LMC6042 CMOS双路微功耗运算放大器
1999年8月
LMC6042
CMOS双路微功耗运算放大器
概述
超低功耗和低输入漏电流
是LMC6042的标志。提供输入电流
只有2 fA的典型的LMC6042可以从一个单一的操作
供应，具有延伸至每个电源轨输出摆幅，以及
的输入电压范围，其包括接地。
该LMC6042非常适用于需要超低系统中使用
功耗。此外，该不敏感闩锁，
高输出驱动器，输出摆幅地面无要求还
荷兰国际集团外部下拉电阻，使其非常适用于
单电源电池供电的系统。
为LMC6042其它应用包括条形码阅读器
放大器，电场和磁场检测器，和
手持式静电计。
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC6041换单，并且LMC6044的四
放大器与这些功能。
特点
n
n
n
n
n
低电源电流： 10 μA /放大器（典型值）
工作于4.5V至15V单电源供电
超低输入电流： 2 FA（典型值）
轨到轨输出摆幅
输入共模范围包括地
应用
n
n
n
n
n
n
n
电池监测和功率调节
光电二极管和红外探测器前置放大器
基于硅传感器系统
手持式分析仪器
pH探头缓冲放大器
火灾和烟雾探测系统
电荷放大器的压电换能器
接线图
8引脚DIP / SO
DS011137-1
订购信息
温度
包
范围
产业
-40 ° C至+ 85°C
8-Pin
小尺寸
8-Pin
模压DIP
LMC6042AIM
LMC6042IM
LMC6042AIN
LMC6042IN
N08E
M08A
轨
磁带和卷轴
轨
NSC
制图
运输
媒体
1999美国国家半导体公司
DS011137
www.national.com
AC电气特性
（续）
除非另有说明，所有参数保证对于T
A
= T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
=
5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
＆ GT ;
1M除非另有规定。
典型值
符号
T.H.D.
参数
总谐波失真
条件
F = 1千赫，A
V
= 5
R
L
= 100 kΩ的，V
O
= 2 V
PP
（注5 ）
LMC6042AI
极限
（注6 ）
0.01
LMC6042I
极限
（注6 ）
%
单位
（限）
±
5V电源
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作条件指示该设备条件
拟功能，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
适用于单电源工作。在升高的环境温度下连续短路动作可以导致超过允许的最大
110℃的结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
D
= (T
J（下最大）
T
A
)/θ
JA
.
注4 ：
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有的限制都保证在室温下（标准型面），或在工作温度极限（粗体字体） 。
注7 ：
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 ：
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注9 ：
输入参考V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用100赫兹以产生V
O
= 12 V
PP
.
注10 ：
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
注11 ：
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注12 ：
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
供应电流与
电源电压
V
S
=
±
7.5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
输入偏置电流
与温度
失调电压VS
五温
代表单位
DS011137-19
DS011137-20
DS011137-21
输入偏置电流
与输入共模
电压
输入共模
电压范围
与温度
输出特性
电流吸收
DS011137-22
DS011137-23
DS011137-24
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4
LMC6042
www.ti.com
SNOS611E - 1999年8月 - 修订2013年3月
LMC6042 CMOS双路微功耗运算放大器
检查样品：
LMC6042
1
特点
低电源电流： 10
μA /放大器
（典型值）
工作于4.5V至15V单电源供电
超低输入电流： 2 FA（典型值）
轨到轨输出摆幅
输入共模范围包括地
描述
超低功耗和低输入漏
当前是LMC6042的标志。提供
只有2输入电流为fA典型的LMC6042可以
从单电源供电，具有输出摆幅
延伸到各供电线，以及输入电压
范围包括地面。
该LMC6042非常适合用在需要的系统
超低功耗。此外，该
不敏感闩锁，高输出驱动器，输出
荡到地面，而无需外部上拉下来
电阻使其理想用于单电源电池 -
供电系统。
为LMC6042其他应用包括条形码
读者放大器，电场和磁场的
探测器，手持式静电计。
该器件内置了TI先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC6041换单，并且LMC6044的
四通道放大器，具有这些功能。
2
应用
电池监测和功率调节
光电二极管和红外探测器前置放大器
基于硅传感器系统
手持式分析仪器
pH探头缓冲放大器
火灾和烟雾探测系统
电荷放大器的压电换能器
接线图
图1.采用8引脚PDIP / SOIC
图2.低功耗双运算放大器仪器放大器
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LMC6042
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
差分输入电压
电源电压（V
V )
输出短路到V
+
输出短路到V
+
(1) (2)
●电源电压
16V
SEE
SEE
(3)
(4)
引线温度（焊接， 10秒）
目前，在输入引脚
目前，在输出引脚
目前在电源引脚
功耗
存储温度范围
结温
ESD容差
(6)
(5)
260°C
± 5毫安
= 18毫安
35毫安
SEE
(5)
65°C
至+ 150°C
110°C
500V
(V
+
) + 0.3V, (V
)
0.3V
电压输入/输出引脚
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作条件表示为条件
该装置旨在是功能性的，但不保证特定性能极限。为保证规范和测试
条件，请参阅电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
适用于单电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
在110℃的最大允许结温。输出电流超过± 30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
T
A
)/θ
JA
.
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
工作额定值
温度范围
电源电压
功耗
热阻（ θ
JA
),
(2)
LMC6042AI ， LMC6042I
40°C ≤
T
J
≤
+85°C
4.5V
≤
V
+
≤
15.5V
SEE
(1)
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚CDIP
101°C/W
165°C/W
115°C/W
(1)
(2)
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
电气特性
除非另有说明，所有参数保证了对于T
A
= T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V,
V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1M ，除非另有规定。
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
R
IN
(1)
(2)
2
参数
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
0.002
0.001
>10
4
2
4
2
PA（最大）
PA（最大）
TeraΩ
条件
典型
(1)
1
1.3
LMC6042AI
极限
(2)
3
3.3
LMC6042I
极限
(2)
6
6.3
单位
（限）
mV
最大
μV/°C
典型值代表最可能的参数指标。
所有参数均在室温下（标准型面），或在工作温度极限（粗体字体）指定。
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电气特性（续）
除非另有说明，所有参数保证了对于T
A
= T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V,
V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1M ，除非另有规定。
符号
CMRR
+ PSRR
-PSRR
CMR
参数
共模
抑制比
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
输入共模
电压范围
条件
0V
≤
V
CM
≤
12.0V
V = 15V
5V
≤
V
≤
15V
V
O
= 2.5V
0V
≤
V
≤ 10V
V
O
= 2.5V
V = 5V和15V
对于CMRR
≥
50分贝
V
+
1.9V
A
V
大信号
电压增益
下沉
R
L
= 25 kΩ
(3)
+
+
+
+
典型
(1)
75
75
94
0.4
LMC6042AI
极限
68
66
68
66
84
83
0.1
0
V
+
2.3V
V
2.5V
400
300
180
120
200
160
100
60
4.970
4.950
0.030
0.050
4.920
4.870
0.080
0.130
14.920
14.880
0.030
0.050
14.900
14.850
0.100
0.150
16
10
16
8
15
10
24
8
(2)
LMC6042I
极限
62
60
62
60
74
73
0.1
0
V
+
2.3V
V
2.4V
300
200
90
70
100
80
50
40
4.940
4.910
0.060
0.090
4.870
4.820
0.130
0.180
14.880
14.820
0.060
0.090
14.850
14.800
0.150
0.200
13
8
13
8
15
10
21
8
+
(2)
单位
（限）
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
V
民
V
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
V
民
V
最大
mA
民
mA
民
mA
民
mA
民
R
L
= 100 kΩ
(3)
采购
1000
500
1000
250
4.987
0.004
采购
下沉
V
O
输出摆幅
V = 5V
R
L
= 100 kΩ到V
+
/2
+
V
+
= 5V
R
L
= 25 kΩ到V / 2
+
4.980
0.010
V = 15V
R
L
= 100 kΩ到V
+
/2
+
14.970
0.007
V = 15V
R
L
= 25 kΩ到V
+
/2
+
14.950
0.022
I
SC
输出电流
V = 5V
+
采购，V
O
= 0V
下沉，V
O
= 5V
22
21
40
39
I
SC
输出电流
V
+
= 15V
采购，V
O
= 0V
下沉，V
O
= 13V
(4)
(3)
(4)
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
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电气特性（续）
除非另有说明，所有参数保证了对于T
A
= T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V,
V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1M ，除非另有规定。
符号
I
S
参数
电源电流
条件
这两款放大器
V
O
= 1.5V
这两款放大器
V
+
= 15V
26
典型
(1)
20
LMC6042AI
极限
34
39
44
51
(2)
LMC6042I
极限
45
50
56
65
(2)
单位
（限）
μA
最大
μA
最大
AC电气特性
除非另有说明，所有参数保证了对于T
A
= T
J
= 25°C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V,
V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= V
+
/ 2和R
L
> 1M ，除非另有规定。
符号
SR
GBW
φ
m
e
n
i
n
T.H.D.
压摆率
增益带宽积
相位裕度
安培到隔离放大器
折合到输入端
电压噪声
折合到输入端
电流噪声
总谐波失真
SEE
(4)
参数
SEE
(3)
条件
典型值
(1)
0.02
100
60
115
83
LMC6042AI
极限
(2)
0.015
0.010
LMC6042I
极限
(2)
0.010
0.007
单位
（限）
V / μs的
民
千赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
=
5
R
L
= 100 kΩ的，V
O
= 2 V
PP
-5V电源
0.0002
0.01
%
(1)
(2)
(3)
(4)
典型值代表最可能的参数指标。
都保证在室温下（标准型面），或在工作温度极限（粗体字体）的所有限制。
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
输入参考V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用100赫兹以产生V
O
= 12 V
PP
.
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典型性能特性
V
S
= ± 7.5V ，T
A
= 25 ° C除非另有说明
供应电流与
电源电压
失调电压VS
五温
代表单位
网络连接gure 3 。
图4中。
输入偏置电流
与输入共模
电压
输入偏置电流
与温度
图5中。
输入偏置电流
电压范围
与温度
图6 。
输出特性
电流吸收
图7 。
网络连接gure 8 。
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