布层的电压和输入信号可被施加到板上
连接器。电源电压被施加与连接器
P21 (VDD)和P22 (GND)。 RF输入信号被施加
SMA连接器P1 。此射频信号通过一个射频施加
发电机和一个50ΩSMA电缆连接。 DE-的
tector可以输出通过BNC连接器P3进行测量。
AN-2014
2010美国国家半导体公司
301097
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AN-2014
CON组fi guration
该LMH2110评估板可通过跳线进行配置
设置。该设备被激活,当EN =高。这可以是
通过设置跳线J4至VDD或使用完成
在P4外部控制通过设置跳线J4为EN 。自
该器件具有2.5V的内部工作电压,该电压
在启用超过3V不应该是更高年龄层次
防止损坏器件。也使电压等级
低于400 mV的下面GND应防止。在这两种
情况下, ESD器件开始导通时,使能电压
年龄超出范围和过大的电流将被绘制。
为了保证正确的操作所形成的分压器
R2和R3是目前评估板上。绝对
最高收视率也超过了当使能( EN )是
切换到HIGH (从关机到主动模式) ,而
电源电压被关断。这种情况应该是预
排气在任何时候。一个解决方案,以保护设备是
1千欧的电阻器R1串联在使能输入端,以限制
电流。
各种跳线位置的电路板上的概述
在给定的
图2中。
这些跳线和设置自己的
功能列在
表1中。
30109710
图2跳线位置
表1.跳线和头概述
粗体跳线设置请参考出厂默认配置。
跨接器
J4
功能
启用
跨接器
位置
1–2
3–4
5-6
描述
主动,连接使能引脚连接到VDD
外部控制,连接使能引脚来启用P4
关机,连接使能引脚与GND
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AN-2014
测量设置
该LMH2110的性能可以与被测量
在显示设置
网络连接gure 3 。
30109712
图3.测量设置
外接电源提供2.7V的电压为5V
评估板。准确和稳定的RF信号Gen-
员被用于产生测试信号。建议
使用低损耗电缆,以确保可靠的测量数据。
所检测到的输出电压可以用一个数字来测量
电压表( DVM ) 。
图4
示出了输出电压与频率的关系为VAR-
欠条的功率电平上的RF
IN
。的频率范围是从10
MHz至10 GHz的。
图5
示出了输出电压与
RF输入功率为不同的频率。
30109709
图5.输出电压与RF输入功率
30109708
图4.输出电压与电源频率Freqency
3
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AN-2014
概要
30109705
图6.评估板电路图
物料清单
物料清单(BOM )条例草案的评价董事会给出了
表2中。
TP1
U1
测试点
μSMD
GND
LMH2110TM
材料表2.比尔
代号
C1, C2
C3, C4, C6
C5
C7
J4
P1
P21, P22
P3
P4
R1
R2, R3
R4
描述
0603电容器
0603电容器
0603电容器
0603电容器
标题
连接器
连接器
连接器
连接器
0603 Resisitor
0603电阻
0603 Resisitor
评论
10 nF的
10 pF的
1 pF的
10 F
2x3
SMA
香蕉
BNC
BNC
1 k
100 k
0
电路板布局
与任何其他射频设备,必须小心注意我的付出
在电路板布局。如果电路板布局设计不当,
性能可能小于可以预期,从而进行
折叠术。该LMH2110被设计在射频应用程序中使用
阳离子,具有50Ω的特性阻抗。对
实现这一点的阻抗,该LMH2110的输入需要
通过一个50Ω的传输线来连接。输电线路
可以使用微带或(接地) copla-多氯联苯创建
NAR波导( GCPW )配置。为了最小化
注射射频干扰到过的LMH2110
电源线, PCB走线的VDD和GND应
最小为RF信号。这可以通过将一个小进行
去耦VDD和GND之间的电容。它应该
被放置在尽可能靠近到的VDD和GND引脚
该LMH2110 。
图7
显示了LMH2110的组件位置
评估板和
图8
显示的电路板布局
LMH2110评估板。
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AN-2014
LMH2110评估板
30109711
评估板图7.组件位置
30109715
评估板图8.电路板布局
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