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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第397页 > LMF100ACN
LMF100高性能双开关电容滤波器
1999年7月
LMF100
高性能的双开关电容滤波器
概述
该LMF100包括两个独立的通用
高性能的开关电容滤波器。与外部
时钟和2至4个电阻器,各种二阶和
一阶滤波功能可以由每一个过滤器来实现
块。每块有3个输出。一个输出能配置
置的执行要么是全通,高通或陷波功能
化。另两个输出进行带通和低通
功能。每个滤波器级的中心频率被调谐
通过使用外部时钟或时钟并重新组合
体管率。到一个四阶双二次函数可以重新
alized与单个LMF100 。高阶滤波器imple-
通过简单的级联额外的软件包mented ,所有的
传统的过滤器(如巴特沃斯,贝塞尔,椭圆和
切比雪夫)就能够实现。
该LMF100制造在美国国家半导体的高
高性能模拟硅栅CMOS工艺,
LMCMOS
。这允许用于生产一个非常低的场外的
集,高频滤波器积木。该LMF100是
引脚兼容工业标准的MF10 ,但亲
志愿组织极大地提高性能。
特点
n
广4V至15V电源电压范围
n
操作高达100kHz
n
低失调电压:
通常
(50 :1或100 :1的模式): VOS1 =
±
5毫伏
VOS2 =
±
15毫伏
Vos3 =
±
15毫伏
n
低串扰为-60 dB
n
时钟中心频率精度比
±
典型的0.2 %
n
f
0
X Q范围高达1.8 MHz的
n
用MF10引脚兼容
4阶100 kHz的巴特沃斯低通滤波器
DS005645-3
DS005645-2
接线图
表面贴装和双列直插式封装
DS005645-18
顶视图
订单号
LMF100CCN或LMF100CIWM
见NS包装数N20A或M20B
LMCMOS
是美国国家半导体公司的商标。
1999美国国家半导体公司
DS005645
www.national.com
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
(注14 )
电源电压(V
+
V
)
电压的任何引脚
输入电流在任意引脚(注2 )
包输入电流(注2)
功率耗散(注3 )
储存温度
ESD Susceptability (注11 )
焊接信息
N包装: 10秒。
16V
V
+
+ 0.3V
V
0.3V
5毫安
20毫安
500毫瓦
150C
2000V
260C
包装: 10秒。
300C
SO封装:
气相( 60秒)
215C
红外(15秒)。
220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“ (附录D )的其它方法
焊接表面贴装器件。
工作额定值
(注1 )
温度范围
LMF100CCN
LMF100CIWM
电源电压
T
T
A
T
最大
0C
T
A
+70C
40C
T
A
+85C
4V
V
+
V
15V
电气特性
以下规格适用于模式1 , Q = 10 (R
1
= R
3
= 100K ,R
2
= 10K ) ,V
+
= + 5V和V
= -5V ,除非另有
指定的。
黑体字限额适用于对于T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
LMF100CCN
符号
参数
条件
典型
(注8)
9
0.1
100
5.0
3.5
V
Pin12
= 5V或0V
f
CLK
= 1兆赫
Q = 10 ,模式1
V
Pin12
= 5V或0V
f
CLK
= 1兆赫
f
CLK
= 1兆赫
R
1
= R
2
= 10k
f
CLK
250千赫
V
OS1
V
OS2
V
OS3
DC偏移电压(注5 )
DC偏移电压(注5 )
DC偏移电压(注5 )
串扰(注6 )
输出噪声(注12 )
f
CLK
250千赫
f
CLK
250千赫
f
CLK
250千赫
的一侧B面或
B面到A面
f
CLK
250千赫
20 kHz带宽
100 :1的模式
时钟馈通
(注13 )
V
OUT
最小输出
电压摆幅
N
BP
LP
S
A / B
= V
+
S
A / B
= V
经过测试
极限
(注9 )
13
设计
极限
(注10 )
13
典型
(注8)
9
0.1
100
5.0
3.5
LMF100CIWM
经过测试
极限
(注9 )
13
设计
极限
(注10 )
单位
I
s
f
0
f
CLK
f
CLK
/f
0
最大电源电流
中心频率
范围
时钟频率
范围
最大
最大
f
CLK
250千赫
无输入信号
mA
Hz
千赫
Hz
兆赫
时钟中心频率
比偏差
Q误差( MAX ) (注4 )
±
0.2
±
0.5
±
0.8
±
5
±
0.8
±
6
±
0.2
±
0.5
±
0.8
±
6
%
%
H
OBP
H
OLP
带通增益在f
0
DC增益低通
0
0
±
0.4
±
0.2
±
15
±
80
±
70
±
40
±
0.4
±
0.2
±
15
±
80
±
70
±
60
0
0
±
0.4
±
0.2
±
15
±
80
±
70
±
60
dB
dB
mV
mV
mV
mV
dB
±
5.0
±
30
±
15
±
15
60
40
320
300
6
+4.0
4.7
+3.9
4.6
5
20
±
5.0
±
30
±
15
±
15
60
40
320
300
6
V
mV
f
CLK
= 250千赫100 : 1模式
R
L
= 5k
(所有输出)
R
L
= 3.5k
(所有输出)
±
3.8
±
3.7
+4.0
4.7
+3.9
4.6
5
20
12
45
±
3.7
V
V
兆赫
V / μs的
mA
mA
GBW
SR
I
sc
运算放大器增益带宽产品
运算放大器的转换速率
最大输出
短路电流
(注7 )
来源
SINK
(所有输出)
12
45
www.national.com
2
电气特性
(续)
以下规格适用于模式1 , Q = 10 (R
1
= R
3
= 100K ,R
2
= 10K ) ,V
+
= + 5V和V
= -5V ,除非另有
指定的。
黑体字限额适用于对于T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
LMF100CCN
符号
参数
条件
典型
(注8)
经过测试
极限
(注9 )
10
设计
极限
(注10 )
典型
(注8)
LMF100CIWM
经过测试
极限
(注9 )
10
设计
极限
(注10 )
单位
I
IN
输入电流在引脚: 4 , 5 ,
6, 9, 10, 11, 12, 16, 17
A
电气特性
以下规格适用于模式1 , Q = 10 (R
1
= R
3
= 100K ,R
2
= 10K ) ,V
+
= + 2.50V和V
= -2.50V ,除非oth-
erwise规定。
黑体字限额适用于对于T
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
LMF100CCN
符号
参数
条件
典型
(注8)
经过测试
极限
(注9 )
12
设计
极限
(注
10)
12
典型
(注8)
LMF100CIWM
经过测试
极限
(注9 )
12
设计
极限
(注
10)
单位
I
s
f
0
f
CLK
f
CLK
/f
0
最大电源
当前
中心频率
范围
时钟频率
范围
时钟中心
频率比偏差
Q误差( MAX )
(注4 )
最大
最大
f
CLK
250千赫
无输入信号
8
0.1
50
5.0
1.5
8
0.1
50
5.0
1.5
mA
Hz
千赫
Hz
兆赫
V
Pin12
= 2.5V或0V
f
CLK
= 1兆赫
Q = 10 ,模式1
V
Pin12
= 5V或0V
f
CLK
= 1兆赫
f
CLK
= 1兆赫
R
1
= R
2
= 10k
f
CLK
250千赫
f
CLK
250千赫
f
CLK
250千赫
f
CLK
250千赫
的一侧B面或
B面到A面
f
CLK
250千赫
100 :1的模式
N
LP
S
A / B
= V
+
S
A / B
= V
±
0.2
±
1
±
1
±
0.2
±
1
%
±
0.5
0
0
±
5
±
0.4
±
0.2
±
15
±
60
±
50
±
25
±
8
±
0.5
±
0.2
±
15
±
60
±
60
±
30
±
0.5
0
0
±
8
±
0.5
±
0.2
±
15
±
60
±
60
±
30
%
dB
dB
mV
mV
mV
mV
dB
H
OBP
H
OLP
V
OS1
V
OS2
V
OS3
带通增益在f
0
DC增益低通
DC偏移电压(注5 )
DC偏移电压(注5 )
DC偏移电压(注5 )
串扰(注6 )
输出噪声(注12 )
±
5.0
±
20
±
10
±
10
65
25
250
220
2
+1.6
2.2
+1.5
2.1
5
18
±
5.0
±
20
±
10
±
10
65
25
250
220
2
20 kHz带宽BP
时钟馈通(注13 )
V
OUT
最小输出
电压摆幅
f
CLK
= 250千赫100 : 1模式
R
L
= 5k
(所有输出)
R
L
= 3.5k
(所有输出)
GBW
SR
I
sc
运算放大器增益带宽产品
运算放大器的转换速率
最大输出
短路
电流(注7 )
来源
SINK
(所有输出)
V
mV
±
1.5
±
1.4
+1.6
2.2
+1.5
2.1
5
18
10
20
±
1.4
V
V
兆赫
V / μs的
mA
mA
10
20
3
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逻辑输入特性
黑体字限额适用于对于T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25C.
LMF100CCN
参数
条件
典型
(注8)
经过测试
极限
(注9 )
CMOS时钟
输入电压
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
TTL时钟
输入电压
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
CMOS时钟
输入电压
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
TTL时钟
输入电压
最小的逻辑“1”的
MAX逻辑“0”的
V
+
= +5V, V
= 5V,
V
LSH
= 0V
V
+
= +10V, V
= 0V,
V
LSH
= +5V
V
+
= +5V, V
= 5V,
V
LSH
V
LSH
= 0V
= 0V
V
+
= +10V, V
= 0V,
V
+
= +2.5V, V
= 2.5V,
V
LSH
= 0V
V
+
= +5V, V
= 0V,
V
LSH
= +2.5V
V
+
= +5V, V
= 0V,
V
LSH
= 0V, V
D+
= 0V
+3.0
3.0
+8.0
+2.0
+2.0
+0.8
+2.0
+0.8
+1.5
1.5
+4.0
+1.0
+2.0
+0.8
设计
极限
(注10 )
+3.0
3.0
+8.0
+2.0
+2.0
+0.8
+2.0
+0.8
+1.5
1.5
+4.0
+1.0
+2.0
+0.8
典型
(注8)
LMF100CIWM
经过测试
极限
(注9 )
+3.0
3.0
+8.0
+2.0
+2.0
+0.8
+2.0
+0.8
+1.5
1.5
+4.0
+1.0
+2.0
+0.8
设计
极限
(注10 )
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
趋于正常。这些评级不保证特定的性能限制,但是。关于规范保证和测试环境,请参阅电气
的特点。保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备不OP-
所列出的测试条件下产生的。
注2 :
当输入电压(V
IN
)在任何引脚超过电源轨(V
IN
& LT ;
V
或V
IN
& GT ;
V
+
)电流在该销的绝对值应限制
到5 mA或更小。的电流在所有被驱动超过电源电压引脚的总和不应超过20毫安。
注3 :
最大功耗必须在高温下会减小,由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度,T
A
。最大
在任何温度下允许功耗为:P
D
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字,以较低者为准。对于这个装置,
T
JMAX
= 125℃, LMF100CIN的电路板安装时的典型结到环境的热阻为55℃ / W 。为LMF100CIWM这个数目是
66C/W.
注4 :
Q值的精度是中心频率的函数(f
0
) 。这一点在曲线标题下的“典型Peformance特性” 。
注5 :
V
os1
, V
os2
和V
os3
是指在应用信息3.4节中讨论的内部偏移。
注6 :
内部过滤器部分之间的串扰,通过施加1伏测
RMS
10 kHz的信号,一个带通滤波器的输入部分和接地输入
其他的带通滤波器部的。串扰是接地的滤波器部分的输出和1伏之间的比率
RMS
另一部分的输入信号。
注7 :
短路的电流时,迫使被测试到它的最大的正电压摆动的输出,然后放空该输出测量
到负电源。短路水槽电流通过迫使被测试到其最大的负电压摆动的输出,然后短路测
该输出与正电源。这些是最坏的情况。
注8 :
标准被定在25℃,代表最可能的参数指标。
注9 :
测试的范围,保证国家的AOQL (平均出厂质量水平) 。
注10 :
设计极限,保证国家的AOQL (平均出厂质量水平),但不是100 %测试。
注11 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注12 :
在50 : 1模式的输出噪声高3 dB 。
注13 :
在50 : 1的模式,时钟馈通高6 dB 。
注14 :
军事RETS规格可根据要求提供。
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4
典型性能特性
电源电流与
电源电压
电源电流与
温度
输出摆幅VS
电源电压
DS005645-40
DS005645-41
DS005645-42
正输出摆幅
与温度
负输出摆幅
与温度
正输出电压
摆动与负载电阻
DS005645-43
DS005645-44
DS005645-45
负输出电压
摆动与负载电阻
f
CLK
/f
0
比VS Q
f
CLK
/f
0
比VS Q
DS005645-47
DS005645-46
DS005645-48
f
CLK
/f
0
比VS F
CLK
f
CLK
/f
0
比VS F
CLK
f
CLK
/f
0
比VS F
CLK
DS005645-49
DS005645-50
DS005645-51
5
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    -
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    -
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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NS
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TI
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NS/国半
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LMF100ACN
NS
20+
9860
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