LMC6044 CMOS四路微功耗运算放大器
1994年11月
LMC6044
CMOS四路微功耗运算放大器
概述
超低功耗和低输入漏电流
是LMC6044的标志。提供输入电流
只有2 fA的典型的LMC6044可以从一个单一的操作
供应,具有延伸至每个电源轨输出摆幅,以及
的输入电压范围,其包括接地。
该LMC6044非常适用于需要超低系统中使用
功耗。此外,该不敏感闩锁,
高输出驱动器,输出摆幅地面无要求还
荷兰国际集团外部下拉电阻,使其非常适用于
单电源电池供电的系统。
为LMC6044其它应用包括条形码阅读器
放大器,电场和磁场检测器,和
手持式静电计。
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
见LMC6041为一个单一的,并且所述LMC6042用于双
放大器与这些功能。
特点
n
n
n
n
n
低电源电流: 10 μA /放大器(典型值)
4.5V至15.5V单电源供电
超低输入电流: 2 FA(典型值)
轨到轨输出摆幅
输入共模范围包括地
应用
n
n
n
n
n
n
n
电池监测和功率调节
光电二极管和红外探测器前置放大器
基于硅传感器系统
手持式分析仪器
pH探头缓冲放大器
火灾和烟雾探测系统
电荷放大器的压电换能器
接线图
14引脚DIP / SO
DS011138-1
订购信息
温度
范围
包
14-Pin
小尺寸
14-Pin
模压DIP
产业
-40 ° C至+ 85°C
LMC6044AIM
LMC6044IM
LMC6044AIN
LMC6044IN
N14A
M14A
轨
磁带和卷轴
轨
NSC
制图
运输
媒体
1999美国国家半导体公司
DS011138
www.national.com
AC电气特性
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
A
= T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
=
5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2,和R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
典型
符号
T.H.D.
参数
总谐波
失真
条件
F = 1千赫,A
V
= 5
R
L
= 100 kΩ的,V
O
= 2 V
pp
(注5 )
LMC6044AI
极限
(注6 )
0.01
LMC6044I
极限
(注6 )
%
单位
(限)
±
5V电源
注1 :
绝对最大额定值表明limts超越这可能会损坏设备。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
110℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注3 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
= (T
J(下最大)
T
A
)/θ
JA
.
注4 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注5 :
典型值代表最可能的参数指标。
注6 :
所有的限制都保证在室温下(标准型面),或在工作温度极限(粗体字体) 。
注7 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验, 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。中的正和负转换速率较慢的指定数量。
注9 :
输入参考V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用100赫兹以产生V
O
= 12 V
PP
.
注10 :
对于在升高的温度下操作,该设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
注11 :
所有的数字应用直接焊接到PC poard包。
注12 :
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
供应电流与
电源电压
V
S
=
±
7.5V ,T
A
= 25 ° C除非另有说明
输入偏置电流
与温度
失调电压VS
五温
代表单位
DS011138-19
DS011138-20
DS011138-21
输入偏置电流与
输入共模
电压
输入共模
电压范围VS
温度
输出特性
电流吸收
DS011138-22
DS011138-23
DS011138-24
www.national.com
4