LMC6041 CMOS单路微功耗运算放大器
1995年2月
LMC6041
CMOS单微功耗运算放大器
概述
超低功耗和低输入漏电流
是LMC6041中提供了输入电流的特点
只有2 fA的典型的LMC6041可以从一个单一的操作
电源具有延伸至每个电源轨输出摆幅,
包括地面的输入电压范围
该LMC6041非常适用于需要超低系统中使用
功耗除了不敏感闩锁
不要求还高输出驱动器,输出摆幅地
荷兰国际集团外部下拉电阻,使其非常适用于单支持
层电池供电系统
为LMC6041其它应用包括条形码阅读器
放大器电场和磁场检测器和手工
手持式静电计
该设备是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺
看到LMC6042的双和LMC6044的四
放大器,这些功能
特点
Y
Y
Y
Y
Y
低电源电流
14
mA
(典型值)
从4 5V至15 V单电源供电
极低的输入电流
2 FA(典型值)
轨到轨输出摆幅
输入共模范围包括地
应用
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
电池监测和功率调节
光电二极管和红外探测器前置放大器
基于硅传感器系统
手持式分析仪器
pH探头缓冲放大器
火灾和烟雾探测系统
电荷放大器的压电换能器
接线图
8引脚DIP SO
TL 11136 - 1
订购信息
温度范围
包
8-Pin
小尺寸
8-Pin
模压DIP
产业
b
40℃
a
85 C
LMC6041AIM
LMC6041IM
LMC6041AIN
LM6041IN
NSC
制图
M08A
N08E
运输
媒体
轨
磁带和卷轴
轨
C
1995年全国半导体公司
TL 11136
RRD - B30M75印制在U S A
AC电气特性
除非另有说明,保证对于T的所有限制
A
e
T
J
e
25 C
粗体
限制适用于极端温度V
a
e
5V V
b
e
0V V
CM
e
1 5V V
O
e
V
a
2和R
L
l
1M除非另有规定
典型值
(注5 )
0 02
75
60
F
e
1千赫
F
e
1千赫
F
e
1kHz的
V
E B
5
R
L
e
100的kX V
O
e
2 V
pp
g
5V电源
83
0 0002
LMC6041AI
极限
(注6 )
0 015
0 010
LMC6041I
极限
(注6 )
0 010
0 007
单位
(限)
V
ms
民
千赫
度
nV
pA
符号
SR
GBW
w
m
e
n
i
n
THD
参数
压摆率
增益带宽积
相位裕度
折合到输入端
电压噪声
折合到输入端
电流噪声
总谐波
失真
条件
(注8)
S
Hz
S
Hz
%
0 01
注1
绝对最大信号等级指示超出其损坏设备的限制,可能会出现操作条件指示该装置的条件
拟功能,但不保证特定的性能限制对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性
保证规格仅适用于列出的测试条件
注2
既适用于单电源和分离电源操作连续在升高的环境温度下短路操作可导致超出
110 C输出电流超过最大允许结温
g
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性
注3
最大功耗为T的函数
J(下最大)
i
JA
和T
A
在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
e
(T
J(下最大)
b
T
A
)
i
JA
注4
人体模型1 5的kX串联100 pF的
注5
典型值代表最可能的参数指标
注6
所有参数都保证在室温(标准型面),或在操作温度极限
(粗体字体)
注7:
V
a
e
15V V
CM
e
7 5V和R
L
连接到7 5V的采购测试7 5V
s
V
O
s
11 5V下沉测试2 5V
s
V
O
s
7 5V
注8
V
a
e
15V接成电压跟随器的正,负摆率较慢指定10V阶跃输入号码
注9
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
i
JA
与P
D
e
(T
J
b
T
A
)
i
JA
注10
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板包
注11
不要输出连接到V
a
当V
a
大于13V或可靠性可能受到不利影响
4