LMC6022低功耗CMOS双路运算放大器
1994年11月
LMC6022
低功耗CMOS双路运算放大器
概述
该LMC6022是一个CMOS双运算放大器
可从单电源或双电源供电。其
性能特点包括输入共模范围
到达V
，低输入偏置电流，和电压增益（成
100k的和5kΩ的负载） ，其等于或大于广泛更好
接受双极当量，而电源再
quirement小于0.5毫瓦。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LMC6024数据表的CMOS四路运算
放大器，这些相同的功能。
n
n
n
n
n
n
超低输入偏置电流： 40 fA的
输入共模范围包括V
工作范围从+ 5V到+ 15V供电
低失真：在1 kHz 0.01 ％
压摆率： 0.11 V / μs的
微操作： 0.5毫瓦
应用
n
n
n
n
n
n
n
高阻抗缓冲或前置放大器
电流 - 电压转换器
长期积分
采样和保持电路
峰值检波器
医疗器械
工业控制
特点
n
指定为100 kΩ和5 kΩ的负载
n
高电压增益： 120分贝
n
低失调电压漂移： 2.5 μV /℃
接线图
8引脚DIP / SO
DS011236-1
顶视图
订购信息
温度范围
产业
40C
≤
T
J
≤
+85C
LMC6022IN
LMC6022IM
8-Pin
模压DIP
8-Pin
小尺寸
M08A
轨
磁带和卷轴
包
NSC
制图
N08E
运输
媒体
轨
1999美国国家半导体公司
DS011236
www.national.com
AC电气特性
以下规格适用于V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V ，且R
L
= 1M除非其他另有说明。
粗体
限制适用于极端温度;所有其他限制牛逼
J
= 25C.
LMC6022I
符号
SR
GBW
φ
M
G
M
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
（注9 ）
F = 1千赫
F = 1千赫
参数
条件
（注8）
典型
（注5 ）
0.11
0.35
50
17
130
42
0.0002
极限
（注6 ）
0.05
0.03
V / μs的
民
兆赫
度
dB
dB
单位
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的，但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注3 ：
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为：P
D
= (T
J（下最大）
T
A
)/θ
JA
.
注4 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注5 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注6 ：
所有参数均通过测试或相关保证。
注7 ：
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V ，且R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试， 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验， 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注8 ：
V
+
= 15V 。接成电压跟随器， 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注9 ：
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到7.5V 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注10 ：
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
注11 ：
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注12 ：
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
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