LMC6084精密CMOS四路运算放大器
1994年11月
LMC6084
精密CMOS四路运算放大器
概述
该LMC6084是一个精密四通道，低失调电压操作
tional放大器，能够单电源操作Perform-
ANCE特性包括超低输入偏置电流高
电压增益的轨到轨输出摆幅，共同输入
包括地面这些功能模电压范围
再加上它的低失调电压使LMC6084非常适合
精密电路应用
使用LMC6084其它应用包括精密全
波整流器集成商参考和采样和
保持电路
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺
对于更关键的电力需求设计看
LMC6064精密微功耗四运算放大器
对于单路或双路运算放大器与同类为特色的
Tures的看到LMC6081或LMC6082分别
专利申请
特点
（典型除非另有说明）
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
低失调电压
150
mV
运行时间从5V至15V单电源供电
超低输入偏置电流
10 fA的
输出摆幅范围内的电源轨100K的负载为20 mV
输入共模范围包括V
b
高电压增益
130分贝
提高免疫力闭锁
应用
Y
Y
Y
Y
Y
Y
仪表放大器器
光电二极管和红外探测器前置放大器
传感器放大器
医疗器械
D A转换器
电荷放大器的压电换能器
接线图
14引脚DIP SO
TL 11467 - 1
顶视图
订购信息
温度范围
包
14-Pin
模压DIP
14-Pin
小尺寸
军事
b
55 ℃
a
125 C
LMC6084AMN
产业
b
40℃
a
85 C
LMC6084AlN
LMC6084lN
LMC6084AlM
LMC6084lM
NSC
制图
N14A
M14A
运输
媒体
轨
轨
磁带和卷轴
对于MLL - STD- 883C合格产品，请联系您当地的国家
半导体销售办事处或经销商咨询具体可用性和规格
信息
C
1995年全国半导体公司
TL 11467
RRD - B30M75印制在U S A
AC电气特性
除非另有说明，保证对于T的所有限制
J
e
25 C
粗体
限制适用于极端温度V
a
e
5V
V
b
e
0V V
CM
e
1 5V V
O
e
2 5V和R
L
l
1M除非另有规定
符号
SR
GBW
w
m
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
安培到隔离放大器
e
n
i
n
THD
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
（注9 ）
F
e
1千赫
F
e
1千赫
F
e
10kHz的
V
E B
10
R
L
e
2的kX V
O
e
8 V
PP
g
5V电源
条件
（注8）
典型值
（注5 ）
15
13
50
140
22
0 0002
0 01
nV
pA
LMC6084AM
极限
（注6 ）
08
05
LMC6084AI
极限
（注6 ）
08
06
LMC6084I
极限
（注6 ）
08
06
单位
V
ms
民
兆赫
度
dB
S
Hz
S
Hz
%
注1
绝对最大额定值的界限，表明可能发生损坏器件的工作额定值表明该设备是条件
拟功能，但不保证特定的性能限制对于规范保证和测试环境，请参阅电气特性
保证规格仅适用于列出的测试条件
注2
既适用于单电源和分离电源操作连续在升高的环境温度下短路操作可导致超出
150 C输出电流超过最大允许结温
g
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性
注3
最大功耗为T的函数
J（下最大）
i
JA
和T
A
在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
e
(T
J（下最大）
b
T
A
)
i
JA
注4
人体模型1 5的kX串联100 pF的
注5
典型值代表最可能的参数指标
注6
所有参数均通过测试或统计分析保证
注7：
V
a
e
15V V
CM
e
7 5V和R
L
连接到7 5V的采购测试7 5V
s
V
O
s
11 5V下沉测试2 5V
s
V
O
s
7 5V
注8
V
a
e
15V接成电压跟随器指定的10V输入的步数是正面和负面的转换速率越慢
注9
输入参考V
a
e
15V和R
L
e
100的kX连接到7 5V每个放大器兴奋页转到1 kHz到生产V
O
e
12 V
PP
注10
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
i
JA
与P
D
e
(T
J
b
T
A
)
i
JA
所有号码申请
包直接焊接到印刷电路板
注11
不要输出连接到V
a
当V
a
大于13V或可靠性会受到不利影响
注12
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板包
4
LMC6084精密CMOS四路运算放大器
2000年8月
LMC6084
精密CMOS四路运算放大器
概述
该LMC6084是一个精密四通道，低失调电压操作
tional放大器，能够单电源操作。 Perfor-
曼斯特性包括超低输入偏置电流，
高电压增益，轨到轨输出摆幅，以及输入
共模电压范围内，其包括接地。这些
特点，再加上其低失调电压，使LMC6084
非常适合精密电路应用。
使用LMC6084其它应用包括精密全
波整流器，集成商，引用和采样和
保持电路。
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
对于更关键的电力需求的设计，看
LMC6064精密微功耗四运算放大器。
对于单路或双路运算放大器与同类为特色的
Tures的，请分别在LMC6081或LMC6082 。
专利申请
特点
（典型除非另有说明）
n
低失调电压： 150 μV
n
工作于4.5V至15V单电源供电
n
超低输入偏置电流： 10 fA的
n
输出摆幅范围内的供电轨20 mV时，负荷10万
n
输入共模范围包括V
n
高电压增益： 130分贝
n
提高免疫力闭锁
应用
n
n
n
n
n
n
仪表放大器器
光电二极管和红外探测器前置放大器
传感器放大器
医疗器械
D / A转换器
电荷放大器的压电换能器
连接图
14引脚DIP / SO
输入偏置电流
与温度
01146720
01146701
顶视图
2004美国国家半导体公司
DS011467
www.national.com
LMC6084
AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证对于T
J
= 25C,
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
＆ GT ;
1M除非另有规定。
典型值
符号
SR
GBW
φ
m
e
n
i
n
T.H.D.
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
总谐波失真
（注9 ）
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 10千赫，A
V
= 10
R
L
= 2 kΩ的，V
O
= 8 V
PP
0.01
%
条件
（注8）
（注5 ）
1.5
1.3
50
140
22
0.0002
LMC6084AM LMC6084AI LMC6084I
极限
（注6 ）
0.8
0.5
极限
（注6 ）
0.8
0.6
极限
（注6 ）
0.8
0.6
V / μs的
民
兆赫
度
dB
内华达州/
√
Hz
PA /
√
Hz
单位
±
5V电源
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
D
= (T
J（下最大）
T
A
) /θ
JA
.
注4 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 ：
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 ：
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注9 ：
输入参考V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到7.5V 。每个放大器激动页转到1 kHz到生产V
O
= 12 V
PP
.
注10 ：
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
。所有号码申请
包直接焊接到印刷电路板。
注11 ：
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性会受到不利影响。
注12 ：
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
www.national.com
4
QQ：2880707522 复制
