LMC6035 / LMC6036低功率2.7V单电源CMOS运算放大器
2002年10月
LMC6035/LMC6036
低功率2.7V单电源CMOS运算
放大器器
概述
该LMC6035 / 6是一款经济型,低电压运算放大器钙
pable的轨到轨输出摆幅为600Ω的负载。
LMC6035是在一个芯片尺寸封装( 8焊球可用
微型SMD )采用美国国家半导体的micro SMD封装技
术。既支持单电源工作,并瓜拉尼
开球为2.7V , 3V , 5V和15V的电源电压。 2.7供应
电压相当于报废 - 电压( 0.9V /电池)为
三个镍镉或镍氢电池串联,使得
LMC6035 / 6非常适合用于便携式和可再充电系
TEMS 。它还具有在其试样一个很乖下降
fications在低于它的保证过2.7V OP-电源电压
累加器。这提供了一个“安乐窝”充足
工作在显著低于2.7V的电压。其超低
输入电流(I
IN
),使得它非常适合于低功耗工作
过滤应用,因为它允许使用较高的电阻
值和较低的电容值。此外,该驱动器
在LMC6035 / 6的功能使这些运算放大器广泛
范围的低电压系统的应用程序。
特点
(典型除非另有说明)
n
LMC6035的micro SMD封装
n
保证2.7V , 3V , 5V和15V的性能
n
指定为2 kΩ和600Ω负载
n
宽工作电压范围: 2.0V至15.5V
n
超低输入电流: 20fA
n
轨到轨输出摆幅
@
600Ω : 200mV的从任一轨2.7V
@
100kΩ的:为5mV来自两个电源轨2.7V
n
高电压增益: 126分贝
n
宽输入共模电压范围
-0.1V至2.3V的V
S
= 2.7V
n
低失真: 0.01在10kHz %
n
LMC6035双LMC6036四
n
见AN- 1112微型SMD考虑
应用
n
n
n
n
过滤器
高阻抗缓冲器或前置放大器
电池供电的电子产品
医疗器械
接线图
8焊球的microSMD
的microSMD连接表
凹凸号码
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
01283065
LM6035IBP
LMC6035IBPX
OUTPUT A
IN A
IN A
+
V
IN B
+
IN B
OUTPUT B
V
+
LMC6035ITL
LMC6035ITLX
OUTPUT B
V
+
OUTPUT A
IN A
IN A
+
V
IN B
+
IN B
顶视图
( BUMP面朝下)
A2
2002美国国家半导体公司
DS012830
www.national.com
LMC6035/LMC6036
AC电气特性
符号
参数
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
粗体
限制适用于极端温度。
条件
V
+
O
= 1.35V和R
L
& GT ;
1 M.
单位
典型值
(注5 )
= 10V
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
拟功能,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模型, 1.5kΩ的串联100pF的。
注3 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。输出电流超过为30mA以上长期可能产生不利影响的可靠性。
注4 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为
P
D
= (T
J(下最大)
T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板,没有空气流动的包。
注5 :
典型值代表最可能的参数指标或者一个西格玛值。
注6 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验, 3.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 :
不要短路输出到V
+
当V
+
大于13V或可靠性会受到不利影响。
注9 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注10 :
输入参考,V
+
= 15V和R
L
= 100kΩ的连接到7.5V 。每个放大器兴奋又与1kHz时产生V
O
= 12 V
PP
.
注11 :
通过设计保证。
www.national.com
4
LMC6035 / LMC6036低功率2.7V单电源CMOS运算放大器
2000年1月
LMC6035/LMC6036
低功率2.7V单电源CMOS运算
放大器器
概述
该LMC6035 / 6是一款经济型,低电压运算放大器钙
pable的轨到轨输出摆幅为600Ω的负载。
LMC6035是在一个芯片尺寸封装( 8焊球可MI-
CRO SMD )采用美国国家半导体的micro SMD封装技术。
既支持单电源工作,并保证
为2.7V , 3V , 5V和15V的电源电压。 2.7电源电压
年龄相当于报废 - 电压( 0.9V /电池)为
三个镍镉或镍氢电池串联,使得
LMC6035 / 6非常适合用于便携式和可再充电系
TEMS 。它还具有在其specifi-一个很乖下降
阳离子在低于它的保证过2.7V操作的电源电压
化。这提供了一个“安乐窝”有足够的操作
在显著低于2.7V的电压。其超低的输入电流
租金(我
IN
),使得它非常适合于低功耗有源滤波器AP-
褶皱,因为它允许使用较高的电阻值
和更低的电容值。此外,在驱动能力
在LMC6035 / 6给出了这些运算放大器广泛的应用程序
阳离子为低电压系统。
特点
(典型除非另有说明)
n
LMC6035的micro SMD封装
n
保证2.7V , 3V , 5V和15V的性能
n
指定为2 kΩ和600Ω负载
n
宽工作电压范围: 2.0V至15.5V
n
超低输入电流: 20 fA的
n
轨到轨输出摆幅
@
600Ω : 200毫伏来自两个电源轨2.7V
@
100 kΩ的: 5毫伏来自两个电源轨2.7V
n
高电压增益: 126分贝
n
宽输入共模电压范围
-0.1V至2.3V ,在VS = 2.7V
n
低失真:在10 kHz 0.01 %
应用
n
n
n
n
过滤器
高阻抗缓冲器或前置放大器
电池供电的电子产品
医疗器械
连接图
8引脚SO / MSOP
8焊球micro SMD
DS012830-1
顶视图
14引脚SO / TSSOP
顶视图
( BUMP面朝下)
DS012830-65
DS012830-2
顶视图
2000美国国家半导体公司
DS012830
www.national.com
LMC6035/LMC6036
AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
CM
= 1.0V, V
1 M.
粗体
限制适用于极端温度。
符号
SR
GBW
θ
m
G
m
e
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
(注10 )
F = 1千赫
V
CM
= 1V
F = 1千赫
F = 10千赫,A
V
= 10
R
L
= 2 kΩ的,V
O
= 8 V
PP
V
+
O
= 1.35V和R
L
& GT ;
单位
V / μs的
兆赫
dB
dB
参数
条件
(注9 )
V
+
= 15V
典型值
(注5 )
1.5
1.4
48
17
130
27
i
n
THD
输入参考噪声电流
总谐波失真
0.2
0.01
%
= 10V
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但具体的性能无法得到保证。对于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。
注2 :
人体模型, 1.5 kΩ的串联100 pF的。
注3 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度下连续短路操作可导致超出
150°C的最大允许结温。输出电流的过量为30 mA以上的长期可靠性很可能会产生不利影响。
注4 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
= (T
J(下最大)
T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板,没有空气流动的包。
注5 :
典型值代表最可能的参数指标或者一个西格玛值。
注6 :
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注7 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验, 3.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 :
不要短路输出到V
+
当V
+
大于13V或可靠性会受到不利影响。
注9 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注10 :
输入参考,V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到7.5V 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 12 V
PP
.
注11 :
通过设计保证。
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