LMC6572双路/四路LMC6574低电压（ 2.7V和3V ）运算放大器
1996年12月
LMC6572双核/四核LMC6574
低电压（ 2.7V和3V ）运算放大器
概述
低电压工作和低功耗，使该
LMC6574 / 2非常适用于电池供电系统。
3V放大器的性能是由2.7V担保支持
确保整个电池寿命操作。这些瓜拉尼
T形件也使模拟电路与来自同一操作
用于数字逻辑3.3V电源。
电池寿命最大化，因为每个放大器功耗
只有微瓦的功率。
该LMC6574 / 2不牺牲低电压功能
年龄操作。该LMC6574 / 2产生的120分贝
开环增益就像一个常规的放大器，但
LMC6574 / 2可从2.7V电源做到这一点。
这些放大器的设计与功能优化
低电压操作。输出电压摆幅轨到轨
最大化信噪比和动态信号范围。
的共模输入电压范围内延伸
800毫伏以下的地面正电源为100毫伏。
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
LMC6572也是MSOP封装，是AL-可用
一个SO-8器件的最多1/2的大小。
特点
（典型除非另有说明）
n
保证2.7V和3V的性能
n
轨到轨输出摆幅（在5毫伏的电源轨，
100千欧负载）
n
超低电源电流： 40 μA /放大器
n
低成本
n
超低输入电流： 20 fA的
n
高电压增益
@
V
S
= 2.7V ，R
L
= 100 kΩ的： 120分贝
n
指定为100 kΩ和5 kΩ的负载
n
采用MSOP封装
应用
n
n
n
n
n
n
传感器放大器
便携式或远程设备
电池供电仪器
数据采集系统
医疗器械
改善置换TLV2322和TLV2324
连接图
8引脚DIP / SO / MSOP
14引脚DIP / SO
DS011934-1
订单号LMC6572AIN ， LMC6572BIN ，
LMC6572AIM ， LMC6572BIM或LMC6572BIMM
见NS包装数N08E ， M08A或MUA08A
DS011934-2
订单号LMC6574AIN ， LMC6574BIN ，
LMC6574AIM或LMC6574BIM
见NS包装数N14A或M14A
1999美国国家半导体公司
DS011934
www.national.com
订购信息
包
8引脚DIP成型
8引脚小外形
8引脚SO迷你
14引脚DIP成型
14引脚小外形
温度范围
工业， -40 ° C至+ 85°C
LMC6572AIN ， LMC6572BIN
LMC6572AIM ， LMC6572BIM
LMC6572AIMX ， LMC6572BIMX
LMC6572BIMM
LMC6572BIMMX
LMC6574AIN ， LMC6574BIN
LMC6574AIM ， LMC6574BIM
LMC6574AIMX ， LMC6574BIMX
N14A
M14A
MUA08A
N08E
M08A
NSC图纸
运输
媒体
轨
轨
磁带和卷轴
轨
磁带和卷轴
轨
轨
磁带和卷轴
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2
2.7V AC电气特性
符号
参数
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25 ° C，V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
CM
= V
O
= V
+
/ 2和R
L
＆ GT ;
1 M.
Bold-
脸
限制适用于极端温度。
条件
典型值
（注5 ）
LMC6574AI
LMC6572AI
极限
（注6 ）
电流噪声
T.H.D.
总谐波失真
F = 10千赫，A
V
= 2
R
L
= 10 kΩ的，V
O
= 1.0 V
PP
0.05
%
LMC6574BI
LMC6572BI
极限
（注6 ）
单位
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但具体的性能无法得到保证。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
注2 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注3 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。
注4 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J（下最大）
T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 ：
V
+
= 3V, V
CM
= 1.5V和R
L
连接到1.5V 。对于采购的测试， 1.5V
≤
V
O
≤
2.5V 。对于下沉试验， 0.5V
≤
V
O
≤
1.5V.
注8 ：
接成电压跟随器具有1.0V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注9 ：
输入参考，V
+
= 3V和R
L
= 100 kΩ的连接到1.5V 。每安培兴奋依次用1千赫，以产生V
O
= 2 V
PP
.
典型性能特性
供应电流与
电源电压（双包）
输入电流与
温度
V
S
= + 3V ，T
A
= 25℃ ，除非另有说明
采购电流与
输出电压
DS011934-18
DS011934-19
DS011934-20
下沉电流与
输出电压
输出电压摆幅VS
电源电压
输入电压噪声VS
频率
DS011934-21
DS011934-22
DS011934-23
5
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