LMC660 CMOS四路运算放大器
1998年4月
LMC660
CMOS四路运算放大器
概述
该LMC660 CMOS四路运算放大器是理想的
操作采用单电源供电。它工作于+ 5V至+ 15V
并具有轨到轨输出摆幅，除了输入
共模范围包括地。性能
在过去一直困扰CMOS放大器的限制
不与本设计的问题。输入V
OS
，漂移和
宽带噪声和电压增益为现实的负载
（ 2 kΩ和600Ω ）都等于或大于广泛AC-好
cepted双极当量。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC662数据表的双CMOS运算
放大器，这些相同的功能。
n
n
n
n
n
n
n
超低输入偏置电流： 2次足总杯
输入共模范围包括V
工作范围从+ 5V到+ 15V供电
I
SS
= 375 μA /放大器;独立的V
+
低失真：在10 kHz 0.01 ％
压摆率： 1.1 V / μs的
可在扩展级温度范围（ -40℃至
+ 125°C ） ;非常适用于汽车应用
n
可用标准军事规格
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
高阻抗缓冲或前置放大器
高精度电流电压转换器
长期积分
采样和保持电路
峰值检波器
医疗器械
工业控制
汽车传感器
特点
n
n
n
n
n
轨到轨输出摆幅
指定为2 kΩ和600Ω负载
高电压增益： 126分贝
低输入失调电压： 3 mV的
低失调电压漂移： 1.3 μV /℃
接线图
14引脚DIP / SO
DS008767-1
1999美国国家半导体公司
DS008767
www.national.com
AC电气特性
参数
条件
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
＆ GT ;
1M除非另有规定。
典型值
（注4 ）
LMC660AMD
LMC660AMJ/883
极限
（注4,9 ）
总谐波失真
F = 10 kHz时，
A
V
= 10
R
L
= 2 k,
V
O
= 8 V
PP
V
+
= 15V
0.01
极限
（注4 ）
极限
（注4 ）
极限
（注4 ）
%
LMC660AI
LMC660C
LMC660E
单位
注1 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注2 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
D
= (T
J（下最大）
T
A
)/θ
JA
.
注3 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标。限制由测试或相关保证。
注5 ：
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注6 ：
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注7 ：
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 10 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注8 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注9 ：
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。在印刷时， LMC660AMJ / 883 RETS规格全面遵守的
粗体
在此列的限制。该LMC660AMJ / 883也可以购买到标准军用图纸规范。
注10 ：
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
注11 ：
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注12 ：
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
电源电流
与电源电压
失调电压
V
S
=
±
7.5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
输入偏置电流
DS008767-25
DS008767-24
DS008767-26
输出特性
电流吸收
输出特性
电流源
输入电压噪声
与频率
DS008767-27
DS008767-28
DS008767-29
5
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